《国家科学评论》：金属所发展出光控二极管
未来集成电路的发展呈现出多元化发展趋势，其中，光电芯片可实现光传输及信息处理功能，通过与现代电子芯片技术的底层融合，支撑未来大容量、低功耗、集成化与智能化信息芯片技术的发展需求。二极管作为重要的基本电学元件，在集成电路、大功率驱动、光学成像等领域颇具应用价值，其结构和功能十分丰富（图1）。 光电探测器是一类通过电信号探测光信号的重要半导体器件，包括光电二极管、光电晶体管和光电导等。尽管光电探测器种类繁多，但光电探测器的信号状态在光照前后可归纳为全关态（0,0）、全开态（1,1）以及整流态（0,1）或（1,0）三类（图2）。已往的光电探测器可以实现两种状态的相互转换，以光电二极管为代表的器件实现由整流态向全开态转换，以及以光电导和光电晶体管为代表的器件实现由全关态向全开态转换。从图中的电学行为的完备性出发，理论上应存在一类由全关态向整流态转换的新型器件。 近日，中国科学院金属研究所提出了一种光控二极管，通过异质结的设计与构......阅读全文
金属所发展出光控二极管
未来集成电路的发展呈现出多元化发展趋势，其中，光电芯片可实现光传输及信息处理功能，通过与现代电子芯片技术的底层融合，支撑未来大容量、低功耗、集成化与智能化信息芯片技术的发展需求。二极管作为重要的基本电学元件，在集成电路、大功率驱动、光学成像等领域颇具应用价值，其结构和功能十分丰富（图1）。 光电
可以处理新信号的光控二极管问世
近日，中国科学院金属研究所科研团队发明了一种具有新信号处理行为的光控二极管，相关研究成果在线发表于《国家科学评论》（National Science Review）。 未来集成电路的发展将呈现出多元化发展趋势，其中光电芯片可实现光传输及信息处理功能。通过与现代电子芯片技术的底层融合，支撑未来大
《国家科学评论》：金属所发展出光控二极管
未来集成电路的发展呈现出多元化发展趋势，其中，光电芯片可实现光传输及信息处理功能，通过与现代电子芯片技术的底层融合，支撑未来大容量、低功耗、集成化与智能化信息芯片技术的发展需求。二极管作为重要的基本电学元件，在集成电路、大功率驱动、光学成像等领域颇具应用价值，其结构和功能十分丰富（图1）。 光
光电探测器简介
光电探测器的原理是由辐射引起被照射材料电导率发生改变。光电探测器在军事和国民经济的各个领域有广泛用途。在可见光或近红外波段主要用于射线测量和探测、工业自动控制、光度计量等；在红外波段主要用于导弹制导、红外热成像、红外遥感等方面。光电导体的另一应用是用它做摄像管靶面。为了避免光生载流子扩散引起图像
光电探测器工作原理
看了半天。原来你说的就是同一个东西纯度更高（纯度决定着他可以接收更少的光子而获得电流，即可以感应更加敏锐），即灵敏度更高的 太阳能电池（即光子伏特电池）就是光电探测器的核心部分。他使用光电池产生的电能，经过放大后，计算，然后得到数值事实上PN结之所以产生，就是在高纯度硅上（单晶硅最容易）加入一些杂质
光电探测器工作原理
看了半天。原来你说的就是同一个东西纯度更高（纯度决定着他可以接收更少的光子而获得电流，即可以感应更加敏锐），即灵敏度更高的 太阳能电池（即光子伏特电池）就是光电探测器的核心部分。他使用光电池产生的电能，经过放大后，计算，然后得到数值事实上PN结之所以产生，就是在高纯度硅上（单晶硅最容易）加入一些杂质
光电探测器工作原理
看了半天。原来你说的就是同一个东西纯度更高（纯度决定着他可以接收更少的光子而获得电流，即可以感应更加敏锐），即灵敏度更高的 太阳能电池（即光子伏特电池）就是光电探测器的核心部分。他使用光电池产生的电能，经过放大后，计算，然后得到数值事实上PN结之所以产生，就是在高纯度硅上（单晶硅最容易）加入一些杂质
光电探测器的分类
光电探测器能把光信号转换为电信号。根据器件对辐射响应的方式不同或者说器件工作的机理不同，光电探测器可分为两大类：一类是光子探测器；另一类是热探测器。
什么是光电探测器
电导探测器photoconductive detector利用半导体材料的光电导效应制成的一种光探测器件。所谓光电导效应，是指由辐射引起被照射材料电导率改变的一种物理现象。光电导探测器在军事和国民经济的各个领域有广泛用途。在可见光或近红外波段主要用于射线测量和探测、工业自动控制、光度计量等；在红外波
光电探测器工作原理
纯度更高（纯度决定着他可以接收更少的光子而获得电流，即可以感应更加敏锐），即灵敏度更高的 太阳能电池（即光子伏特电池）就是光电探测器的核心部分。他使用光电池产生的电能，经过放大后，计算，然后得到数值事实上PN结之所以产生，就是在高纯度硅上（单晶硅最容易）加入一些杂质（即其他的材料，比如 锗 等）然后
光电探测器的概述
光电探测器在光通信系统中实现将光转变成电的作用，这主要是基于半导体材料的光生伏特效应，所谓的光生伏特效应是指光照使不均匀半导体或半导体与金属结合的不同部位之间产生电位差的现象。(光电导效应是指在光线作用下，电子吸收光子能量从键合状态过度到自由状态，而引起材料电导率的变化的象。即当光照射到光电导体
alphalas－光电探测器介绍
alphalas 光电探测器属于光线传感器的一种，它常用于摄像头和其他成像设备中。它们可以感知称为“光子”的基本粒子的图案，并通过这些图案创造出图像。不同的alphalas 光电探测器用于感知光谱的不同部分。例如，夜视眼镜中使用的光电探测器就是用于感知肉眼不可见的热辐射。还有一些光电探测
什么是光电探测器
电导探测器photoconductive detector利用半导体材料的光电导效应制成的一种光探测器件。所谓光电导效应，是指由辐射引起被照射材料电导率改变的一种物理现象。光电导探测器在军事和国民经济的各个领域有广泛用途。在可见光或近红外波段主要用于射线测量和探测、工业自动控制、光度计量等；在红外波
光电探测器的分类
光电探测器是指利用辐射引起被照射材料电导率改变的物理现象的原理而制成的器件，其在军事和国民经济的各个领域有广泛用途。 光电探测器的分类： 光电探测器分为光电二极管、雪崩光电管、四象限探测器、位敏探测器、波长感应探测器。 1、 光电二极管（PIN）：应用于一般通用场合。针对特殊应
邦纳光电传感器的工作原理
光电开关是传感器的一种，它把发射端和接收端之间光的强弱变化转化为电流的变化以达到探测的目的。由于光电开关输出回路和输入回路是电隔离的（即电缘绝），所以它可以在许多场合得到应用。 光电开关 采用集成电路技术和SMT表面安装工艺而制造的新一代光电开关器件，具有延时、展宽、外同步、抗相
基于光电导效应，我国实现光控可重构太赫兹超表面
近期，中国科学院上海光学精密机械研究所信息光学与光电技术实验室研究员司徒国海课题组与首都师范大学物理系教授张岩课题组合作提出可重构的太赫兹超表面实施方案。该技术方案在太赫兹波段实现了任意、快速、精准的波前调制，为可重构超表面的发展提供了新的思路和实验验证。相关成果已发表在Advanced Opt
使用快速太赫兹量子阱光电探测器的太赫兹光检测（二）
ResultsBefore demonstrating the fast terahertz detection, we first characterize the electrical and optical performances of the terahertz QWP. The
使用快速太赫兹量子阱光电探测器的太赫兹光检测（三）
DiscussionIn this work we demonstrate that the fast terahertz QWP detector is capable of responding 6.2 GHz modulated terahertz light. We should
《先进材料》高效近红外光探测器助力光电容积脉搏检测
近红外光通常指750 nm至1400 nm的电磁波。其在电磁辐射光谱中紧邻可见光的红光波段，属于短波长的一段红外线。虽然看不见、摸不着，但近红外探测在许多技术中都有着重要作用。例如，自动化控制、夜视监控、生物荧光显影、红外线摄影等都需要高效的红外光探测器。近红外光探测器通常依赖于单晶硅、锗、硒化
使用快速太赫兹量子阱光电探测器的太赫兹光检测（一）
6.2-GHz modulated terahertz light detection using fast terahertz quantum well photodetectorsHua Li,1 Wen-Jian Wan,1 Zhi-Yong Tan,1 Zhang-Long Fu,1 Hai
使用快速太赫兹量子阱光电探测器的太赫兹光检测（四）
MethodsSample growth and device fabricationThe QWP is based on the one single photon design and the core region consists of 30-period AlGaAs/GaAs
光电二极管的制作材料
用于制作光电二极管的材料对于产品属性至关重要，因为只有具备充足能量光子能够激发电子穿过能隙，从而产生显著的光电流。 由于硅光电二极管具有更大的能隙，因此它在应用过程中产生的信号噪声比锗光电二极管小。 下表包括了用于制造光电二极管的常见材料：
光电二极管简介和原理
光电二极管（Photo-Diode）和普通二极管一样，也是由一个PN结组成的半导体器件，也具有单方向导电特性。但在电路中它不是作整流元件，而是把光信号转换成电信号的光电传感器件。 原理 普通二极管在反向电压作用时处于截止状态，只能流过微弱的反向电流，光电二极管在设计和制作时尽量使PN结的面积
光电二极管性能参数
光电二极管性能参数 参数符号测试值最小典型最大单位暗电流IDVR = 10V28nA分流电阻RSHVR = 10mV100MΩ结电容CJVR = 0V, f=100kHzVR = 50V, f=100kHz60.670.7pF光谱范围λrangeSpot scan4001100nm击穿电压VBRI
光电二极管的工作原理
光电二极管是将光信号变成电信号的半导体器件。它的核心部分也是一个PN结，和普通二极管相比，在结构上不同的是，为了便于接受入射光照，PN结面积尽量做的大一些，电极面积尽量小些，而且PN结的结深很浅，一般小于1微米。 光电二极管是在反向电压作用之下工作的。没有光照时，反向电流很小（一般小于0.1微
光电二极管的检测方法
①电阻测量法 用万用表1k挡。光电二极管正向电阻约10MΩ左右。在无光照情况下，反向电阻为∞时，这管子是好的(反向电阻不是∞时说明漏电流大)；有光照时，反向电阻随光照强度增加而减小，阻值可达到几kΩ或1kΩ以下，则管子是好的；若反向电阻都是∞或为零，则管子是坏的。 ②电压测量法 用万用表1
介绍光电二极管的应用
所有类型的光传感器都可以用来检测突发的光照，或者探测同一电路系统内部的发光。光电二极管常常和发光器件（通常是发光二极管）被合并在一起组成一个模块，这个模块常被称为光电耦合元件。如果这样就能通过分析接收到光照的情况来分析外部机械元件的运动情况（例如光斩波器）。光电二极管另外一个作用就是在模拟电路以
光电探测器的原理和性能分析
光电探测器是指由辐射引起被照射材料电导率改变的一种物理现象。光电探测器在军事和国民经济的各个领域有广泛用途。 光电探测器的工作原理： 光电探测器是把光辐射能量转换成立一种便于测量的物理量的器件。大多数光探测器都是把光辐射量转换成电量来实现对光辐射的探测的。光电探测器是光功率计的核心器件,其性能直接影
如何使用光电二极管检测到光电流
普通二极管在反向电压作用时处于截止状态，只能流过微弱的反向电流，光电二极管在设计和制作时尽量使PN结的面积相对较大，以便接收入射光。光电二极管是在反向电压作用下工作的，没有光照时，反向电流极其微弱，叫暗电流；有光照时，反向电流迅速增大到几十微安，光电流就是这么检测的。
光探测器简介
又名“光检测器”，是光接收机的首要部分，光探测器是光纤传感器构成的一个重要部分，它的性能指标将直接影响传感器的性能。能检测出入射到其面上的光功率，并把这个光功率的变化转化为相应的电流。由于光信号在光纤中有损耗和失真所以对光探测器的性能要求很高。其中最重要的要求是在所用的光源的波长范围内有较高的灵