LED衬底材料有哪些种类
目前市面上一般有三种材料可作为衬底：·蓝宝石（Al2O3）·硅(Si)·碳化硅（SiC）除了以上三种常用的衬底材料之外，还有GaAS、AlN、ZnO等材料也可作为衬底，通常根据设计的需要选择使用。......阅读全文
利用对称性破缺衬底外延二维六方氮化硼单晶
为开辟硅基电子器件之外的新途径，基于量子材料的新器件研究成为前沿热点。作为量子材料的重要分支，二维量子材料厚度只有原子级且量子效应显著，大面积、高质量的二维单晶制备是实现二维器件规模化应用的核心关键，然而晶格的非中心反演对称性给二维单晶生长带来了极大挑战。 在量子调控与量子信息重点专项资助下，
我国科研人员研究不同衬底上单层MoS2的太赫兹光电特性
近期，中国科学院合肥物质科学研究院固体物理研究所研究员徐文课题组与中国工程物理研究院科研人员合作，应用太赫兹时域光谱（0.2-1.2 THz）和傅里叶变换光谱（2.5-6.5 THz）研究了不同衬底上单层MoS2的太赫兹光电特性。相关成果以Substrate-induced electronic
我国自主研制的4英寸高纯半绝缘碳化硅衬底产品面世
我新一代雷达核心部件材料实现国产化 科技日报济南7月6日电 （通讯员辛鹏波 记者王延斌）近日，我国自主研制的4英寸高纯半绝缘碳化硅（SiC）衬底产品面世。中国电子材料行业协会组织的专家认为，该成果国内领先，已达到国际先进水平。 碳化硅基微波功率器件具有高频、大功率和耐高温的特性，是新一代雷达
氮化物材料外延研究最新进展
近日，中国科学院半导体研究所研究员刘志强等在氮化物材料外延研究领域取得新进展，揭示了氮化物范德华外延的物理本质，提出了二维材料辅助的氮化物外延生长基本准则，同时，提出了解决本领域关键科学、技术问题的方案和路线。 近年来，二维材料辅助的氮化物外延取得了巨大进展，并在实现多种功能材料异质集成与物质组
国产碳化硅进击8英寸工艺节点－“掘金”窗口期步入倒计时
在新能源汽车、光伏、储能等市场持续推动下，国产碳化硅产业商业化持续推进，获得国际功率半导体巨头青睐和结盟，积极追赶更为先进的8英寸工艺节点，碳化硅产品价格有望步入“甜蜜点”。另一方面，碳化硅产业呈现跑马圈地的扩张态势，竞争日趋激烈，甚至有头部厂商已经喊话碳化硅创业窗口期已经接近关闭。获国际龙头青睐“
物理所等在磁性超薄膜各向异性调控方法研究中获进展
磁各向异性不但是低维体系产生铁磁有序的主要来源，而且是磁性材料重要的参数之一，在永磁材料、软磁材料、高频磁性材料、超高密度磁存储材料和自旋电子材料中起着至关重要的作用，磁性纳米结构的磁各向异性调控是目前磁学研究的热点之一。单晶衬底的原子台阶可以作为模板来制备自组装的纳米结构，由于受限电子的量子效
固体所在对多氯联苯拉曼信号敏感的纳米结构方面取得进展
近期，固体所科研人员在构筑对多氯联苯敏感的纳米结构表面增强拉曼散射衬底方面取得新进展，设计构筑了具有较高表面增强拉曼散射活性的衬底结构，可实现对多氯联苯(PCB77)的有效富集与高敏感性响应。 多氯联苯(PCBs)属于一类持久性有机污染物，能在环境中长期残留、长距离迁移，具有脂溶性和生物
中国科大合作在二维材料异质外延生长研究中取得新进展
近日，中国科学技术大学合肥微尺度物质科学国家实验室博士后陈伟，与美国田纳西大学、中国科学院物理研究所、北京大学等研究机构的同行合作，揭示了弱的范德瓦尔斯力与强的界面化学键在决定生长过程中二维材料相对于衬底晶格的取向时所起的关键协同作用。相关研究成果于11月10日在线发表在《美国科学院院刊》上，陈
合肥研究院有机单晶PTCDA纳米线制备及其物性研究获进展
近期，中国科学院合肥物质科学研究院强磁场科学中心科研人员在有机单晶纳米材料制备及光、电特性研究方面取得了新进展。9月21日英国皇家化学会出版期刊Nanoscale 以《苝四甲酸二酐（PTCDA）纳米结构的制备、光学以及电学特性》（Preparation, Optical and Electric
半导体所发现可鉴别多层石墨烯层数多达100层的新方法
石墨烯是由单层碳原子紧密堆积成二维蜂窝状晶格结构的一种碳质新材料。由于其独特的二维结构和优异的晶体学质量，石墨烯蕴含了丰富而新奇的物理现象，使其迅速成为凝聚态物理领域近年来的研究热点之一。单层石墨烯可以逐层按不同方式堆垛成多层石墨烯，每一种多层石墨烯材料都显示出独特的电子能带结构和物
半导体所发现可鉴别多层石墨烯层数多达100层的新方法
石墨烯是由单层碳原子紧密堆积成二维蜂窝状晶格结构的一种碳质新材料。由于其独特的二维结构和优异的晶体学质量，石墨烯蕴含了丰富而新奇的物理现象，使其迅速成为凝聚态物理领域近年来的研究热点之一。单层石墨烯可以逐层按不同方式堆垛成多层石墨烯，每一种多层石墨烯材料都显示出独特的电子能带结构和物理特性。确定
石墨烯周期性折叠及其在应力传感器件中应用研究获突破
中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家实验室（筹）纳米物理与器件实验室张广宇研究组自2009年成立以来，一直把石墨烯纳米结构的可控加工及其输运性质的研究作为课题组的一个重要方向。石墨烯是近年来发现的一种两维结构材料，表现出独特的电学、力学、光学和其他新奇的物理特性。张广宇研究组在前期的研究中，
新兴半导体：一种透明柔性的单晶硅微框架结构
柔性、透明是光电子器件的发展趋势，柔性透明的器件能够不易察觉的与其他器件或物体进行集成，在电子皮肤、物联网、透明柔性显示器和人工视觉等领域有着巨大的应用潜力。然而，发展新型柔性、透明电子器件首先需要克服的就是材料问题。传统光电子器件主要是依靠半导体这一成熟的材料体系，但是目前常用的半导体材料都是
可生物降解的柔性硅晶体管
2015年6月30日华盛顿--当今，随着新科技不断为人们带来的越来越多的便利，便携式电子产品的用户日益频繁地更新他们的电子用品。2012年美国环境保护局（the U.S. Environmental Protection Agency）的一篇报告表明每年约有一亿五千万移动电子产品被丢弃，其中只有
硅衬底上单层WS2二次谐波高效定向性发射研究获进展
近日，中国科学院国家纳米科学中心刘新风团队与北京大学、北京理工大学研究团队合作，通过将原子级薄的WS2薄膜与硅孔阵列耦合形成法布里-珀罗(F-P)腔，实现增强的二次谐波定向发射。相关研究成果发表在ACS Nano上。 二次谐波又称为倍频效应，是一种源于激发场下的电磁场极化高阶项的非线性光学过程
氮化镓半导体材料的反应方程式
GaN材料的生长是在高温下，通过TMGa分解出的Ga与NH3的化学反应实现的，其可逆的反应方程式为：Ga+NH3=GaN+3/2H2生长GaN需要一定的生长温度，且需要一定的NH3分压。人们通常采用的方法有常规MOCVD(包括APMOCVD、LPMOCVD)、等离子体增强MOCVD（PE—MOCVD
宁波材料所提出金属陶瓷超材料薄膜制备新方法
人们常常用鬼斧神工形容大自然事物的美妙和自然力之强大，而用巧夺天工来形容人工事物的巧思以及由此引发的击节赞叹。一般认为超材料是具有天然材料所不具备的超常物理性质的人工复合结构或复合材料，它们在超快光调制、负折射率、倏逝波传播、反常多普勒效应、亚波长成像、隐身、全光通讯、手性识别、光子晶体等领域具
苏州纳米所GaN/Si功率开关器件研究获得重要突破
随着能效标准不断提高，基于硅（Si）材料的功率器件改进空间越来越小；人们将目光投向新材料领域，以期实现根本改进，从而引发新一代功率器件技术的革命性突破。众多新材料中，基于氮化镓（GaN）的复合材料最引人关注。GaN基功率器件具有击穿电压高、电流密度大、开关速度快、工作温度高等优点
首支硅衬底氮化镓基激光器问世可大幅降低器件制造成本
中科院苏州纳米技术与纳米仿生所研究员杨辉团队在硅上研制出第三代半导体氮化镓基激光器，这也是世界上第一支可以在室温下连续工作的硅衬底氮化镓基激光器。相关研究成果近日刊登在《自然—光子学》。 随着半导体科技的高速发展，科技工作者发现基于传统技术路线来进行芯片与系统之间的数据通信越来越难以满足更快的
分子束外延要点解析
一、分子束外延 (Molecular Beam Epitaxy，MBE)简介 在超高真空环境下， 使具有一定热能的一种或多种分子 (原子) 束流喷射到晶体衬底 ，在衬底表面发生反应的过程，由于分子在 "飞行"过程中几乎与环境气体无碰撞 ，以分 子束的形式射向衬底 ，进行外延生长， 故此而得名。
金刚石上石墨烯的自组织生长研究取得进展
如何在绝缘衬底上形成大面积高质量的石墨烯还是个难题。所以，不论是探索制备石墨烯的新方法，还是寻找合适的生长石墨烯的基底材料，以便将石墨烯新奇的物理性质在室温下呈现出来，都是石墨烯基础研究与器件应用方面所亟待解决的问题。金刚石是集众多优异性能于一身的绝缘材料，如果石墨烯能够制备在金刚石衬底上，相比
上海市科委半导体照明项目通过验收
“新型GaN基LED荧光衬底－掺质铝酸盐晶体生长与性能研究”项目通过验收 10月27日，中科院上海光学精密机械研究所夏长泰研究员承担的上海市科委半导体照明专项“新型GaN基LED荧光衬底－掺质铝酸盐晶体生长与性能研究”通过验收。该项目通过优化生长工艺，制备出了稀土离子或过渡金属离子掺杂的
长春应化所发明柔性透明聚酰亚胺薄膜材料
中国科学院长春应用化学研究所杨正华研究员课题组科研人员发明出一种柔性透明聚酰亚胺薄膜材料及其制备方法，并于近日获得国家知识产权局授权。 柔性衬底非晶硅太阳能电池日益受到人们重视。它可以任意弯曲，安装携带方便，在航空、航天领域取得广泛应用，是邻近空间动力飞艇不可或缺的能源组件。
研究者设计梯度表面能调控的复合型转移媒介
石墨烯等二维材料的载流子迁移率高、光-物质相互作用强、物性调控能力优，在高带宽光电子器件领域具有重要的科学价值和广阔的应用前景。 当前，发展与主流半导体硅工艺兼容的二维材料集成技术受到业内广泛关注，其中首要的挑战是将二维材料从其生长基底高效转移到目标晶圆衬底上。然而，传统的高分子辅助转移技术通常
我国科学家成功制备白光钙钛矿发光二极管
科技日报记者 吴长锋记者25日从中国科学技术大学获悉，该校物理学院肖正国教授课题组与化学与材料学院陈涛教授课题组合作，利用表面能很低的聚二甲基硅氧烷（PDMS）衬底，实现了钙钛矿薄膜的巨量转移。相关成果日前发表在《先进材料》杂志上。金属卤化物钙钛矿是新一代的明星半导体材料，它具有吸收系数高、光学带隙
中国科大二维材料系列研究取得新进展
近日，中国科学技术大学合肥微尺度物质科学国家实验室国际功能材料量子设计中心在二维材料系列研究中取得新进展，理论上预言了在GaN（001）衬底上可外延生长单层蓝磷，并提出非常规的“半层－半层”生长机制。该研究成果以Half Layer By Half Layer Growth of a Blue
宁波材料所提出金属陶瓷超材料薄膜制备新方法
人们常常用鬼斧神工形容大自然事物的美妙和自然力之强大，而用巧夺天工来形容人工事物的巧思以及由此引发的击节赞叹。一般认为超材料是具有天然材料所不具备的超常物理性质的人工复合结构或复合材料，它们在超快光调制、负折射率、倏逝波传播、反常多普勒效应、亚波长成像、隐身、全光通讯、手性识别、光子晶体等领域
超平整石墨烯晶圆转移与集成光电器件
石墨烯等二维材料的载流子迁移率高、光-物质相互作用强、物性调控能力优，在高带宽光电子器件领域具有重要的科学价值和广阔的应用前景。当前，发展与主流半导体硅工艺兼容的二维材料集成技术受到业内广泛关注，其中首要的挑战是将二维材料从其生长基底高效转移到目标晶圆衬底上。然而，传统的高分子辅助转移技术通常会
氮化硼表面制备石墨烯单晶获突破
中科院上海微系统所信息功能材料国家重点实验室唐述杰等研究人员，通过引入气态催化剂的方法，在国际上首次实现石墨烯单晶在六角氮化硼表面的高取向快速生长。3月11日，相关研究论文发表于《自然—通讯》。 该团队在前期掌握石墨烯形核控制、确定单晶和衬底的取向关系的基础上，以乙炔为碳源，创新性地引入硅烷作
全固态薄膜锂电池正极薄膜的研究
薄膜锂电池的正极材料初期主要是Ti2S3、MoS2、MnO₂等，随后被电位更高的正极材料代替，如V2O3、LiCoO2、LiNiO2、LiMn2O4。薄膜制备技术也从初期的蒸镀、旋涂、溅射等技术不断完善增加。 钒氧化物和钒酸锂类正极材料一直是正极材料研究的重要方向，其作为薄膜锂电池的正极材料具