集微咨询发布中国半导体去胶设备白皮书
一、产业基本概念光刻胶作为掩膜材料在半导体加工工艺中起到了图形复制和传递的作用，而一旦刻蚀工艺（或者其他工艺）完成，光刻胶的使命也就完成，必须将其完全清除干净，这一工序就是去胶。二、设备分类与产业链情况去胶分为湿法去胶和干法去胶。1．湿法去胶湿法去胶是将带有光刻胶的晶圆片浸泡在适当的有机溶剂中溶解或者分解光刻胶，将晶圆表面的光刻胶去除。在湿法刻蚀前，光刻胶的表面都经过了表面加固处理，这使得光刻胶在大部分去胶液中都不溶解或者很难完全溶解。这种情况下，在进行湿法去胶前还需要用等离子体去掉最上面的一层胶。湿法去胶的主要缺点是去胶周期长，容易引进无机杂质，并且操作麻烦。2．干法去胶干法去胶主要是等离子去胶，通常采用等离子体氧化或分解等方式去除光刻胶。等离子去胶机是广泛应用于去胶的设备。去胶机通过氧原子和光刻胶在等离子体环境中发生反应来去除光刻胶。光刻胶的基本成分是碳氢聚合物，氧原子可以很快地和光刻胶反应生成一氧化碳、二氧化碳和水等，这些......阅读全文
集微咨询发布中国半导体去胶设备白皮书
一、产业基本概念光刻胶作为掩膜材料在半导体加工工艺中起到了图形复制和传递的作用，而一旦刻蚀工艺（或者其他工艺）完成，光刻胶的使命也就完成，必须将其完全清除干净，这一工序就是去胶。二、设备分类与产业链情况去胶分为湿法去胶和干法去胶。1．湿法去胶湿法去胶是将带有光刻胶的晶圆片浸泡在适当的有机溶剂中溶解或
半导体展/2024深圳国际半导体光刻胶展览会
深圳电子元器件展，电子仪器仪表展，深圳电子仪器仪表展，电子元器件展，深圳电子设备展，电子设备展，电子元器件展览会，电子仪器展，深圳电子仪器展，电仪器展览会，深圳继电器展，深圳电容器展，深圳连接器展，深圳集成电路展2024中国（深圳）国际半导体与封装设备展览会2024 China (Shenzhen)
《入口》半导体展/2024深圳国际半导体光刻胶展览会
深圳电子元器件展，电子仪器仪表展，深圳电子仪器仪表展，电子元器件展，深圳电子设备展，电子设备展，电子元器件展览会，电子仪器展，深圳电子仪器展，电仪器展览会，深圳继电器展，深圳电容器展，深圳连接器展，深圳集成电路展2024中国（深圳）国际半导体与封装设备展览会2024 China (Shenzhen)
活微丝蚴浓集检测
在离心管内加蒸馏水半管，加外周血10～12 滴，再加生理盐水混匀，离心（每分钟3000 rpm）沉淀3 分钟，取沉渣镜检。或取静脉血1 ml，置于盛有3.8%枸橼酸钠0.1 ml的试管中，摇匀，加水9 ml，待红细胞溶化后，再离心2 分钟，倒去上清液，加水再离心，取沉渣镜检。根据微丝蚴活动规
一文读懂半导体制程技术进步的“燃料”——光刻胶
一文读懂半导体制程技术进步的“燃料”——光刻胶 光刻胶又称光致抗蚀剂，是一种对光敏感的混合液体。其组成部分包括：光引发剂（包括光增感剂、光致产酸剂）、光刻胶树脂、单体、溶剂和其他助剂。光刻胶可以通过光化学反应，经曝光、显影等光刻工序将所需要的微细图形从光罩（掩模版）转移到待加工基片上。依据
2024北京光刻胶展|2024第21届北京半导体展览会
2024第二十一届中国国际半导体博览会（IC China）时 间：2024 年 9 月 5 一 7 日地 点：中国·北京 · 北人亦创国际会展中心参展咨询：021-5416 3212大会负责人：李经理 136 5198 3978（同微）（IC China）自2003年起已连续成功举办二十届，是我国半
活微丝蚴浓集检测实验
实验步骤在离心管内加蒸馏水半管，加外周血10～12 滴，再加生理盐水混匀，离心（每分钟3000 rpm）沉淀3 分钟，取沉渣镜检。或取静脉血1 ml，置于盛有3.8%枸橼酸钠0.1 ml的试管中，摇匀，加水9 ml，待红细胞溶化后，再离心2 分钟，倒去上清液，加水再离心，取沉渣镜检。 根据微丝蚴活动
光刻胶软烘
软烘的目的是去掉光刻胶中的溶剂、增强光刻胶的粘附性、释放旋转涂胶产生的内应力、改善线宽控制、防止光刻胶粘附到其他器件上。软烘在真空热板上进行，软烘设备工作原理如图2.17所示，硅片放在真空热板上，热量从硅片背面通过热传导方式加热光刻胶。一般软烘温度为85~120℃，时间为30~60S。软烘后将硅片转
「官网」2024深圳12届国际光刻胶及其配套试剂展「半导体展会」
「官网」2024深圳12届国际半导体技术展「半导体展会」展会时间：2024年4月9日-11日论坛时间：2024年4月9日-11日举办地点：深圳福田会展中心 (深圳市福田中心区福华三路)展会规模： 面积10万平米，展商1800余家，展位3600多个，观众近10万人次展会报名：136 （李先生）中间四位
2024上海半导体展|2024集成电路展|2024功率半导体展
展会名称：2024中国（上海）国际半导体展览会英文名称：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展会时间：2024年11月18-20日 论坛时间：2024年11月18-19日 展会地点：上海新国际
2024上海半导体展|2024集成电路展|2024功率半导体展|
展会名称：2024中国（上海）国际半导体展览会英文名称：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展会时间：2024年11月18-20日 论坛时间：2024年11月18-19日 展会地点：上海新国际
2024上海光刻胶展「2024中国大型光刻胶博览会」
展会名称：2024中国（上海）国际半导体展览会英文名称：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展会时间：2024年11月18-20日 论坛时间：2024年11月18-19日 展会地点：上海新国际
半导体企业落户香港，助力打造“智能微工厂”
4月18日，香港生产力促进局与晋达半导体有限公司签署合作备忘录，承诺在推广香港半导体行业相关技术的开发及应用、技术人才培训等领域展开合作，充分发挥各自优势实践新型工业化，进一步强化香港先进制造业产业链，全面提升香港智能微电子制造品牌实力和高质量发展。 生产力局自去年起已协助晋达半导体进行生产技术规
日本光刻胶大厂计划提价－增幅约10％20％
据韩媒《The Elec》报道，业内人士透露，日本住友化学子公司东友精密化学（Dongwoo Fine-Chem）向韩国半导体企业表示，由于原材料和劳动力成本上涨，拟提高氟化氪（KrF）和L线光刻胶价格，增幅因产品而异，约为10%-20%。 光刻胶是半导体制作的关键材料，能够利用光化学反应，经
AMAT推出新型CDSEM产品，专用于EUV光刻工艺测量
美国东部时间，2月28日，应用材料公司推出了一款新型电子束测量系统，专门设计用于精确测量采用EUV和新兴高数值孔径EUV光刻技术的半导体器件特征的关键尺寸。芯片制造商使用CD-SEM（特征尺寸测量用扫描电子显微镜）在光刻扫描仪将其从掩模转移到光刻胶后对图案进行亚纳米级测量。这些测量持续校准光刻工艺性
微流控技术原理及发展史（一）
微型化、集成化和智能化，是现代科技发展的一个重要趋势。伴随着微机电加工系统（ MEMS ）技术的发展，电子计算机已由当年的”庞然大物”演变成由一个个微小的电路集成芯片组成的便携系统，甚至是一部微型的智能手机。MEMS技术全称Micro Electromechanical System ， MEM
七大芯片材料超全解析来袭，带您进一步了解半导体材料
材料和设备是半导体产业的基石，一代技术依赖于一代工艺，一代工艺依赖一代材料和设备来实现。 半导体材料处于整个半导体产业链的上游环节，对半导体产业发展起着重要支撑作用，具有产业规模大、细分行业多、技术门槛高、研发投入大、研发周期长等特点。 半导体材料行业又因其具有极大的附加值和特有的产业生态支
8219万元预算！电子科技大学2022年45月仪器采购意向盘点
电子科技大学近日在中国政府采购网发布2022年4-5月仪器采购意向，拟采购21台（套）仪器设备及仪器零部件，总采购预算金额8219万元。其中4月拟采购4台（套），采购预算金额约284万；5月拟采购17台（套），采购预算金额约7936万元。从本次采购的仪器类型上看，主要以光学仪器和电子工业专用生产设备
高精度掩膜对准光刻机
高精度掩膜对准光刻机是一种用于农学、生物学、化学、物理学领域的分析仪器，于2017年11月7日启用。 技术指标 支持4英寸晶圆；曝光波长：350-450nm；曝光灯功率：350W；分辨率：优于0.8mm（光刻胶厚度1微米时）；套刻精度：0.5mm；光强均匀度：优于±2％；更换汞灯后及汞灯全寿
我国科研团队完成一种新型光刻胶技术初步验证
4月2日，记者从华中科技大学获悉，该校与湖北九峰山实验室组成联合研究团队，突破“双非离子型光酸协同增强响应的化学放大光刻胶”技术。相关成果日前发表在《化学工程杂志》上。据介绍，这一具有自主知识产权的光刻胶体系已在生产线上完成了初步工艺验证，并同步完成了各项技术指标的检测优化，实现了从技术开发到成果转
通富微电与富士通半导体建研发中心
今日，通富微电披露，公司拟与关联公司富士通半导体株式会社(简称“富士通半导体”)合作，建立研发平台，利用半导体产业快速发展的机遇加快先进封装技术成果的转化及产业化。 据悉，研发中心设在公司，研发中心主任由公司董事长石明达担任，两名副主任分别由双方各推荐一名担任，富士通半导体将委派3-
美国JPL介绍内容：太赫兹半导体及微加工工艺进展
在太赫兹高性能平面肖特基二极管的设计能力和制造工艺方面，美国弗吉尼亚二极管公司（VDI）首屈一指，它有着几十年的产品设计经验和一流的工艺生产线。其次是美国航空航天局（NASA）下属的喷气推进实验室（JPL）。在欧洲，德国的达姆施塔特技术大学和英国的卢瑟福国家实验室（RAL）也在进行平面肖特基二极管的
陶氏化学工厂爆炸－牵动半导体关键耗材生产
陶氏化学美国路州厂在美国时间7月15日传出爆炸起火事件，虽无人伤亡，惟该厂生产光刻胶、抛光垫／液等半导体关键耗材，主要供成熟制程晶圆制造使用，牵动业界神经，联电、世界、力积电等中国台湾晶圆代工成熟制程相关厂商密切关注后续发展，目前均评估不影响生产。 陶氏化学为全球半导体关键化学材料重要供应商，
岛津助力关键材料国产替代化——材料研发中的测试方法
新材料是全球科技竞争的关键领域，也是国家竞争力的重要体现。然而，我国材料强国之路任重而道远。研发生产关键新材料实现国产替代对我国产业链和供应链安全具有重要意义。国家“十四五”规划明确提出深入实施制造强国战略，并对高端新材料的发展做出明确部署：推动高端稀土功能材料、高性能陶瓷等先进金属和无机非金属材料
岛津助力关键材料国产替代化——材料研发中的测试方法
新材料是全球科技竞争的关键领域，也是国家竞争力的重要体现。然而，我国材料强国之路任重而道远。研发生产关键新材料实现国产替代对我国产业链和供应链安全具有重要意义。国家“十四五”规划明确提出深入实施制造强国战略，并对高端新材料的发展做出明确部署：推动高端稀土功能材料、高性能陶瓷等先进金属和无机非金属材料
等离子体/化学刻蚀设备中刻蚀的解释
刻蚀，英文为Etch，它是半导体制造工艺，微电子IC制造工艺以及微纳制造工艺中的一种相当重要的步骤。是与光刻 [1] 相联系的图形化（pattern）处理的一种主要工艺。所谓刻蚀，实际上狭义理解就是光刻腐蚀，先通过光刻将光刻胶进行光刻曝光处理，然后通过其它方式实现腐蚀处理掉所需除去的部分。刻蚀是
集成电路关键技术迎来黄金发展期
研讨会现场（主办方供图）8月23日，集成电路关键技术研讨会在北京举办。与会专家围绕着我国集成电路产业链条中的光刻机、软硬件质量保障等集成电路关键技术问题进行了研讨交流，以促进国内集成电路行业发展。“未来十年，集成电路关键技术迎来黄金发展期，机遇和挑战并存。”此次研讨会主持人、中国科学院自动化研究所高
三维微纳加工领域迎来精妙“冰刻”术
在-130℃附近的真空中，水蒸气会凝华成一层超级光滑的薄冰。近日，浙江大学科研人员用这种特殊的“冰”代替传统电子束曝光中的光刻胶，做出了微纳尺度的三维金属结构。这一新颖、简便的“冰刻”术有望在三维微纳加工中大显身手。 据了解，当前最常用的微纳加工方案为电子束曝光技术，简称“光刻”。实际操作中光
集菌仪
集菌仪是集菌培养器的配套使用仪器，通过集菌仪的定向蠕动加压作用，供试品被过滤并在滤器内进行培养，以检验供试品是否含菌。
“弹出式”三维成型技术－可制备微纳米半导体器件
见过一打开便有小房子或城堡立起来的那种立体书吧。受这种儿童玩具书的启发，中国、美国、韩国研究人员开发出一种特别简单的“弹出式”三维成型技术，可制备现有3D打印技术无法实现的微纳米半导体器件。 这项成果发表在新一期美国《科学》杂志上。研究负责人之一、美国西北大学研究助理教授张一慧对新华社记者说，