LED衬底材料有哪些种类
目前市面上一般有三种材料可作为衬底：·蓝宝石（Al2O3）·硅(Si)·碳化硅（SiC）除了以上三种常用的衬底材料之外，还有GaAS、AlN、ZnO等材料也可作为衬底，通常根据设计的需要选择使用。......阅读全文
用X射线能谱仪测定衬底材料上的薄膜厚度
本文利用薄膜对入射电子束流的衰减作用和薄膜对衬底的x射线的吸收,提出了一种直接利用衬底的x射线的强度比来测量薄膜厚度的方法。并在各种实验条件下,对Cu薄膜的厚度进行了测量,得到了较为满意的结果。
什么是p型衬底
理论上，P衬底或N衬底都可以。实际上，自由电子的迁移率是空穴的三倍，因此用自由电子为多数载流子的N型半导体做导电沟道的话，通过电流能力要强得多。另外，从控制角度而言，NMOS可以用正电压开启，使用起来比较方便，而PMOS需要用到负电压，就不那么方便了。因此常见的功率型MOS管都是N型，PMOS有，比
薄膜衬底材料中俄歇电子能谱的蒙特卡洛模拟
薄膜材料在现代材料技术中应用广泛。光学镀膜技术中,经常在特定的衬底上沉积一层薄膜,可以改善材料的物理化学性质。许多工业和技术设备都需要覆盖具有特定化学性质的薄膜,薄膜材料具有许多独特的光学与电学性质,这些性质和薄膜本身的制作工艺有关,同时也与薄膜的厚度密切有关。因此,表征纳米量级的薄膜厚度具有十分重
氮化镓衬底晶片实现“中国造”
苏州纳维生产的4 英寸GaN 单晶衬底 一枚看似不起眼、“又轻又薄”的晶片，却能做出高功率密度、高效率、宽频谱、长寿命的器件，是理论上电光、光电转换效率最高的材料体系。这个“小身体大能量”的晶片叫作氮化镓（GaN）衬底晶片，是苏州纳维科技有限公司（以下简称苏州纳维）的主打产品。 “不会游泳的
晶能光电推进硅衬底LED产业化
在日前举行的广州国际照明展上，晶能光电公司展出的6英寸硅衬底LED芯片，以及联合晶和照明推出的采用硅衬底大功率LED芯片的硅衬底模组，引起了国内外众多行业人士的广泛关注。 据了解，晶能光电创新性地运用“硅”代替传统的“蓝宝石”或“碳化硅”作为衬底制造氮化镓基LED器件，在全球
确定石墨烯合适衬底的新标准问世啦
石墨烯具有优异的力学性能和电学性能，利用此新标准，可以有针对性的寻找衬底材料，使石墨烯更好的发挥其性能。 一般而言，石墨烯在和衬底材料接触后，往往会失去其原有的一些性能。来自利希研究中心的物理学家最近提出一种标准，根据此标准科学家们可以有针对性地寻找合适的石墨烯衬底材料。通过共同努力，他们能够
为什么集成电路中多用P型衬底
因为P型衬底直接做出的管子是N型的，NMOS是电子导电，其迁移率高于空穴。即速度快点
光电所在可拉伸衬底结构色研究方面获进展
对于彩色显示技术来说，传统技术采用色彩吸收材料如染料、色素等进行光谱滤波显色，但此类材料存在使用寿命相对较低、制备工艺较为复杂、色彩串扰等问题，因而在高分辨显示、成像等应用领域面临较大的挑战。随着纳米技术与纳光子学等学科的兴起，具有高自由度光谱调控能力的人工纳米结构如超材料、超表面为显色领域提供
物理所在冷衬底上生长超稳定金属玻璃
非晶玻璃是指微观尺度上原子或者分子长程无序排列的一类材料，也称非晶态材料。当今，玻璃已成为日常生活、生产和科学技术领域的重要材料。尽管玻璃的出现与使用在人类的生活里已有四千多年历史，但最关键的问题——玻璃的稳定性和老化问题——一直没有得到控制和解决。形成玻璃的传统方法是快速冷却高温液体以避免形
铜衬底显著增强了氧化石墨烯动态氧迁移
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2022/8/484525.shtm 近日，扬州大学物理科学与技术学院本科生科创团队发现，铜衬底可以显著降低氧化石墨烯（GO）上动态氧迁移的能垒，从而诱导GO成为一种动态共价材料。相比于无衬底时的GO，铜111面衬底
物理所在冷衬底上生长超稳定金属玻璃
非晶玻璃是指微观尺度上原子或者分子长程无序排列的一类材料，也称非晶态材料。当今，玻璃已成为日常生活、生产和科学技术领域的重要材料。尽管玻璃的出现与使用在人类的生活里已有四千多年历史，但最关键的问题——玻璃的稳定性和老化问题——一直没有得到控制和解决。形成玻璃的传统方法是快速冷却高温液体以避免形成
研究揭示可剥离衬底上氮化物的成核机制
中国科学院院士、西安电子科技大学微电子学院郝跃研究团队在《新型光学材料》上发表研究成果，揭示了可剥离衬底上氮化物的成核机制，并创新性开发出柔性高亮度紫光发光二极管。 GaN基半导体LED照明具有高效、节能、环保、寿命长、易维护等优点，是人类照明史上继白炽灯、荧光灯之后的又一场照明革命。随着可穿
我国发现表面绝缘衬底PECVD法制备无需转移单层石墨烯
大面积、高质量石墨烯在传感器和透明导电应用方面有着重大需求，而化学气相沉积法是一种被广泛应用在金属催化剂上生长石墨烯薄膜的方法。然而，由于石墨烯和金属之间有着不同的热膨胀系数（Cu：2.6×10-5/ ℃， graphene：-2.0×10-6/ ℃），生长过程中难免会产生皱纹和裂缝，降低单层石
研究揭示衬底诱导单层二硫化钼的电子局域化效应
近期，中国科学院合肥物质科学研究院固体物理研究所研究员徐文课题组与中国工程物理研究院科研人员合作，应用太赫兹时域光谱（0.2-1.2 THz）和傅里叶变换光谱（2.5-6.5 THz）研究了不同衬底上单层MoS2的太赫兹光电特性。相关成果以Substrate-induced electronic
硅衬底上生长高结晶性黑磷薄膜合作研究获进展
近期，中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究员张凯与湖南大学教授潘安练、深圳大学教授张晗合作，在《自然-通讯》（Nature Communications）上发表题为Epitaxial nucleation and lateral growth of high-crystalline bla
硅衬底InGaN基半导体激光器研究方面取得进展
硅是半导体行业最常见的材料，基于硅材料的电子芯片被广泛应用于日常生活的各种设备中，从智能手机、电脑到汽车、飞机、卫星等。随着技术的发展，研究者发现通过传统的电气互联来进行芯片与系统之间的通信已经难以满足电子器件之间更快的通信速度以及更复杂系统的要求。为解决这一问题，“光”被认为是一种非常有潜力的
6英寸碳化硅单晶衬底研制成功
近日，中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室（筹）先进材料与结构分析实验室团队人员与北京天科合达蓝光半导体有限公司合作，成功研制出了6英寸碳化硅（SiC）单晶衬底。 据悉，碳化硅属于第三代半导体材料，是制造高亮度LED、电力电子功率器件以及射频微波器件的理想衬底。 上图 科研人员在
物理所成功研制6英寸碳化硅单晶衬底
碳化硅（SiC）单晶是一种宽禁带半导体材料，具有禁带宽度大、临界击穿场强大、热导率高、饱和漂移速度高等诸多特点，被广泛应用于制作高温、高频及大功率电子器件。此外，由于SiC和氮化镓（GaN）的晶格失配小，SiC单晶是GaN基LED、肖特基二极管、MOSFET、IGBT、HEMT等器件的理想衬底材
巧用扫描电镜实现衬底支撑石墨烯的高质量成像
常见的衬底支撑石墨烯体系，有SiC热解生长石墨烯、Cu等金属衬底上CVD法生长石墨烯、Si上转移石墨烯等。石墨烯的常用结构表征技术包括透射电镜、拉曼（Raman）、原子力显微镜（AFM）、光学显微镜以及扫描电镜（SEM）。其中，SEM具有分辨率达纳米级、观测范围大、速度快、无损等优点，在石墨烯的生长
科学家开发出石墨烯/蓝宝石外延衬底－促进AlN薄膜生长
深紫外LED可以广泛应用于杀毒、消菌、印刷和通信等领域，国际水俣公约的提出，促使深紫外LED的全面应用更是迫在眉睫，但是商业化深紫外LED不到10%的外量子效率严重限制了深紫外LED的应用。AlN材料质量是深紫外LED的核心因素之一，AlN薄膜主要是通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）的方法异
SiCLED研究中取得进展－为我国SiC产业注入新活力
中国科学院上海硅酸盐研究所与半导体研究所通过联合攻关，在SiC-LED技术路线方面中涉及的核心技术，如SiC单晶衬底、外延、芯片和灯具封装等方面取得了突破性进展，研制出了多种结构的SiC-LED，并封装成了灯具，完全打通了SiC-LED技术路线，为SiC-LED技术在半导体照明产业领域的推广打下
Mg预处理蓝宝石衬底法制备的Zn极性ZnO外延薄膜的结构
通过分子束外延法在经Mg预处理的蓝宝石衬底上制备了ZnO单晶薄膜,利用高分辨透射电镜、电子全息和X射线能谱对该薄膜的结构进行了细致的研究。结果表明,在蓝宝石衬底上预沉积一层很薄的Mg层,可以生长均匀Zn极性的ZnO外延薄膜。ZnO/MgO/蓝宝石的界面非常清晰锐利,同时在界面处可以观察到大约3个原子
上海微系统所在锗衬底上直接制备出高质量单层石墨烯
Nature旗下期刊Scientific Reports(《科学报告》)近日刊发了中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室SOI课题组与超导课题组，采用化学气相淀积法(CVD)，在锗衬底上直接制备大面积、均匀的、高质量单层石墨烯的研究成果，文章题目为Direct Gro
氮化镓基LED用蓝宝石图形衬底－关键技术研究通过验收
3月14日，由中国科学院半导体研究所承担的北京市科委“氮化镓基LED用蓝宝石图形衬底关键技术研究”项目顺利通过北京市科委组织专家组验收。专家们一致认为：项目的实施有利于提高半导体照明行业自主创新能力和产业竞争力，对推动北京市乃至全国半导体照明行业上游关键材料的发展具有重要的意义。 在北京市
单晶半导体材料的制备方法
具体的制备方法有：①从熔体中拉制单晶：用与熔体相同材料的小单晶体作为籽晶，当籽晶与熔体接触并向上提拉时，熔体依靠表面张力也被拉出液面，同时结晶出与籽晶具有相同晶体取向的单晶体。②区域熔炼法制备单晶：用一籽晶与半导体锭条在头部熔接，随着熔区的移动则结晶部分即成单晶。③从溶液中再结晶。④从汽相中生长单晶
上海微系统所锗辅助绝缘体上石墨烯材料生长研究获进展
近期，中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室SOI(绝缘体上硅)材料与器件课题组在绝缘体衬底上直接制备石墨烯研究方面取得新进展。制备绝缘体上石墨烯是推动石墨烯在微电子领域应用的重要基础条件，针对这一需求，SOI材料与器件课题组的研究人员使用锗薄膜做催化剂，通过化学气相沉积
“第三代半导体的衬底制备及同质外延”项目中期检查进行
近日，“战略性先进电子材料”重点专项管理办公室（简称“专项办”）组织专家在苏州对“第三代半导体的衬底制备及同质外延”项目进行了中期检查。 会上，专项办根据国家重点研发计划相关管理办法对中期检查提出了要求。专家组听取了项目负责人的工作汇报，审阅了相关技术和财务资料，考察了实施现场，经讨论质询后认
单晶半导体材料的制备方法
为了消除多晶材料中各小晶体之间的晶粒间界对半导体材料特性参量的巨大影响，半导体器件的基体材料一般采用单晶体。单晶制备一般可分大体积单晶(即体单晶)制备和薄膜单晶的制备。体单晶的产量高，利用率高，比较经济。但很多的器件结构要求厚度为微米量级的薄层单晶。由于制备薄层单晶所需的温度较低，往往可以得到质量较
半导体电学测量
对于半导体材料的电阻率，一般采用四探针、三探针和扩展电阻。 四探针法是经常采用的一种，原理简单，数据处理简便。测量范围为10-3-104 防 米， 能分辨毫米级材料的均匀性，适用于测量半导体材料、异型层、外延材料及扩散层、离 子注入层的电阻率，并能够提供一个迅速的、不破坏的、较准确的测量
利用对称性破缺衬底外延二维六方氮化硼单晶
为开辟硅基电子器件之外的新途径，基于量子材料的新器件研究成为前沿热点。作为量子材料的重要分支，二维量子材料厚度只有原子级且量子效应显著，大面积、高质量的二维单晶制备是实现二维器件规模化应用的核心关键，然而晶格的非中心反演对称性给二维单晶生长带来了极大挑战。 在量子调控与量子信息重点专项资助下，