中科院外籍院士马佐平一行访问苏州纳米所
11月1日，中科院外籍院士、美国国家工程院院士、美国全芯科技有限公司（BAMC）董事长、耶鲁大学终身教授马佐平先生，BAMC董事、中国区总裁徐德清博士，BAMC芯片设计副总裁黄崇礼博士，中国科学院微电子所骆志炯博士和威望科技（苏州）有限公司总裁盛泽生先生一行5人应邀访问中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所。该所杨辉所长、刘佩华副所长、陈立桅副所长热情接待了马佐平一行。苏州纳米所程国胜、张锦平、张宝顺、刘虹越研究员，曾雄辉副研究员、陆敏副研究员等项目组成员出席汇报研讨会。 马佐平此行重点考察并研讨国际合作专项——相变存储芯片关键技术的合作研发。研讨会上，徐德清博士简要介绍了BAMC整体架构与运行情况，黄崇礼博士介绍了公司技术研发相关进展。程国胜研究员介绍了本次共同申报的国际合作项目进展及预算编制情况。刘虹越研究员介绍了信息存储工程中心概况并为本项目提供技术支持，张锦平与张宝顺研究员针对本项目，分别介绍......阅读全文
宁波材料所利用生物分子辅助技术获得水溶性铜纳米颗粒
金属纳米颗粒因其具有独特的物理化学性质，如催化活性，新颖的电、光和磁性等而在纳米科学和工程技术领域引起广泛关注。金属纳米颗粒最有前景的应用领域包括催化、吸附、化学生物传感器、信息存储和光电子器件。为满足应用的多样性和重要性，很多方法如湿法化学还原、反胶束、电化学和超声电化学技术等被用来
单原子存储和单分子逻辑开关技术获突破
《科学》：超高密度存储设备及分子级计算机指日可待 美国IBM公司在最新一期《科学》杂志上发表了两份研究报告，公布了其在单原子存储技术和单分子逻辑开关研究方面取得的技术突破。这是纳米技术领域两项最新的重大科学成就。 在第一份报告中，IBM科学家描述了在测量单个原子的磁各向异性特性方面取得的重大进展。
国产55纳米相变存储芯片
11月28日，宁波时代全芯科技有限公司在宁波现场发布了自主研发的55纳米相变存储芯片。这一成果的发布，使该公司成为继韩国三星、美国美光之后，世界上第三家、中国第一家拥有相变存储技术自主知识产权的企业，业内人士认为这将有利于打破存储器芯片生产技术被国外公司垄断的局面。 目前静态随机存储技术、
技术生物所：为小麦穿上纳米“雨衣”
日前，中科院技术生物所研究员吴丽芳课题组以经过修饰的天然纳米材料为主要原料，制备出一种抗小麦穗发芽防护剂，可替代化学农药防控穗发芽。该成果对提高小麦品质和减少化学农药的环境释放具有重要意义，已被美国化学会绿色化学领域核心期刊《可持续化学与工程》接收发表。 小麦穗发芽作为世界性的农业问题，不
革命性的信息存储技术：6纳米大小磁纳米点研制成功
美国科学家在纳米点(nanodot)技术上取得了重大进步，他们研制出了一个“超级“计算机芯片，可以容纳整个图书馆的数据，研究人员表示，这也是计算机存储技术的一项重大进展。 该项研究的领导者、北卡罗莱纳州大学材料科技和工程教授加迪西•纳拉扬表示，该研究团队的突破在于：这些磁性纳米点
光盘[存储]技术特点
中文名称光盘[存储]技术英文名称optical disc ［memory］ technique定 义利用激光将信息存储到记录介质上且可用激光读出的技术。应用学科机械工程（一级学科），光学仪器（二级学科），激光器件和激光设备-激光应用（三级学科）
中科院智能所纳米敏感材料与传感器研究取得新进展
在国家自然科学基金委、科技部和中科院的支持下，中科院智能所研究员刘锦淮课题组在新型纳米敏感材料和纳米传感器方面取得一系列成果。近期发表在Nanotechnology的成果更是得到国内外同行专家的高度关注，不仅被选为该杂志的封面，而且英国物理学会(IOP)还在其网站作了特别报道，“来自中国的研究人
物理所基于石墨烯/氧化物纳米结构的多态存储研究获进展
随着计算机技术、互联网以及新型大众电子产品的高速发展，现有的存储技术已经不能完全满足人们对电子信息存储产品的要求，因此，迫切需要在存储技术方面取得突破，开发新一代的存储技术。电阻式随机存储器(RRAM)是基于电致电阻效应的一种新型存储器，因其结构简单、读写速度快、功耗低、可实
微纳米加工与测试技术项目决赛在苏州纳米所举行
9月28日，由苏州工业园区组织人事局牵头、联合苏州市人力资源和社会保障局、苏州市总工会、苏州工业园区工会联合会及共青团苏州工业园区工作委员会共同主办的“苏州工业园区第四届高技能人才职业技能竞赛”——微纳米加工与测试技术决赛在中科院苏州纳米所举行。选手们通过激烈的技艺比拼，角逐竞赛项目的一、二、三
苏州纳米所开发出可以“看到”载流子的新型纳米成像技术
目前，纳米材料已经被日益广泛地应用在电子、光电、生物电子、传感以及能源等领域的各种器件中。因此，理解和表征纳米材料的电学性能不仅是基础科学研究的兴趣所在，也是实现其广泛实用化的迫切需求。但是，传统的场效应晶体管（field-effect transistor, FET）方法在纳米材料电学性能的表