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1、转荷型负离子源 利用正离子束转荷产生负离子的装置。正离子束与固体物质表面相互作用，或通过气体靶俘获电子就能转化成负离子束。正离子束可以由小型双等离子体离子源提供。如果采用高频离子源，只要把引出电极的孔道加长，就能得到负离子束。 2、溅射型负离子源 用正离子束去轰击工作物质，就能得到该种物质的负离子。若用铯离子束去溅射周期表第Ⅳ族以后电子亲合力较大的元素，可以得到该元素微安级的负离子束流。若使氢或氩离子束通过一个充有气态工作物质的孔道，就能得到数微安的该物质负离子束流。 离子源技术还在不断地发展着。环形双等离子体离子源大型双彭源已可提供百安级的氢正离子流磁控管型负离子源已得到安培级的氢负离子束。一些小型离子源，则具有低能散、低功耗、低气耗、长寿命等特色。在产生多电荷重离子束的实验装置（如电子回旋共振离子源、电子束离子源）中，都已得到电荷态很高的重离子。这些新型装置已逐渐被回旋加速器所采用。而能产生高温等离子体的利用......阅读全文
1、转荷型负离子源 利用正离子束转荷产生负离子的装置。正离子束与固体物质表面相互作用，或通过气体靶俘获电子就能转化成负离子束。正离子束可以由小型双等离子体离子源提供。如果采用高频离子源，只要把引出电极的孔道加长，就能得到负离子束。 2、溅射型负离子源 用正离子束去轰击工作物质，就能得到该种
这种类型形成过程的特点是，到达基片上的原子首先凝聚成核，后续飞来的原子不断集聚在核的附近使核在三维方向不断成长，最终形成薄膜。大部分薄膜的形成过程都属于这种类型。核生长型的薄膜其生长过程可以分为如下四个阶段。 (l)成核阶段碰撞到基片上的原子，其中一部分与基片原子交换的能量很少，仍具有相
这种生长类型的特点是，蒸发原子首先在基片表面以单原子层的形式均匀地翟盖一层，然后再在三维方向上生长更多的层。这种生长方式多数发生在基片原子与蒸发原子间的结合能接近于蒸发原子间的结合能的情况下。层生长型的过程大致如下:入射到基片表面的原子，经过表面扩散并与其它原子碰撞后形成二维的核，二维核捕捉周
在基体和薄膜原子相互作用特别强的情况下，才容易出现层核生长型。首先在基片表面生长1-2层单原子层，这种二维结构强烈地受基片晶格的影响，晶格常数有较大的畸变。然后再在这原子层上吸附入射原子，并以核生长方式生成小岛，最终形成薄膜。
离子源（英文名称：Ion source）是使中性原子或分子电离，并从中引出离子束流的装置。它是各种类型的离子加速器、质谱仪、电磁同位素分离器、离子注入机、离子束刻蚀装置、离子推进器以及受控聚变装置中的中性束注入器等设备的不可缺少的部件。 气体放电、电子束对气体原子(或分子)的碰撞，带电粒子束使
磁控溅射是物理气相沉积（Physical Vapor Deposition，PVD）的一种。一般的溅射法可被用于制备金属、半导体、绝缘体等多材料，且具有设备简单、易于控制、镀膜面积大和附着力强等优点，而上世纪 70 年代发展起来的磁控溅射法更是实现了高速、低温、低损伤。因为是在低气压下进行高速溅
磁控溅射包括很多种类。各有不同工作原理和应用对象。但有一共同点：利用磁场与电场交互作用，使电子在靶表面附近成螺旋状运行，从而增大电子撞击氩气产生离子的概率。所产生的离子在电场作用下撞向靶面从而溅射出靶材。 靶源分平衡和非平衡式，平衡式靶源镀膜均匀，非平衡式靶源镀膜膜层和基体结合力强。平衡靶源多
FT-FY4型多功用负氧离子检测仪 特色：移动丈量|即开即测|读数直观|操作简略|超长待机 产品简介： FT-FY4型多功用负氧离子检测仪是一款高精度、专业型空气负离子、甲醛、pm2.5、pm10、空气温湿度检测分析仪器。选用圆筒电容结构负(氧)离子捕获机制，将大气中所含有负
磁控溅射的工作原理是指电子在电场E的作用下，在飞向基片过程中与氩原子发生碰撞，使其电离产生出Ar正离子和新的电子；新电子飞向基片，Ar离子在电场作用下加速飞向阴极靶，并以高能量轰击靶表面，使靶材发生溅射。在溅射粒子中，中性的靶原子或分子沉积在基片上形成薄膜，而产生的二次电子会受到电场和磁场作用，
如果你的父母一方有 cis－AB 基因，那么AB 型和 B 型能生出 O 型，这就是有可能的。几率大约在 1/580000 － 1/170000 之间。 对于大多数人，针对血型的，负责指导合成 A 抗原（Ia 基因），B 抗原（Ib 基因），或者不合成抗原（I 基因）的基因显示为在染色体（9