半导体所硅基光子学研究取得重要突破
基于硅基微纳波导的硅基光子学由于可以实现超小体积、低能耗、CMOS兼容的单片高密度光电集成，已被各国公认为突破计算机和通信超大容量、超高速信息传输和处理瓶颈的最理想技术之一。 日前，中科院半导体研究所在该领域取得世界领先水平的重大技术突破。半导体所由王启明院士率先开展硅基光子学研究，近年来在光调制器及大规模光开关等方面持续保持国际一流研究水平。最近，肖希、李智勇、徐浩和李显尧等青年科研人员在俞育德、余金中和储涛研究员的指导下，在完成从电到光信号转换功能的光调制器这一最能代表硅基光子学研究水平的器件的研制上，采用研究组自主首创并被世界公认的插指型反向PN结光电结构（图1），在本所集成技术工程中心和中芯国际公司（SIMC）的大力协助下，使用国内企业CMOS工艺，研制成功MZI马赫-曾德干涉器型（图2）和MRR微环共振腔型（图3）两种全硅波导调制器，并实验验证其最为关键的调制速率双双达到44Gbps超高频调制速率（达到现有测......阅读全文
半导体所硅基光子学研究取得重要突破
基于硅基微纳波导的硅基光子学由于可以实现超小体积、低能耗、CMOS兼容的单片高密度光电集成，已被各国公认为突破计算机和通信超大容量、超高速信息传输和处理瓶颈的最理想技术之一。 日前，中科院半导体研究所在该领域取得世界领先水平的重大技术突破。半导体所由王启明院士率先开展硅基光子学研究，近年来
《纳米快报》：一维半导体纳米结构光子学
在基金委青年基金、纳米重点项目和国家纳米测试基金及973课题的支持下，湖南大学纳米技术研究中心潘安练、邹炳锁教授等团队成员和北京大学、国家纳米中心以及德国马普研究所合作，在一维半导体纳米结构光子学的研究上取得了重大突破：首次正式提出了半导体一维纳米结构中光子输运的概念，建立光传播的理论模型，并在实验
半导体测试系统结构说明
半导体测试系统由三大部分组成，包括测量与控制、调理与路由、温度环境。半导体测试系统测量与控制部分是整个系统的核心，主要组成硬件有LCR表，数字万用表，耐压仪，漏电流测试仪、示波器、信号发生器、功率发生器、精密编程电源等仪器。所有的硬件测量与控制资源通过信号调理和大规模的矩阵路由接入温度控制环境中，
厦大研发新型宽带隙半导体材料 促深紫外光子学发展
厦大自主研发的新型宽带隙半导体材料为深紫外光子学的发展提供了新的思路和方向。它的“秘诀”在于材料纯度和结构质量高，通过其中激子和光子的相互转化特性可以轻松实现深紫外光的发射，从而大大提升激光器件的发光能效。近期，相关研究成果刊登在《自然》出版集团旗下的在线开放刊物《科学报道》上。 据了解，
《自然—光子学》：单光子波长转换首次实现
美国国家标准和技术研究院（NIST）10月15日表示，科学家首次将量子源（半导体量子点）产出的波长为1300纳米的近红外单光子转换成波长为710纳米的近可见光光子。这种单光子波长（或颜色）转换的实现有望帮助开发出拥有量子通信、量子计算和量子计量的混合型量子系统。研究论文发表在《自然—光
半导体所硅光调制器研究获新进展
高性能处理器目前普遍采用多核并行处理的架构，其性能不仅取决于处理核心的性能和数量，也取决于处理核心之间的通信效率。随着片上集成的处理核心越来越多，多核处理器对片上网络通信带宽的要求越来越高，传统金属连线实现的片上网络因其高功耗、低带宽及高延迟逐渐成为多核处理器发展的瓶颈，光互连以其低功耗、高带宽
关于局限半导体结构的研究
基于半导体材料的量子光学设计在量子密码学以及量子通讯应用及研究中发挥着越来越重要的作用。在本应用文档中，我们将介绍砷化镓的激子化激元以及砷化铟量子点的光谱学测量。所有的实验都是在4~60K的制冷温度下进行的。 相对于光之间直接作用，电控制光学器件显得非常的简单。因此，在量子光学中，依然通过把光变
“人造石墨烯”有望打开激光器应用大门
荷兰卢森堡乌得勒支大学、德国马普学会的研究人员对传统半导体材料的纳米晶体进行了“人造石墨”的理论研究，他们认为人造石墨有潜力应用于激光器、LEDs、光伏以及电子设备。 研究人员研究了晶格周期小于10nm的结构，发现其具有传统半导体的结构特性，研究的半导体包括岩盐铅硫族化合物和闪锌矿镉硫化合
上海微系统所硅基光子学研究获突破性进展
日前，中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室SOI课题组在光子学研究方面取得突破性进展，研究结果发表在5月20日出版的Physical Review Letters 上（作者为：杜骏杰、王曦、邹世昌、甘甫烷等），并作为每期最亮点的工作
化合物半导体基超高速数模混合电路研制取得整体突破
中科院微电子研究所微波器件与集成电路研究室化合物半导体基超高速数模混合电路课题组经过全力攻关，日前在超高速数模混合芯片研制领域取得整体突破。课题组成功研制出多款基于1um GaAs HBT工艺的超高速数模混合电路芯片，该系列芯片全部采用自主创新的架构，其性能已达到或超越国际同类芯