理化学研究所在硅量子点寿命研究上获得突破
日本理化学研究所的物理学家开发了一个优化半导体纳米设备的理论模型，证明了精心设计的量子点可以创造出抗电噪声的强大的硅空旋量子比特。这项研究对于理解去噪和设计大规模量子计算机至关重要。 理化学研究所三位物理学家开发的用于优化半导体纳米器件的理论模型将有助于扩大量子硬件的规模。 被困在半导体设备中的电子为未来的量子计算机提供了一个很有前途的构建模块。电子有一种被称为自旋的特性，当被测量时，它以两种状态之一存在，就像传统计算中使用的二进制信息，或比特。但由于其量子性质，自旋可以存在于两种状态的叠加中。这些量子比特，或称量子比特，是量子信息处理的核心。 彼得-斯塔诺和两位同事为优化基于硅量子点的自旋量子比特的设计开发了一个理论模型。 电子或其带正电的对应物，即空穴，可以被隔离在被称为量子点的微小半导体块中。但电子和空穴的自旋只能在有限的时间内保持其量子状态。来自自旋环境的干扰，或噪音，可以改变自旋状态。理化学研究所新兴物质科......阅读全文
半导体所硅量子点发光机制研究取得新成果
延续了半个多世纪的摩尔定律预计将在2020年左右失效，硅基光电集成技术有望接替微电子成为未来信息技术的基石，但硅基光电子集成技术的实用化面临缺少硅基片上光源这一最后障碍。因此，硅基片上光源是当前半导体技术皇冠上的明珠，其研制成功将引领整个硅基光电子集成技术的重大变革。硅光电集成技术处于前沿探索阶
半导体所硅量子点发光机制研究取得新成果
延续了半个多世纪的摩尔定律预计将在2020年左右失效，硅基光电集成技术有望接替微电子成为未来信息技术的基石，但硅基光电子集成技术的实用化面临缺少硅基片上光源这一最后障碍。因此，硅基片上光源是当前半导体技术皇冠上的明珠，其研制成功将引领整个硅基光电子集成技术的重大变革。硅光电集成技术处于前沿探索阶
为量子计算开路 半导体纳米设备还能这么用
日本理化学研究所（理研）近日宣布，利用由广泛用于工业领域的天然硅制成的半导体纳米设备，实现了具有量子计算所必需的高精度的“量子比特”(qubit)。由于可以使用现有的半导体集成化技术安装量子比特元件，因此，这次的成果将是实现大规模量子计算机的重要一步。 本次研究中使用的样本的电子显微镜
复合半导体纳米线成功整合在硅晶圆上
据美国物理学家组织网11月9日报道，美国科学家开发出一种新技术，首次成功地将复合半导体纳米线整合在硅晶圆上，攻克了用这种半导体制造太阳能电池会遇到的晶格错位这一关键挑战。他们表示，这些细小的纳米线有望带来优质高效且廉价的太阳能电池和其他电子设备。相关研究发表在《纳米快报》杂志上。 III—
硅纳米晶体管展现出强量子限制效应
据美国物理学家组织网3月21日报道，美国得克萨斯大学的一个研究小组用非常细的纳米线制造出一种晶体管，表现出明显的量子限制效应，纳米线的直径越小，电流越强。该技术有望在生物感测、集成电路缩微制造方面发挥重要作用。相关研究发表在最近出版的《纳米快报》上。 实验中，他们用平版
中国科研团队实现硅基半导体自旋量子比特的超快操控
记者13日从中国科学技术大学郭光灿院士团队获悉，该科研团队实现硅基半导体自旋量子比特的超快操控，其自旋翻转速率超过540MHz，是目前国际上已报道的最高值。研究成果11日在线发表在国际知名期刊《自然·通讯》上。 量子计算在原理上可通过特定算法，在一些具有重大社会和经济价值的问题方面获得比经典计
硅元素半导体的应用介绍
硅以其优越的物理性质、成熟而较为容易的制备方法以及地球上丰富的资源而成为当前应用最为广泛的元素半导体。硅在地壳中的资源含量约为27%，因而自20世纪50年代末起，随着提纯和晶体生长技术以及硅平面工艺的发展，硅很快就在半导体工业中取代了锗的位置。到目前为止，二极管、晶体管和集成电路的制造，仍然是半导体
高分辨场发射俄歇电子探针研究纳米锗硅量子点结构
纳米结构单体组分分布的研究对基础研究及应用探索具有非常重要的意义。应用高分辨场发射俄歇电子能谱和扫描电子束对在550℃和640℃生长温度下分别沉积在硅单晶衬底上的纳米锗硅量子点结构的形貌和表面组分分布进行观察,结果表明:表层分布元素不是纯锗、硅或均匀单一的锗硅合金,而是不均匀分布的锗硅混合物。纳米结
特殊材料取代硅造出半导体薄膜
美国麻省理工学院（MIT）工程师最近开发出一种新技术，他们用一批特殊材料取代硅，制造出了超薄的半导体薄膜。新技术为科学家提供了一种制造柔性电子器件的低成本方案，且得到的电子器件的性能将优于现有硅基设备，有望在未来的智慧城市中“大展拳脚”。 如今，绝大多数计算设备都由硅制成，硅是地球上含量第二丰
英特尔测试完成以现有硅基半导体制程生产量子运算芯片
近日，处理器龙头英特尔实验室和组件研究组织在2022年硅量子电子研讨会表示，实验室和零部件研究部门已展示硅自旋量子运算设备的业界最高产量规格和一致性。英特尔成功以现有硅基半导体制程生产量子运算芯片，且良率达到了95%。这一成就代表了在英特尔晶体管制造工艺上扩展和制造量子芯片的一个重要里程碑。 英特尔
4.16电子伏特！新型硅带隙创世界纪录
美国东北大学科学家主导的国际科研团队发现了一种新形式的高密度硅，并开发出一种新型可扩展的无催化剂蚀刻技术，能将这种硅制成直径为2—5纳米的超窄硅纳米线。这一成果发表于最新一期《自然·通讯》杂志，有望给半导体行业带来革命性变化，还有望应用于量子计算等领域。 十年前，东北大学研究人员在实验中发现了
美首次制造出不使用半导体的晶体管
据美国每日科学网站6月21日报道，美国科学家首次利用纳米尺度的绝缘体氮化硼以及金量子点，实现量子隧穿效应，制造出了没有半导体的晶体管。该成果有望开启新的电子设备时代。 几十年来，电子设备变得越来越小，科学家们现已能将数百万个半导体集成在单个硅芯片上。该研究的领导者、密歇根理工大学的物理学家
硅纳米管：自组生长新纳米材料
湖南大学博士生导师唐元洪教授课题组率先合成自组生长的硅纳米管，标志着我国在纳米材料研究方面取得重大突破。 自组生长的硅纳米管是在一定条件下由一个个原子自己搭建生成、内部排列有序的纳米管，它完全可以体现硅纳米管的真实特性，同时具备碳纳米材料和硅纳米线材料的性能，在传感器、晶体管、光电器件等方
硅纳米负极是什么材料
研究人员发现硅纳米作为负极理论容量可以达到4200，而目前的石墨负极材料理论也就372，行内很多厂家想用纳米硅作为负极材料，问题是硅充电时体积膨胀好几倍，有出现粉化现象，基本证明纳米硅不能单独作为负极材料，现在比较流行的是硅碳复合材料，缓解硅的膨胀，我们咸阳六元碳晶公司也是初入此行，也想研究开发硅碳
硅和锗元素半导体的应用介绍
硅和锗是我们最熟悉的元素半导体。锗是最早实现提纯和完美晶体生长，并最早用来制造晶体管的半导体材料。但是，由于锗的禁带较窄，锗器件的稳定工作温度远不如硅器件高，加之资源有限，其重要地位早在半导体工业发展初期就被硅所取代。目前，锗仅以其较高的载流子迁移率和在某些重掺杂情况下的高度红外敏感特性，在低频小功
IBM投30亿美元用于未来芯片研发
IBM近日宣布，将在未来5年投资30亿美元，用于研发7纳米及以下硅芯片技术，以及后硅时代芯片材料及技术应用。 IBM研究人员和其他半导体专家预测，半导体制程工艺有希望在未来数年里从目前的22纳米缩减到14纳米，进而缩减到10纳米。然而，如果需要在十年以后压缩到7纳米或更低，则需要在半导体架构
半导体所等在纳米线量子点单光子发射研究中获得新发现
半导体自组织InAs量子点因其具有“类原子”特性，是目前量子物理和量子信息器件研究最重要的固态量子结构之一。基于InAs量子点的高品质单光子的发射、读取、操纵、存储以及并行计算等是热点研究方向。而InAs单量子点的可控制备(如精确定位、有序扩展、与光学谐振腔耦合等)是目前面临的挑战性问题。
真空互联技术可实现新型半导体材料和器件创新
日前，由中科院苏州纳米所牵头承办的第608次香山科学会议在苏州举行，来自国内外的40多位专家学者参会。本次大会的主题为“化合物半导体器件的异质集成与界面调控”，中科院院士李树深、黄如、中科院苏州纳米所所长杨辉、香港大学教授谢茂海担任本次大会的执行主席。 半导体与集成电路在人类社会各领域的应用
天大首次用物理方法取得纳米级别半导体材料
4年前实验室人员的一个疏忽，却导致了一个意外发现，最终成就了一个世界首创的工艺。最近，天津大学材料学院量子点材料与器件研究组开发出了环保高效的单分散量子点合成新工艺，成果发表在《Nature Communications》(《自然通信》)杂志上，这是世界上首次报道用物理方法合成单
《纳米快报》：一维半导体纳米结构光子学
在基金委青年基金、纳米重点项目和国家纳米测试基金及973课题的支持下，湖南大学纳米技术研究中心潘安练、邹炳锁教授等团队成员和北京大学、国家纳米中心以及德国马普研究所合作，在一维半导体纳米结构光子学的研究上取得了重大突破：首次正式提出了半导体一维纳米结构中光子输运的概念，建立光传播的理论模型，并在实验
硅纳米线的主要成分
Si纳米线当然成分就是Si了，要是SiO2不就是SiO2纳米线了？不过Si确实不稳定，极易氧化，表面一定会有SiO2层的。
纳米硅碳研发机构落户福建
5月13日，中科院海西研究院与福建远翔化工有限公司签订协议共同建设纳米硅碳材料工程技术中心，国内首家专门从事研究开发纳米硅碳材料与应用技术的研发机构正式落户福建邵武。 地处邵武的福建远翔化工有限公司董事长王承辉高兴地告诉记者，“纳米硅碳材料工程技术中心”项目总投资6000万元，预期产值达2
王占国：半导体材料将走向“纳米化”
半导体照明5年后进入千家万户、上百位的密码几秒钟就计算出来、人类进入变幻莫测的量子世界……日前，在中国科技馆数百位参加科学讲坛的听众前，中科院院士、中科院半导体研究所研究员王占国展示了半导体材料的惊人魅力。 半导体是介于导体和绝缘体之间的材料。自1947年12月23日正式发明后，在家电、通
王占国院士：半导体材料将走向“纳米化”
半导体照明5年后进入千家万户、上百位的密码几秒钟就计算出来、人类进入变幻莫测的量子世界……日前，在中国科技馆数百位参加科学讲坛的听众前，中科院院士、中科院半导体研究所研究员王占国展示了半导体材料的惊人魅力。 半导体是介于导体和绝缘体之间的材料。自1947年12月23日正式发明后，
半导体所HgTe半导体量子点研究取得新进展
近年来，拓扑绝缘体材料以其独特的物性吸引了科学界广泛的研究关注。这类材料内部是绝缘体，而在边界或/和表面则显示出金属的特性。这种独特的性质无法按照传统的材料分类方法来区分。其能带结构由Z2拓扑不变量来刻画。目前人们注意力集中在拓扑绝缘体块材的制备和输运性质研究方面。相对而言，拓扑绝缘体纳米结构的
理化学研究所在硅量子点寿命研究上获得突破
日本理化学研究所的物理学家开发了一个优化半导体纳米设备的理论模型，证明了精心设计的量子点可以创造出抗电噪声的强大的硅空旋量子比特。这项研究对于理解去噪和设计大规模量子计算机至关重要。 理化学研究所三位物理学家开发的用于优化半导体纳米器件的理论模型将有助于扩大量子硬件的规模。 被困在半导体设备
半导体硅材料分选仪的使用和原理
1、测试电源，电源电压值应该在220V左右，电压偏差不得超过2%，否则影响测试定标，偏差过大甚至会损坏电路。（AC110V使用需要配备AC110V转AC220V电压转换器）2、接好测试线，测试线连接到仪器上时，务必确保仪器上插座的凸起与测试线插头的凹槽对应好，并将螺圈旋紧。3、接好电源线；上电，开关
我国在量子计算研究获进展 实现三量子点半导体调控
近期,中国科学技术大学郭光灿院士领导的中科院量子信息重点实验室在半导体量子计算芯片研究方面取得新进展。实验室郭国平研究组创新性地引入第三个量子点作为控制参数,在保证新型杂化量子比特相干性的前提下,极大地增强了杂化量子比特的可控性。国际应用物理学顶级期刊《应用物理评论》日前发表了该成果。 开发与
半导体量子芯片开发获重要进展
“量子芯片”是未来量子计算机的“大脑”。中国科学技术大学郭光灿院士领导的中科院量子信息重点实验室郭国平研究组，在量子芯片开发领域的一项重要进展，首次在砷化镓半导体量子芯片中成功实现了量子相干特性好、操控速度快、可控性强的电控新型编码量子比特。该成果近日在国际权威杂志《物理评论快报》发表。 郭
铒原子首次集成到硅晶体内
德国科学家首次将拥有特殊光学特性的铒原子集成到硅晶体内，这些原子可通过通信领域常用的光连接起来，使其成为未来量子网络的理想构建块。最新实验结果在没有复杂冷却的条件下获得，且基于现有硅半导体生产工艺，因此适用于构建大型量子网络。相关研究刊发于最新一期《物理评论X》杂志。 量子网络可通过使用光