韩国开发出下一代纳米半导体图像传感器
韩国科学技术研究院发布消息称，该院联合延世大学利用二维二硒化钨纳米单芯片和一维氧化锌氧化物半导体纳米线的混合维空间双层结构，开发了可以感知从紫外线到近红外线光的光电二极管器件。该研究结果发表在国际学术杂志《先进功能材料》（Advanced Functional Materials）上。 低维空间纳米半导体元件在下一代半导体中有广泛应用前景，是研发重点领域。研究组使用的二维元件具有光回应性能强、洞迁移率高的特性，是P型半导体元件。一维氧化锌纳米线是目前最好的一维纳米半导体之一，具有电子迁移率高的特性，有望应用于高性能电子元件N型半导体元件。将一维二维混合后形成了混合维空间双层结构（PN型），研制出光电二极管元件。 研究组表示，该研究成功实现了二维图像，今后有望广泛应用于新一代图像传感器元件。......阅读全文
二硒化钨可实现超薄的软性太阳能电池
奥地利维也纳科技大学(Vienna University of Technology)的研究人员们首次开发出由二硒化钨(tungsten diselenide;WSe2)制做的二极体，根据实验显示，这种材料可被用于超薄的软性太阳能电池。 虽然石墨烯被认为是最具有发展前景的电子材料之一，
有机硒化物连续合成
一、背景介绍 随着技术的发展，合成有机化学正在不断进步。从更简单的前体获得复杂分子的技术涉及到创造性地设计多步骤策略，重点是最小化操作步骤、节约能源和以最少的浪费提供大量产品。 如今，将创新方法与连续流动技术相结合已成为简化多步合成的一种非常有趣的方法。多步骤流动合成引进
有机硒化物连续合成
一、背景介绍 随着技术的发展，合成有机化学正在不断进步。从更简单的前体获得复杂分子的技术涉及到创造性地设计多步骤策略，重点是最小化操作步骤、节约能源和以最少的浪费提供大量产品。 如今，将创新方法与连续流动技术相结合已成为简化多步合成的一种非常有趣的方法。多步骤流动合成引进了连续分离单元以及在线分析工
二维原子晶体材料单层二硒化钒的1D图案化及其研究
二维原子晶体材料的功能化对实现其在光电、催化、新能源以及生物医学等领域中的应用具有重要意义。在实现二维材料功能化方面，结构图案化调控是其中一个重要手段。之前，人们利用电子/离子束刻蚀、元素掺杂等手段实现了二维材料的图案化。图案化的二维材料则呈现出了许多新的物理性质，例如“纳米网状”石墨烯的半导体
二硫化硒怎样使用
适应症：治疗花斑癣、脂溢性皮炎。用法用量：2.5%混悬液局部用药，30分钟后洗去，一日1次，连用4日。有剧毒，不能内服。也不可接触粘膜部位
二硫化硒怎么用？
二硫化硒用途：具抗真菌、抗皮脂溢出作用。用于治疗花斑癣，头部脂溢性皮炎，头屑以及多色蛇皮癣。制剂为混悬剂。可作为香波中的去头屑剂。化妆品中最大允许浓度为0.5%。注意事项：黏膜头皮有水疱，糜烂或渗液区禁用本品。若溅入眼内，则可发生化学性结膜炎，使用时避免接触眼睛，黏膜，也避免直接接触生殖器。本品可增
韩国研发出新型半导体材料
韩国科学技术研究院发布消息称，该院光电材料研究小组将钨硒2维纳米膜与1维氧化锌纳米线双重结合，研发出能感知从紫外线到近红外线的下一代光二极管元件。该研究成果在国际学术期刊《Advanced Functional Materials》(IF)上刊登。 图片来源网络 光二极管元
二维材料硒化铟在卸压过程中超导增强
在高压条件下，一些物质会出现超导现象。然而，随着压力的卸除，这种超导现象往往会消失。著名国际材料学术期刊《先进材料》10日载文称，北京高压科学研究中心国家“千人计划”特聘专家陈斌研究员和吉林大学高春晓教授领衔的国际合作小组首次发现，二维材料硒化铟在卸压过程中有超导增强现象，从而使高压超导材料的应
二硒化物发现过渡金属硫族化合物中的超辐射耦合效应
协同效应使得光与物质的相互作用系统具有极好的特征。图片来源于网络 本文研究了一类准二维分层半导体系统中自然发生的超辐射耦合。本文对具有不同原子层数的过渡金属硫族化合物的最低激发子进行光吸收实验。本文用非相干宽带白光研究了两种有代表性的材料二硒化钼和二硒化钨。对于由数百个原子层组成的光学厚样品，
硒化锌的基本性质介绍
1、光学性能 体吸收系数 ： 0.0005/cm 折射率温度变化率：61x10-6/℃ 折射率不均匀性：< 6X10-6 2、热力学性能 热传导率：0.18W/cm/℃ 比热：0.356J/g/℃ 线性膨胀系数 （20℃）：7.57x10-6/℃ 3、机械性能 杨氏模量 （Yo