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“磷化铟？这是不是写错了？”7日上午，政协委员分组讨论“十三五”规划纲要。中科院上海技术物理研究所研究员何力对半导体材料和器件研究多年，而“十三五”规划纲要中关于高端材料的一段话却让他困惑——“ 大力发展形状记忆合金、自修复材料等智能材料，石墨烯、超材料等纳米功能材料，磷化铟、碳化硅等下一代半导体材料。”“磷化铟是第二代半导体材料，根本算不上下一代，这里是不是应该写的是氮化镓？”何力说。 在半导体产业的发展中，一般将硅、禇称为第一代材料，将砷化镓、磷化铟、磷化镓等称为第二代材料，而将氮化镓、碳化硅、硒化锌和金刚石等称作第三代材料。何力有些不明白，目前已有许多器件使用了磷化铟、碳化硅材料，为什么还称其为“下一代”？ 对这句话同样有些不赞同的，是中科院物理研究所所长高鸿钧。他关注的是“石墨烯”一词。“改成二维原子晶体会更好，石墨烯只是其中一类。” 二维原子晶体仅一个原子那么厚，它从本质上看更像一种巨大的二维分子。二维......阅读全文
半导体材料的变迁：Ge(锗)、Si(硅)→→→GaAs(砷化镓)、InP(磷化铟)→→→SiC(碳化硅)、GaN(氮化镓)、SiGe(锗化硅)、SOI(绝缘层上覆硅) →→→碳纳米管(CNT) →→→石墨烯(Graphene)。目前功率放大器的主流工艺依然是GaAs工艺。另外，GaAs HBT，
1-3、输入输出匹配电路 匹配电路的目的是在选择一种接受的方式。对于那些想提供更大增益的晶体管来说，其途径是全盘的接受和输出。这意味着通过匹配电路这一个接口，不同的晶体管之间沟通更加顺畅，对于不同种的放大器类型来说，匹配电路并不是只有“全盘接受”一种设计方法。一些直流小、
自20世纪60年代以来，电子电路上可容纳的元器件数量每两年便增加一倍，这种趋势就是著名的摩尔定律。随着晶体管越来越小，硅芯片上可容纳的元器件数量在不断增加。但目前看来，硅晶体管正接近它的物理极限。只有开发出全新类型的材料和设备，才能释放下一代计算机的潜力。单分子厚晶体管芯片或许能用来驱动下一代计
工信部力推新材料标准化稀有金属产业迎来机遇 工业和信息化部近日出台了《新材料产业标准化工作三年行动计划》。《计划》提出，到2015年，完成200项重点标准制修订工作，立项并启动300项新材料标准研制，开展50项重点标准预研究，争取覆盖 “十二五”规划提出的400个重点新材料产品，基本形
太赫兹(THz)指的是电磁频谱上频率为0.1～10THz的辐射，波长范围为0.03～3mm，介于无线电波和光波之间。太赫兹波具有穿透性强、使用安全性高、定向性好、带宽高等技术特性，可以应用于国防、国土安全、天文、医疗、科学研究等诸多领域，因此成为当前世界上一项极为重要的前沿技术。太赫兹技术的研究内容