王占国院士：半导体材料将走向“纳米化”
半导体照明5年后进入千家万户、上百位的密码几秒钟就计算出来、人类进入变幻莫测的量子世界……日前，在中国科技馆数百位参加科学讲坛的听众前，中科院院士、中科院半导体研究所研究员王占国展示了半导体材料的惊人魅力。 半导体是介于导体和绝缘体之间的材料。自1947年12月23日正式发明后，在家电、通信、网络、航空、航天、国防等领域得到广泛应用，给电子工业带来革命性的影响。2010年，全球半导体市场达到2983亿美元，拉动上万亿美元的电子产品市场。 伴随着半导体市场的壮大，半导体材料也不断获得突破。王占国介绍，一般将锗和硅称为第一代半导体材料。将砷化镓、磷化铟等称为第二代半导体材料，而将宽禁带的碳化硅、氮化镓和金刚石等称为第三代半导体材料。 第一代材料中，12英寸单晶硅已经大规模生产，18英寸单晶硅已在实验室研制成功，全球每年集成电路中的硅用量大约2万吨。多晶硅方面，由于国内产品纯度不够，我国集成电路所用硅片......阅读全文
半导体集成电路概述
半导体集成电路（英文名：semiconductor integrated circuit），是指在一个半导体衬底上至少有一个电路块的半导体集成电路装置。 半导体集成电路是将晶体管，二极管等等有源元件和电阻器，电容器等无源元件，按照一定的电路互联，“集成”在一块半导体单晶片上，从而完成特定的电路
半导体集成电路的设计保障
1) 常规可靠性设计技术。包括冗余设计、降额设计、灵敏度分析、中心值优化设计等。 2) 针对主要失效模式的器件设计技术。包括针对热载流子效应、闩锁效应等主要失效模式，合理设计器件结构、几何尺寸参数和物理参数。 3) 针对主要失效模式的工艺设计保障。包括采用新的工艺技术，调整工艺参数，以提高半
半导体集成电路的制造工艺
集成电路在大约5mm×5mm大小的硅片上，已集成了一台微型计算机的核心部分，包含有一万多个元件。集成电路典型制造过程见图1。从图1,可以看到，已在硅片上同时制造完成了一个N+PN晶体管,一个由 P型扩散区构成的电阻和一个由N+P结电容构成的电容器,并用金属铝条将它们连在一起。实际上,在一个常用的
半导体集成电路的工艺保障
1)原材料控制。包括对掩膜版、化学试剂、光刻胶、特别对硅材料等原材料的控制。控制不光采用传统的单一检验方式，还可对关键原材料采用统计过程控制(statisticalprocesscontrol，SPC)技术，确保原材料的质量水平高，质量一致性好。 2)加工设备的控制。除采用先进的设备进行工艺加
半导体集成电路的分类概述
集成电路如果以构成它的电路基础的晶体管来区分，有双极型集成电路和MOS集成电路两类。前者以双极结型平面晶体管为主要器件（如图2），后者以MOS场效应晶体管为基础。图3表示了典型的硅栅N沟道MOS集成电路的制造工艺过程。一般说来，双极型集成电路优点是速度比较快，缺点是集成度较低,功耗较大；而MOS
半导体集成电路的发展趋势
就lC产业技术发展的实际情况来看，lC集成度增长速度的降低，并不会导致微电子行业的停滞不前，IC产业可以在产品的多样性方面以及产品性能方面实现现代化发展。随着IC产业的不断发展，IC产品能够更加满足市场的实际需求，IC产业设计人员可以结合行业客户的实际需求来对IC产品进行设计和制造，进而推出多样
半导体砷化硼有望应用到集成电路领域
7月22日，国家纳米科学中心（以下简称纳米中心）研究员刘新风研究团队在《科学》上发表论文，首次在半导体砷化硼中检测到其电子空穴约化迁移率约 1550 cm2/Vs, 这一测量结果与理论预测值的1680 cm2/Vs 非常接近，有望为半导体砷化硼在集成电路领域的应用提供重要基础数据指导。利用瞬态反射显
半导体集成电路的厚膜电路和薄膜电路相关介绍
从整个集成电路范畴讲，除半导体集成电路外，还有厚膜电路与薄膜电路。 ①厚膜电路。以陶瓷为基片，用丝网印刷和烧结等工艺手段制备无源元件和互连导线，然后与晶体管、二极管和集成电路芯片以及分立电容等元件混合组装而成。 ②薄膜电路。有全膜和混合之分。所谓全膜电路，就是指构成一个完整电路所需的全部有源
尘埃粒子计数器用于半导体集成电路生产洁净室
集成电路制造业是需要在一个超净环境中进行的，它是使用超纯材料进行超精细加工的行业。集成电路制造对洁净室环境的控制有严格的要求，不同的工艺对清洁度有不同的要求。 半导体集成电路在生产过程中会接触到很多污染物，比如无机离子、有机物质、微生物、气体杂质等等。另外，广义而言，不适当的温度、湿度、光照
研究团队在功率半导体器件和集成电路研究中取得进展
氮化镓（GaN）是一种宽禁带半导体，第三代半导体的典型代表。与第一代半导体硅基的器件相比，GaN器件具有更高耐压、更快开关频率、更小导通电阻等特性，在功率电子器件领域得到广泛应用。相关研究显示，GaN器件适用于68%的功率器件市场；在功率转换电路中应用GaN器件可消除整流器在进行交直流转换时90