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用 X射线光电子能谱 ( XPS)对微波等离子体 ( MPCVD)合成的金刚石进行了 Ar离子溅射效应原位分析 .原始表面的 C1 s光电子峰位于 2 85 .80 e V,随着溅射时间的延长 ,C1 s峰位向低结合能方向移动 ,1 h后移至 2 85 .40 e V.在溅射过程中 ,C1 s的半高峰宽 ( FWHM)由最初的 1 .80 e V增加到 2 .2 0 e V.C1 s峰的解叠结果表明经 Ar离子溅射后 ,金刚石表面出现了石墨态碳 ,而且其含量随溅射的增强而增加 .由于 Ar离子的溅射 ,俄歇电子谱 ( XAES)也发生了明显的变化 ,XAES微分特征距离 D值则由 1 4 .3 7e V增加到 1 9.3 4e V,同时 C的价带电子谱 ( VBS)金刚石特征消失 ,这些结果补充证明了 Ar离子的溅射效应是诱导金刚石向石墨转化 .......阅读全文
用 X射线光电子能谱 ( XPS)对微波等离子体 ( MPCVD)合成的金刚石进行了 Ar离子溅射效应原位分析 .原始表面的 C1 s光电子峰位于 2 85 .80 e V,随着溅射时间的延长 ,C1 s峰位向低结合能方向移动 ,1 h后移至 2 85 .40 e V.在溅射过程中 ,C1 s的半高
为了清洁被污染的固体表面,在X射线光电子能谱分析中,常常利用离子枪发出的离子束对样品表面进行溅射剥离,以清洁表面。利用离子束定量地剥离一定厚度的表面层,然后再用XPS分析表面成分,这样就可以获得元素成分沿深度方向的分布图,这是离子束最重要的应用。作为深度分析的离子枪,一般采用0.5～5 KeV的Ar
电子能谱分析方法是20世纪70年代以来迅速发展起来的表面成分分析方法。这种方法是对用光子（电磁辐射）或粒子（电子、离子、原子等）照射或轰击材料（原子、分子或固体）产生的电子能谱进行分析的方法。其中俄歇电子能谱、光电子能谱、X射线光电子能谱和紫外光电子能谱等对样品表面的浅层元素的组成能给出比较精确的
根据所采用的激发源的不同，电子能谱分析主要可分为以下两大类：一是以光电子能谱（简称PES）；二是电子束作激发源去照射样品，测量样品所发射出的俄歇电子能量，称为俄歇电子能谱（简称AES）。1、光电子能谱以一定能量的X射线或光（如紫外光）照射固体表面时，被束缚于原子各种深度的量子化能级上的电子被激发而产
1)除氢和氦元素之外，可以分析所有其他元素，能直接测定来自样品的单个能级发射的光电子能量分布，直接得到电子能级结构的信息。2)从能量范围来看，电子能谱提供的信息可视为“原子指纹”，能测定原子价层电子和内层电子轨道，提供有关化学键方面的信息。而相邻元素的同种能级的谱线相隔甚远，相互干扰少，元素定性分析
XPS可以通过多种方法实现元素组成在样品中的纵深分布。最常用的两种方法是Ar离子溅射深度分析和变角XPS深度分析。变角XPS深度分析是一种非破坏性的深度分析技术,只能适用于表面层非常薄(1～5 nm)的体系。其原理是利用XPS的采样深度与样品表面出射的光电子的接收角的正玄关系,可以获得元素浓度与深度
本论文介绍了作者在攻读硕士学位期间的研究工作,主要包括:俄歇电子能谱仪的设计和研制情况;用电子能量损失谱方法对氩原子的内壳层2p激发进行研究,结合Cowan code的计算,得到了各个跃迁的能级和自然宽度。在第一章中,主要介绍了俄歇电子能谱仪的建立目的。首先介绍了俄歇过程的基础知识,包括俄歇效应的
本论文介绍了作者在攻读硕士学位期间的研究工作,主要包括:俄歇电子能谱仪的设计和研制情况;用电子能量损失谱方法对氩原子的内壳层2p激发进行研究,结合Cowan code的计算,得到了各个跃迁的能级和自然宽度。在第一章中,主要介绍了俄歇电子能谱仪的建立目的。首先介绍了俄歇过程的基础知识,包括俄歇效应的
（1）样品室大小：直径120mm×高度120mm； （2）靶材：Au靶、Au/Pd靶、Pt靶、Pt/Pd靶，靶材尺寸：直径57mm×厚度0.1mm； （3）样品台：可以装载12个SEM样品座，高度可调范围为50mm； （4）溅射控制：程序化数字控制，最大电流40mA； （5）溅射头：低电压平面
粗糙度仪又叫表面粗糙度仪、表面光洁度仪、表面粗糙度检测仪、粗糙度测量仪、粗糙度计、粗糙度测试仪等多种名称，国外先研发生产后来才引进国内，目前市场上粗糙度仪品牌主要有：英国泰勒粗糙度仪、德国马尔粗糙度仪、德国霍梅尔表面粗糙度仪、日本三丰粗糙度仪、东京精密粗糙度、瑞士泰萨粗糙度仪、英国易高粗糙度这些