WIKI资讯
WIKI资讯
日本SCIOCS有限公司和法政大学曾报导了在氮化镓（GaN）中利用光电化学（PEC）蚀刻深层高纵横比沟槽的进展［Fumimasa Horikiri et al， Appl． Phys． Express， vol11， p091001， 2018］。 该团队希望该技术能够在高场中能够利用GaN的高击穿场和高电子迁移速度为电力电子技术开辟新的器件结构。具有p型和n型材料列的“超结”结构是需要通过深度蚀刻技术来实现的。当这种结构结合到横向场效应晶体管中时，击穿电压能够达到10kV以上。这种超结漂移区和其他深蚀刻结构也会对垂直器件有益。对于激光二极管，晶片切割应用和微机电系统（MEMS）的脊形制造，同样需要高质量的快速蚀刻速率工艺。目前， PEC已经应用于台面，栅极凹陷和垂直腔面发射激光器（VCSEL）制造工艺上。一般情况下，我们通过干等离子体蚀刻（如电感耦合等离子体反应离子蚀刻（ICP－RIE））来实现......阅读全文
今日推荐文章作者为东南大学毫米波国家重点实验室主任、IEEE Fellow 著名毫米波专家洪伟教授，本文选自《毫米波与太赫兹技术》，发表于《中国科学: 信息科学》2016 年第46卷第8 期——《信息科学与技术若干前沿问题评述专刊》，射频百花潭配图。引言随着对电磁波谱的不断探索, 人类对电子学和光学