RF前端需要怎样的工艺和技术？（三）
解决方案今天，手机的功率放大器主要使用砷化镓（GaAs）技术。几年前，OEM从GaAs和蓝宝石（SoS）迁移到RF开关的RF SOI。GaAs和SoS是SOI的一个变体，它们变得太贵了。RF SOI不同于完全耗尽型SOI（FD－SOI），适用于数字应用。与FD－SOI类似，RF SOI的衬底中有薄绝缘层，能够实现高击穿电压和低漏电流。GlobalFoundries RF业务部门主管Peter Rabbeni表示：“移动市场继续推动RF SOI，因为它在宽频率范围内提供低插入损耗、低谐波，以及高线性度，拥有良好的性能和成本效益。”今天，Qorvo、Peregrine、Skyworks等公司提供基于RF SOI的RF开关。 通常，RF开关制造商利用代工厂来制造这些产品。GlobalFoundries、意法半导体、TowerJazz，以及联电是RF SOI代工业务的领军企业。因此，OEM在组件供应商和代工产品方面有多种选择。通......阅读全文
RF前端需要怎样的工艺和技术？（二）
在手机中，2G和3G无线网络的RF功能简单。2G有四个频段，3G有五个频段。 但对4G来说，有40多个频段。4G不仅融合了2G和3G频段，而且还搭载了4G频段。除此之外，移动运营商已经部署了一种称为载波聚合的技术。载波聚合将多个信道或分量载波组合到一个大数据管道中，可以在无线网络中实现更大的带宽和更
RF前端需要怎样的工艺和技术？（三）
解决方案今天，手机的功率放大器主要使用砷化镓（GaAs）技术。几年前，OEM从GaAs和蓝宝石（SoS）迁移到RF开关的RF SOI。GaAs和SoS是SOI的一个变体，它们变得太贵了。RF SOI不同于完全耗尽型SOI（FD－SOI），适用于数字应用。与FD－SOI类似，RF SOI的衬底
RF前端需要怎样的工艺和技术？（一）
RF器件和工艺技术的市场正在升温，特别是对于智能手机中使用的两个关键组件——RF开关器件和天线调谐器。RF器件制造商及其代工合作伙伴继续推出基于RF SOI工艺技术的传统RF开关芯片和调谐器，用于当今的4G无线网络。最近，GlobalFoundries为未来的5G网络推出了45nm RF S
5G RF前端对先进封装技术的依赖超乎想象
在智能手机电子设计领域，5G RF前端（RFFE）复杂功能的出现对系统设计提出了一系列新挑战。在智能手机的有限空间内，对多个5G频率、TDD和FDD的需求，甚至多个毫米波天线模块的需求，都促使业界寻求解决方案，以解决这种复杂性问题。 5G设计中应用的主要技术不仅专注在最基础的硅芯片
射频前端
今天，我们将带大家认识一下 5G 的射频技术。 5G 愿景的真正实现，还需要更多创新。网络基站和用户设备（例如：手机）变得越来越纤薄和小巧，能耗也变得越来越低。为了适合小尺寸设备，许多射频应用所使用的印刷电路板（PCB）也在不断减小尺寸。因此，射频应用供应商必须开发新的封装技
探索射频前端技术
引言：2017 年，Qorvo 出版了第 1 版《5G 射频技术 For Dummies》。该书以通俗易懂的语言，帮助业界许多人士掌握了一些围绕 5G 技术的复杂概念。在之前，我们也做了《科普丨重新认识 5G》、《科普丨了解 5G 核心实现技术》、《科普丨发现 5G 的不同之处》、《科普丨介绍
垃圾“瘦身”需下足前端功夫
上海等地推行垃圾分类的举措吸引了社会关注，通过强力推进，垃圾分类这一“新时尚”正从上海向全国推广开来。垃圾分类，是一件好事，更是一件难事。管好垃圾，推进垃圾分类是其中的重要一环。但垃圾分类毕竟是垃圾产生以后的事情，如果在前端就下足功夫，提前给垃圾产量“减肥瘦身”，会事半功倍。图片来源于网络 源
解析SIGE技术提高无线前端性能
这篇应用笔记描述了硅锗技术是如何提高 RF 应用中 IC 性能的。文中使用 Giacoleto 模型分析噪声的影响。SiGe 技术显示出更宽的增益带宽从而可以给出更小的噪声。SiGe 技术在线性度方面的影响还在研究中。 在蜂窝手机和其他数字的、便携式、无线通信设备中，有三个参数越
类风湿因子（RF）
类风湿因子（RF）是一种抗人或动物IgG分子Fc片段抗原决定簇的抗体，是以变性IgG为靶抗原的自身抗体。RF最初由Rose等（1984年）在类风湿性关节炎（RA）患者血清中发现。RA患者体内有产生RF的B细胞克隆，在变性IgG或EB病毒的直接作用下可大量合成RF．RF主要为19S的IgM，也有7S的
Rf值 (retention factor)
Rf值 (retention factor)对于确定的固定相，混合物样品中不同的化合物在层析板上爬升的速度不同，这是由于它们对于固定相的吸附能力不同，对于洗脱剂的溶解能力也不同。改变不同的洗脱溶剂，或用不同溶剂配成混合洗脱剂，化合物的分离效果可自行调节。组分在板上的分离情况一般用比移值（Rf）的大小