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Newport用于晶圆和掩膜检测的运动控制 MKS 提供了多种高性能的、适用于晶圆检测工具和其他运动控制应用的空气轴承位移台 , 经验丰富的 MKS/Newport 应用工程师与 OEM 客户合作，为正在开发的半导体制造过程提供专门的自动化运动控制解决方案，下文描述这些系统中用于提高精度和动态性能的技术。 IDL 工业精密定位平台是为高动态性能而开发的，其标准版本可在构建 XY 系统时加快响应速度。该平台采用铝结构，结合了机械轴承、直线电机、直线编码器和集成电缆管理，以提供可靠和准确的定位精度。XY 堆叠的 IDL 运动平台用于自动光学检测系统的优势是显而易见的，有多种行程组合可选。 IDL 工业精密定位平台 CeraMech 碳化硅陶瓷位移台是一种高性价比 XY 位移台，其采用陶瓷结构和机械轴承，无需使用空气轴承导轨即可实现优异的性能。陶瓷平台的刚性和稳定性是铝合金平台的 3 倍。MKS/New......阅读全文
Newport用于晶圆和掩膜检测的运动控制 MKS 提供了多种高性能的、适用于晶圆检测工具和其他运动控制应用的空气轴承位移台 , 经验丰富的 MKS/Newport 应用工程师与 OEM 客户合作，为正在开发的半导体制造过程提供专门的自动化运动控制解决方案，下文描述这些系统中用于提高精度和
芯片切割机是非常精密之设备，其主轴转速约在30,000至 60,000rpm之间，由于晶粒与晶粒之间距很小而且晶粒又相当脆弱，因此精度要求相当高，且必须使用钻石刀刃来进行切割，而且其切割方式系采磨削的方式把晶粒分开。由于系采用磨削的方式进行切割，会产生很多的小粉屑，因此 在切割过程中必须不断地用
半导体晶圆对微污染物的存在非常敏感，为了达成晶圆表面无污染物的目标，必须移除表面的污染物并避免在制程前让污染物重新残余在晶圆表面。因此半导体晶圆在制造过程中，需要经过多次的表面清洗步骤，以去除表面附着的金属离子、原子、有机物及微粒。 目前晶圆清洗技术大致可分为湿式与干式两大类，仍以湿式清洗法为
半导体晶圆由于需经过各种不同流程的处理且需配合工艺设备，因此会被搬运到不同的工作站。为了方便晶圆的搬运且避免受到外力碰撞，会将多个晶圆收纳于晶圆暂存卡匣中。 一般来说，晶圆暂存卡匣内设置有逐层排列的多个插槽可水平容置多个晶圆，且其一侧面具有一开口可供晶圆的载出及载入。再者
预计未来几年，全球晶圆清洁设备市场将以可观的复合年增长率增长。诸如MEMS，PCB，存储设备，IC和半导体晶圆之类的组件是任何电子设备的基本构建块。电子设备的性能主要取决于单独组件的性能。此外，由于这些组件相对较小，杂质会极大地影响其可靠性和性能。微电子清洗在任何电子设备的有效工作中都起着至关重
晶圆切割的目的，主要是要将晶圆上的每一颗晶粒（Die）加以切割分离。首先要将晶圆（Wafer）的背面贴上一层胶带（Wafer Mount），之后再将其送至晶圆切割机加以切割。切割完后，一颗颗的晶粒会井然有序的排列黏贴在胶带上，同时由于框架的支撑可避免晶粒因胶带皱褶而产生碰撞，而有利于搬运过程。此
测量台、曝光台：承载硅片的工作台，也就是本次所说的双工作台。 光束矫正器：矫正光束入射方向，让激光束尽量平行。 能量控制器：控制最终照射到硅片上的能量，曝光不足或过足都会严重影响成像质量。 光束形状设置：设置光束为圆型、环型等不同形状，不同的光束状态有不同的光学特性。 遮光器：在不需要曝
目前，硬脆材料切割技术主要有外圆切割、内圆切割和线铭切割。外圆切割组然操作简便，但据片刚性差，切割过程中锯片易跑偏.导致被切割工们的平行度差:而内圆切割只能进行直线切割.无法进行曲面切割.线锯切割技术具有切缝窄、效率高、切片质量好、可进行曲线切别等优点成为口前广泛采用的切割技术。 内圆切割时晶
去年，英特尔向量子计算的商业化迈出了一小步，拿出了17个量子位超导芯片，随后CEO Brian Krzanich在CES 2018上展示了一个具有49个量子位的测试芯片。与此前在英特尔的量产努力不同，这批最新的晶圆专注于自旋量子位而非超导量子位。这种二次技术仍然落后于超导量子力度，但可能更容易扩
晶圆测试是在半导体器件制造过程中执行的一个步骤。在此步骤中，在将晶圆送至芯片准备之前执行，晶圆上存在的所有单个集成电路都通过对其应用特殊测试模式来测试功能缺陷。晶圆测试由称为晶圆探针器的测试设备执行。晶圆测试过程可以通过多种方式进行引用：晶圆最终测试 (WFT)、电子芯片分类 (EDS) 和电路