确定石墨烯合适衬底的新标准问世啦
石墨烯具有优异的力学性能和电学性能，利用此新标准，可以有针对性的寻找衬底材料，使石墨烯更好的发挥其性能。 一般而言，石墨烯在和衬底材料接触后，往往会失去其原有的一些性能。来自利希研究中心的物理学家最近提出一种标准，根据此标准科学家们可以有针对性地寻找合适的石墨烯衬底材料。通过共同努力，他们能够证明，衬底材料对石墨烯的电子性能的影响可以通过简单的结构参数来预测。相关论文发表在《物理评论快报》上。 石墨烯只有一个原子层厚度，但它的硬度比钻石高，导电性比钢和硅还好，这些就是人们深入研究石墨烯的原因，但迄今为止石墨烯的使用仅限于实验室中。目前主要的任务是寻找合适的衬底材料，没有衬底材料，石墨烯的用处将受到极大的限制。 弗朗索瓦博士说：“我们只是想找到一个可行的参数，可以直接用来比较不同衬底的区别。”利希彼得?格林贝格协会（PGI-3）的物理学家和亥姆霍兹博士后解释说“决定性的标准是石墨烯层和底层衬底之间的原子距离这一参数”。 ......阅读全文
确定石墨烯合适衬底的新标准问世啦
石墨烯具有优异的力学性能和电学性能，利用此新标准，可以有针对性的寻找衬底材料，使石墨烯更好的发挥其性能。 一般而言，石墨烯在和衬底材料接触后，往往会失去其原有的一些性能。来自利希研究中心的物理学家最近提出一种标准，根据此标准科学家们可以有针对性地寻找合适的石墨烯衬底材料。通过共同努力，他们能够
石墨烯：未来材料宠儿
今年3月，浙江大学利用石墨烯等材料制成世界“最轻材料”。 想在一秒钟内下载一部高清电影吗?石墨烯调制器的问世或许能让这个愿望得以实现。 美国华裔科学家张翔教授的研究团队用石墨烯研制出一款调制器，这个只有头发丝四百分之一细的光学调制器具备的高速信号传输能力，有望将互联网传输速度提高一万倍。
铜衬底显著增强了氧化石墨烯动态氧迁移
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2022/8/484525.shtm 近日，扬州大学物理科学与技术学院本科生科创团队发现，铜衬底可以显著降低氧化石墨烯（GO）上动态氧迁移的能垒，从而诱导GO成为一种动态共价材料。相比于无衬底时的GO，铜111面衬底
石墨烯铂复合材料
日前，中国科学院合肥物质科学研究院等离子体所低温等离子体应用研究室博士王奇等人，采用低温等离子体技术成功制备出分散性良好的石墨烯铂纳米复合材料。相关成果日前已发表在应用物理领域的顶级期刊《应用物理快报》上。 石墨烯铂复合材料可以提高燃料电池的反应效率，在航天航空、能源、环境等领域有着极为广
石墨烯材料新时代兴起 抓住石墨烯发展的重大机遇
在当今的中国与世界，关于石墨烯可能引发的材料革命乃至新技术革命讨论非常热烈。最近，我到北京、上海、广州、深圳、江苏、浙江、黑龙江、山东、陕西和中科院、清华大学等地方和研究机构对石墨烯进行了调研。石墨烯具有非常大的发展潜力和应用前景，我们必须统筹规划，精心布局，紧紧抓住石墨烯研发和产业化所带来的重
我国石墨烯材料研究取得突破进展 石墨烯概念或受益
昨天，记者从中国科学院宁波材料技术与工程研究所官网了解到，宁波材料所在石墨烯高分子复合材料领域取得进展。市场分析认为，石墨烯概念有望再掀波澜。 宁波材料所介绍，该所在实现石墨烯产业化制备的基础上，进一步开展相关研究，并得到国家自然科学基金和宁波市重点科技创新团队的支持，作为研究基础申请获批
我国发现表面绝缘衬底PECVD法制备无需转移单层石墨烯
大面积、高质量石墨烯在传感器和透明导电应用方面有着重大需求，而化学气相沉积法是一种被广泛应用在金属催化剂上生长石墨烯薄膜的方法。然而，由于石墨烯和金属之间有着不同的热膨胀系数（Cu：2.6×10-5/ ℃， graphene：-2.0×10-6/ ℃），生长过程中难免会产生皱纹和裂缝，降低单层石
石墨烯复合材料的未来
石墨烯以其优异的性能和独特的二维结构成为材料领域研究热点。6月2日下午，石墨烯公益沙龙暨青年科学家快乐足球邀请赛在惠山经济开发区科创中心工会创业中心成功举办，来自国内各大高校及科研院所等单位的青年科学家、石墨烯行业的企业家、创投基金负责人齐聚一堂，参与了石墨烯沙龙交流及球场竞技，活动气氛热烈。
巧用扫描电镜实现衬底支撑石墨烯的高质量成像
常见的衬底支撑石墨烯体系，有SiC热解生长石墨烯、Cu等金属衬底上CVD法生长石墨烯、Si上转移石墨烯等。石墨烯的常用结构表征技术包括透射电镜、拉曼（Raman）、原子力显微镜（AFM）、光学显微镜以及扫描电镜（SEM）。其中，SEM具有分辨率达纳米级、观测范围大、速度快、无损等优点，在石墨烯的生长
科学家开发出石墨烯/蓝宝石外延衬底 促进AlN薄膜生长
深紫外LED可以广泛应用于杀毒、消菌、印刷和通信等领域，国际水俣公约的提出，促使深紫外LED的全面应用更是迫在眉睫，但是商业化深紫外LED不到10%的外量子效率严重限制了深紫外LED的应用。AlN材料质量是深紫外LED的核心因素之一，AlN薄膜主要是通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）的方法异