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铁电晶体管（FeFET）具有非易失性数据存储、纳秒级的编程/擦除速度、低功耗操作、超长的数据保存时间以及与CMOS工艺兼容等优点，被认为是未来非易失存储器应用的候选器件。在5nm技术节点以下，由于器件栅长（小于18纳米）和铁电薄膜厚度（大约10纳米）相近，基于FinFET和水平环栅晶体管（GAAFET）的FeFET无法进一步微缩，而垂直环栅晶体管（VGAAFET）不受栅长的约束，同时在3D集成和布线上有明显优势，具有大幅增加集成度的潜力，因此更适合5纳米技术节点以下的FeFET结构。 中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心研究员朱慧珑团队利用自主研发的集成工艺，制造出了具有自对准栅极的铁电垂直环栅纳米晶体管（Fe-VSAFET），其中包括栅长为40纳米，沟道厚度为16纳米的纳米片和直径为30纳米的纳米线两类器件。该器件具有小于pA级的漏电，大于107的开关比，100ns级的编程/擦除速度和2.3V的最大存储窗口等优异的......阅读全文
此图是用电子显微镜拍摄，显示了通过量子相位滑移纳米丝链接的两个小型氧化铬电阻器的串联电路。(纳米丝太微小以至于在此尺度无法显示) 2014年12月9日华盛顿--伦敦纳米技术中心的研究者们最近为量子电路制作出了一种新型小巧的高阻电阻器。 这种电阻器推动了量子器材在计算和基础物理
(a)基于垂直于基片生长的纳米线所设计的纳米发电机((VING)。(b)基于平行于基片多行生长的纳米线所设计的纳米发电机(LING)。(c)基于一行平行于基片生长的氧化锌纳米线所组成的纳米发电机。(d)在微小形变下能产生1.2伏输出电压的纳米发电机的光学照片。 继2006年发明纳米发电
9月14日，华中科技大学生命科学与技术创新基地本科生创新团队BIOMOD HUST-China再次传来捷报：团队论文《A DNA Origami Mechanical Device for the Regulation of Microcosmic Structural Rigidity》（可
能源纳米技术，泛指利用纳米材料和纳米尺度的特征效应构筑能源纳米器件，致力于解决可再生能源转化和存储过程中的瓶颈问题，目前已成为一个重要的学科交叉领域。能源纳米器件显著区别于电子器件和光电子器件，其工作机制决定于器件中电子、空穴和离子等载流子的长程传输过程，其传输过程常与化学转化相耦合，并且不同
日前，中科院合肥研究院智能所研究员刘锦淮和黄行九带领课题组，在纳米间隙电极传感器件的研究中取得重要进展。 纳米间隙电极传感器件的突出特点，是可直接将待测物质的某种特性转化为更简洁、更直观的电信号——如电阻、阻抗等，以实现对目标分子的痕量、高灵敏度检测。其中，针对痕量的待测目标分子
如今人们的生活节奏在加快，对电子设备的要求也越来越高。各种新款电子设备都在变着法子表明自己功能更强大、体型更轻薄。然而，电子设备的功能越丰富、性能越强大，意味着这些设备单位体积中容纳的电子元件数目越多；体型越小意味着这些电子元件功能单元的体积越来越小。 就像我们每天都使用的手机，它的中央处理
最近一期微纳米研究领域的国际标志性刊物《纳米尺度》（Nanoscale）上，发表了上海交通大学李寅峰教授课题组有关二维纳米材料晶界的最新研究成果，系统揭示了石墨烯和氮化硼面内杂化结构中晶界的力学、热学特性和机理。图片来源于网络 二维纳米材料具有传统材料无法企及的优异物理化学性能，其性能调控是材
虽然我国目前已经初步实现了硅纳米晶体管、传感器等纳米器件的部分功能，但是离纳米器件的大规模集成还有相当大的距离。 美国斯坦福大学研究人员已经研发出用硅纳米线制成的“纸电池”。 当全世界的科学家一窝蜂地关注碳纳米管时，殊不知，另一种一维纳米材料硅纳米线同样能给人带来意
近日，北京航空航天大学与中国科学院微电子研究所联合成功制备国内首个80纳米自旋转移矩——磁随机存储器芯片（STT-MRAM）器件。 STT-MRAM是一种极具应用潜力的下一代新型存储器解决方案。由于采用了大量的新材料、新结构，加工制备难度极大。当前，美韩日三国在该项技术上全面领先，很有可
在中科院战略性先导B类专项等国家重大项目的支持下，中科院超导电子学卓越创新中心在纳米超导量子干涉器件（nanoSQUID）研究上取得重要进展。中科院上海微系统研究所研究员、超导实验室主任王镇，副研究员陈垒等发明并研制了一种全新的3D nanoSQUID器件，相关研究成果日前发表于《纳米通讯》。