其他薄膜沉积设备的薄膜沉积技术分类
薄膜沉积技术可以分为化学气相沉积（CVD）和物理气相沉积（PVD）。对于CVD工艺，这包括原子层沉积（ALD）和等离子体增强化学气相沉积（PECVD）。PVD沉积技术包括溅射，电子束和热蒸发。CVD工艺包括使用等离子体将源材料与一种或多种挥发性前驱物混合以化学相互作用并使源材料分解。该工艺使用较高压力的热量，从而产生了更可再现的薄膜，其中薄膜厚度可以通过时间/功率来控制。这些薄膜的化学计量性更高，密度更高，并且能够生长更高品质的绝缘体薄膜。PVD处理使用通过某种电能气化的固体前驱体金属。然后将气化的原子转移到衬底上。该过程使用石英晶体速率监控器控制膜的速率和厚度来管理厚度。抽气室至较低的液位将减少背景气体与预期的制膜工艺发生化学反应。......阅读全文
其他薄膜沉积设备的薄膜沉积技术分类
薄膜沉积技术可以分为化学气相沉积（CVD）和物理气相沉积（PVD）。对于CVD工艺，这包括原子层沉积（ALD）和等离子体增强化学气相沉积（PECVD）。PVD沉积技术包括溅射，电子束和热蒸发。CVD工艺包括使用等离子体将源材料与一种或多种挥发性前驱物混合以化学相互作用并使源材料分解。该工艺使用较
其他薄膜沉积设备的重要性
沉积是半导体制造工艺中的一个非常重要的技术，其是一连串涉及原子的吸附、吸附原子在表面扩散及在适当的位置下聚结，以渐渐形成薄膜并成长的过程。在一个新晶圆投资建设中，晶圆厂80%的投资用于购买设备。其中，薄膜沉积设备是晶圆制造的核心步骤之一，占据着约25%的比重。
薄膜沉积控制仪的相关知识普及
薄膜沉积控制仪包括反应腔室，还包括至少两套成膜机构，所述至少两套成膜机构分别对应待成膜基板的至少两个成膜区域；每套所述成膜机构配置为在所述反应腔室内形成一种成膜环境，且各套所述成膜机构所形成的成膜环境中至少一项工艺参数不同，以分别在对应的成膜区域形成薄膜性能或薄膜参数不同的薄膜。 薄膜设备
铜上溅射沉积铀薄膜AES研究
在俄歇电子能谱仪超高真空室内,采用离子束溅射沉积方法在多晶Cu上沉积了铀薄膜,采用俄歇电子能谱技术(AES)研究铀薄膜的生长方式,铀、铜的相互作用及退火引起U膜成分结构变化。沉积初期观察到铀与铜发生相互作用,随着铀薄膜厚度的增加,UOPV/CuLMM俄歇跃迁峰强度值变化说明铀薄膜为层状+岛状生长。退
薄膜沉积设备工艺升级 差异化布局加速国产化进程
本篇报告通过对逻辑、存储芯片的微观结构拆分展示了薄膜结构的种类多样性、工艺复杂性以及多款设备相互补充等特性，并从制程推进、多层趋势、工艺迭代等维度论述了薄膜沉积设备行业的成长性。薄膜沉积设备与光刻、刻蚀并列作为IC 前道制造三大主设备之一，全球市场空间超过200 亿美元，当前国产化率不足5%
化学气相沉积法生产几种贵金属薄膜
贵金属薄膜因其有着较好的抗氧化能力、高导电率、强催化活性以及极其稳定引起了研究者的兴趣。和生成贵金属薄膜的其他方式相比，化学气相沉积法有更多技术优势，所以大多数制备贵金属薄膜都会采用这种方式。沉积贵金属薄膜用的沉积员物质种类比较广泛，不过大多是贵金属元素的卤化物和有机化合物，比如COCl2、氯化
微流控芯片加工的薄膜沉积的四种工艺
在加工微流控芯片的同时，需要在基片上沉积各种材料的薄膜。制造加工薄膜的四种方法：氧化氧化是将硅片在氧化环境中加热到900~1100℃的高温，在硅的表面上生长出的一层二氧化硅。根据所用氧化剂的不同，氧化又可分为水汽氧化：水汽氧化的氧化剂是水蒸气干氧氧化：干氧氧化的氧化剂是氧气湿氧氧化：湿氧氧化的氧化剂
肺泡蛋白沉积症的其他辅助检查
（1）X线检查典型X线胸片可见肺门周围细小弥漫性羽毛状浸润阴影，从肺门向肺边缘扩散，呈蝴蝶状，略似肺水肿；或表现为软状低密度的结节状阴影，呈蝶形分布。有时两肺下叶显示浸润性病变，或有些患者开始时呈结节状密度增深影，从两下叶浸润进展为整个大叶实变。病灶之间有代偿性肺气肿或形成小透亮区。纵隔明显增宽
光学薄膜的分类
光学薄膜的分类 光学薄膜是由膜的分层介质构成，通过界面传播光束的一类光学介质材料，它的应用始于20世纪30年代，现在已广泛应用于光学和光电子技术领域，制造各种光学仪器。 传统光学薄膜 传统的光学薄膜是以光的干涉为基础。光波是一种电磁波，根据其波长的不同可分成红外线、可见光和
宁波材料所用共沉积方法获得图案化疏水性可调Ni-P薄膜
液体在固体表面的润湿行为是表面化学研究领域中的一个重要课题。对于固体表面，如果水在其上的接触角(CA)大于150°，那么该表面具有超疏水性能;如果水在其上的接触角(CA)接近0°，那么该表面具有超亲水性质。超疏水表面在实际生活中具有很多方面的用途，如超疏水低粘附表面，水滴的滚落可以将表