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这篇应用笔记描述了硅锗技术是如何提高 RF 应用中 IC 性能的。文中使用 Giacoleto 模型分析噪声的影响。SiGe 技术显示出更宽的增益带宽从而可以给出更小的噪声。SiGe 技术在线性度方面的影响还在研究中。 在蜂窝手机和其他数字的、便携式、无线通信设备中，有三个参数越来越重要。低功率消耗和轻型电池给设备带来自由移动的权力，更高的前端接受灵敏度增加了接收距离，更高的前端线性度对可容许的动态范围具有直接的影响。随着π/4DQPSK 和 8QAM 这类非恒定能量调制方案的使用，上面三个参数的重要性越来越大。 SiGe (硅锗)技术是最近的一项技术革新，能同时改善接收机的功耗、灵敏度和动态范围。GST-3 是新的基于硅锗技术的高速 IC 处理工艺，其特点是具有 35GHz 的特征频率(fT)。下面的典型前端框图(图 1)中给出了用硅锗技......阅读全文
近期最实用、最有效的波束合成方法是混合数模波束成型，它实质上是将数字预编码和模拟波束合成结合起来，在一个空间（空间复用）中同时产生多个波束。通过将功率引导至具有窄波束的目标用户，基站可以重用相同的频谱，同时在给定的时隙中为多个用户服务。虽然文献中报道的混合波束成型有几种
解决方案今天，手机的功率放大器主要使用砷化镓（GaAs）技术。几年前，OEM从GaAs和蓝宝石（SoS）迁移到RF开关的RF SOI。GaAs和SoS是SOI的一个变体，它们变得太贵了。RF SOI不同于完全耗尽型SOI（FD－SOI），适用于数字应用。与FD－SOI类似，RF SOI的衬底
四种类型超敏反应发生的机制不同，同一抗原也可在不同条件下引起不同类型的超敏反应。四种类型超敏反应的免疫检测方法有所不同。Ⅰ型超敏反应主要检测过敏原和测定血清特异性IgE.Ⅱ型超敏反应的检测重点是抗血细胞抗体。Ⅲ型超敏反应主要检测循环免疫复合物。Ⅳ型超敏反应可用皮肤试验来检测。 一、过敏原皮肤试验
随着芯片制造业遵循摩尔定律向大尺寸晶圆450mm、光刻线宽nm级、高精度、高效率、低成本发展，集成电路也逐步从微电子时代发展到微纳米电子时代，现有的体硅材料和工艺正接近它们的物理极限，遇到了严峻的挑战。应变硅技术、SOI（Silicon-on-Insulator）技术和高K栅介质材料是三项在硅材料与
今日推荐文章作者为东南大学毫米波国家重点实验室主任、IEEE Fellow 著名毫米波专家洪伟教授，本文选自《毫米波与太赫兹技术》，发表于《中国科学: 信息科学》2016 年第46卷第8 期——《信息科学与技术若干前沿问题评述专刊》，射频百花潭配图。引言随着对电磁波谱的不断探索, 人类对电子学和光学
高级驾驶辅助系统（ADAS）和自主驾驶汽车对可靠性的要求更加严苛。ADAS涉及汽车中的各种安全功能，如自动紧急制动、车道检测和后方物体警告。例如，全球最大的汽车芯片制造商恩智浦最近宣布推出了一款用于汽车应用的高分辨率雷达芯片。该芯片被称为MR3003雷达收发器，是一款77GHz雷达器件。该器
微电子技术研究机构IHP-LeibnizInstitute以及德国航太研究中心(DLR)，合作开发了一种尺寸小巧、具成本效益的气体质谱分析(gasspectroscopy)感测系统，运作于245GHz频率；而该系统也是全球第一套以矽锗(SiGe)晶片制作发送与接收器的系统。 IHP-Leibn
随着集成电路工艺制程技术的不断发展，为了提高集成电路的集成度，同时提升器件的工作速度和降低它的功耗，MOS器件的特征尺寸不断缩小，MOS器件面临一系列的挑战。例如短沟道效应（Short Channel Effect - SCE），热载流子注入效应（Hot Carrier Inject -
2020年6月15日至18日（美国时间，第二天为日本时间）举行了“ 2020年技术与电路专题讨论会（VLSI 2020年专题讨论会）”，但实际上所有的讲座录了视频，并可付费观看至2020年8月底。如果像过去那样在酒店场所召开会议，则您只能参加众多平行会议中的一个会议。但是以视频点播形式，您可
毫米波通信、毫米波雷达等与毫米波相关的概念正快速出现在我们的日常生活中，但对于毫米波技术，并非所有人均有所了解。为极大化普及毫米波相关概念，本文中将对毫米波技术以及毫米波芯片加以讲解，以增进大家对毫米波的认知深度，以下为正文部分。由于毫米波器件的成本较高，之前主要应用于军事。然而随着高速宽带
目标MEMS振荡器可以利用现有硅半导体行业所使用的制造技术和设备，让半导体行业能在代工环境中集成MEMS。Sitime公司将以MEMSFirst技术进入时钟管理器件市场，下一代集成度更高的解决方案将包括MEMS振荡器和在同一硅晶圆上制造的超大规模集成电路控制功能。Sitime公司已与Jazz半导体公
我们生活在一个信息爆炸的时代。遍及世界各地的思想交流非常广泛，每天都会涌现出新的创新产品。因此，在这个时代，更需要了解竞争情报。当今的公司对竞争对手研发实验室中酝酿的内容以及预测市场上将出现什么新颖的应用颇感兴趣，以便确定最佳的反击行动计划。此外，具有创新思想的新参与者正在迅速崛起，其部分原因是过去
2.1.2 真空电子学太赫兹雷达太赫兹电真空器件以其高功率输出优势在太赫兹雷达系统发展中具有重要意义。最早关于真空电子学太赫兹雷达的报道是1988年马萨诸塞大学的McIntosh R E等人基于当时真空器件扩展互作用振荡器(Extended Interaction Oscillator, EIO
太赫兹（THz）指的是电磁频谱上频率为0.1～10THz的辐射，波长范围为0.03～3mm，介于无线电波和光波之间。太赫兹波具有穿透性强、使用安全性高、定向性好、带宽高等技术特性。太赫兹是电磁波谱最后的处女地，具有独特的优越性及极重要的应用，是新一代产业的科学技术基础。太赫兹科学综合了电子学与光子学
一、双盲食物激发试验：双盲食物激发试验为诊断食物过敏的金标准，主要用于以下情况：（1）几种食物同时被怀疑为过敏原且特异性IgE（sIgE）阳性，为减少患者禁食种类时可使用；（2）高度怀疑某一过敏物，但无sIgE抗体的证据，为进一步确定进食该食物的安全性时使用；（3）非IgE介导型食物过敏者多用该方法
本文重点介绍近些年微波电路设计取得的进步，这意味着现在采用硅芯片技术中的低相位噪声 VCO 可以覆盖一个倍频程范围。 多年来，微波频率生成使工程师面临严峻的挑战，不仅需要对模拟、数字、射频(RF)和微波电子有深入的了解，尤其是锁相环(PLL)和压控振荡器
最近，德国LEICA推出了新一代薄膜测厚仪DM-FTP以应对微电子，半导体产业的新高潮。该膜厚仪的先进性在于： 最小光斑可达1微米 既使用显微光谱反射法又能使用白光干涉法进行测量半导体薄膜厚度 德国LEICA顶尖的光学显微镜系统 自动建模和海量光谱数据 德国LEICA DM
半导体大厂英特尔（Intel）创始人之一戈登?摩尔（Gordon Moore）在1965年发表了一篇文章，提出了集成电路上可容纳的晶体管数量，将以每24个月增加一倍的规律发展，这个理论经过数次演变，成为半导体产业界奉为圭臬的“摩尔定律”（Moore’s Law）。为了使微处理器芯片更有效率地
4.4、封装与热管理技术 极大功能化、微纳尺度、多尺度结构、多类型材料 , 以及有源和无源嵌入式厚薄膜元件是实现天线阵列微系统的重要特征 . 随着天线阵列微系统向小型化、高性能和高密度集成的发展 , 多功能器件( 例如 GaN, SoC 芯片 ) 的功耗不断增大
1-3、输入输出匹配电路 匹配电路的目的是在选择一种接受的方式。对于那些想提供更大增益的晶体管来说，其途径是全盘的接受和输出。这意味着通过匹配电路这一个接口，不同的晶体管之间沟通更加顺畅，对于不同种的放大器类型来说，匹配电路并不是只有“全盘接受”一种设计方法。一些直流小、
半导体材料的变迁：Ge(锗)、Si(硅)→→→GaAs(砷化镓)、InP(磷化铟)→→→SiC(碳化硅)、GaN(氮化镓)、SiGe(锗化硅)、SOI(绝缘层上覆硅) →→→碳纳米管(CNT) →→→石墨烯(Graphene)。目前功率放大器的主流工艺依然是GaAs工艺。另外，GaAs HBT，
IBM和Leti在今年IEDM上分别发表了若干篇论文，其中包括一篇合作的Nanosheet论文。我有机会采访到与IBM高级逻辑与内存技术总监卜惠明和IBM高级工程师Veeraraghavan Basker，之后又分别采访了Leti advanced CMOS实验室负责人Francois Andr
中国作为世界上最大能源消费国，深受资源短缺和资源利用效率低等问题的困扰，迫切需要新的能源技术来缓解化石燃料过度消耗及其造成的环境破坏、气候恶化等一系列问题。以汽车、钢铁、石化等支柱型产业为代表的传统制造业消耗大量化石能源同时排放大量的工业余废热。目前我国的总体能源利用效率为33%左右，比发达国家
ADF4371VCO 的基波频率范围为 4GHz 至 8GHz，这是考虑了制造设备所使用的 SiGe 工艺的 VCO 相位噪声性能的最佳点。为了生成更高频率，我们使用了倍频器。通过重新设计 VCO 来实现双倍频率范围存在一定问题，因为噪声的降低幅度高于通过扩展 VCO 的频率范围所
1.仪器介绍二次离子质谱（SIMS）是一种用于通过用聚焦的一次离子束溅射样品表面并收集和分析喷射的二次离子来分析固体表面和薄膜的组成的技术。SIMS是最灵敏的表面分析技术，元素检测限为百万分之几到十亿分之一。Schematic of a typical dynamic SIMS instrument