LED蓝光芯片用什么衬底
蓝宝石用的多，国内也有直接用GAN的，但是成本高；美国CREE用碳化硅作衬底，他硬度大，但是成本也比较高；也有在研究用SI的，但是效果不好，吸光等问题比较多......阅读全文
首支硅衬底氮化镓基激光器问世可大幅降低器件制造成本
中科院苏州纳米技术与纳米仿生所研究员杨辉团队在硅上研制出第三代半导体氮化镓基激光器，这也是世界上第一支可以在室温下连续工作的硅衬底氮化镓基激光器。相关研究成果近日刊登在《自然—光子学》。 随着半导体科技的高速发展，科技工作者发现基于传统技术路线来进行芯片与系统之间的数据通信越来越难以满足更快的
科大在非平整衬底表面三维微纳米加工技术研究中获进展
中国科学技术大学合肥微尺度物质科学国家研究中心教授王晓平和罗毅研究团队发展了光刻胶软掩膜蜡纸印刷技术，成功实现了多种形貌三维超结构的可控制备，同时实现了非平整和曲面衬底上微纳米结构的自由构建。相关研究成果近日以Utilization of Resist Stencil Lithography f
中科大在非平整衬底表面三维微纳米加工技术研究获进展
中国科学技术大学合肥微尺度物质科学国家研究中心教授王晓平和罗毅研究团队发展了光刻胶软掩膜蜡纸印刷技术，成功实现了多种形貌三维超结构的可控制备，同时实现了非平整和曲面衬底上微纳米结构的自由构建。相关研究成果近日以Utilization of Resist Stencil Lithography f
SiCLED研究中取得进展－为我国SiC产业注入新活力
中国科学院上海硅酸盐研究所与半导体研究所通过联合攻关，在SiC-LED技术路线方面中涉及的核心技术，如SiC单晶衬底、外延、芯片和灯具封装等方面取得了突破性进展，研制出了多种结构的SiC-LED，并封装成了灯具，完全打通了SiC-LED技术路线，为SiC-LED技术在半导体照明产业领域的推广打下
上海市科委半导体照明项目通过验收
“新型GaN基LED荧光衬底－掺质铝酸盐晶体生长与性能研究”项目通过验收 10月27日，中科院上海光学精密机械研究所夏长泰研究员承担的上海市科委半导体照明专项“新型GaN基LED荧光衬底－掺质铝酸盐晶体生长与性能研究”通过验收。该项目通过优化生长工艺，制备出了稀土离子或过渡金属离子掺杂的
固体所在对多氯联苯拉曼信号敏感的纳米结构方面取得进展
近期，固体所科研人员在构筑对多氯联苯敏感的纳米结构表面增强拉曼散射衬底方面取得新进展，设计构筑了具有较高表面增强拉曼散射活性的衬底结构，可实现对多氯联苯(PCB77)的有效富集与高敏感性响应。 多氯联苯(PCBs)属于一类持久性有机污染物，能在环境中长期残留、长距离迁移，具有脂溶性和生物
国产碳化硅进击8英寸工艺节点－“掘金”窗口期步入倒计时
在新能源汽车、光伏、储能等市场持续推动下，国产碳化硅产业商业化持续推进，获得国际功率半导体巨头青睐和结盟，积极追赶更为先进的8英寸工艺节点，碳化硅产品价格有望步入“甜蜜点”。另一方面，碳化硅产业呈现跑马圈地的扩张态势，竞争日趋激烈，甚至有头部厂商已经喊话碳化硅创业窗口期已经接近关闭。获国际龙头青睐“
纳米所等在快速批量制备高质量石墨烯研究方面取得进展
因为在半导体工业中具有良好的集成兼容性以及低廉的成本优势，铜基表面化学气相沉积(CVD)法被认为是最有潜力实现大规模制备高质量石墨烯的方法。通过近10年的努力(2007-2017)，铜基CVD法已经在大批量、高质量和快速制备三个方向分别取得了一系列的突破进展。然而，对于能够同时实现快速、大批量
纳米所等在快速批量制备高质量石墨烯研究方面取得进展
因为在半导体工业中具有良好的集成兼容性以及低廉的成本优势，铜基表面化学气相沉积(CVD)法被认为是最有潜力实现大规模制备高质量石墨烯的方法。通过近10年的努力(2007-2017)，铜基CVD法已经在大批量、高质量和快速制备三个方向分别取得了一系列的突破进展。然而，对于能够同时实现快速、大批量和
中国科大石墨烯外延生长原子尺度的机理研究取得新进展
近日，中国科学技术大学教授李震宇研究组与中国科大同行合作，在石墨烯外延生长原子尺度的机理研究方面取得新进展，首次揭示出在不同铜衬底上碳-碳二聚体是石墨烯生长的主要碳供给单元，解释了不同铜衬底上石墨烯生长中由不同的关键原子动力学过程所决定的微观机理，并预测了铜表面石墨烯不同生长形态（分维型或密集型
纯净水也能让石墨烯发电
当一滴水在石墨烯表面滚动，石墨烯敏锐地“觉察”到了细微的运动，并产生持续的电流。这奇妙的一幕发生在浙江大学信息电子工程学院的实验室。 浙江大学林时胜课题组阐述了这一现象的奥秘：原来是衬底在石墨烯传感和能源收集方面发挥了关键作用。水滴的重力会让衬底表面产生压电电荷，进而在石墨烯的上表面诱导出一层
深圳先进院柔性钙钛矿太阳能电池研发取得进展
近日，中国科学院深圳先进技术研究院医工所纳米调控与生物力学研究室在柔性钙钛矿太阳能电池研发方面获得新进展。相关研究成果以Highly flexible, robust, stable and high efficiency perovskite solar cells enabled by va
石墨烯周期性折叠及其在应力传感器件中应用研究获突破
中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家实验室（筹）纳米物理与器件实验室张广宇研究组自2009年成立以来，一直把石墨烯纳米结构的可控加工及其输运性质的研究作为课题组的一个重要方向。石墨烯是近年来发现的一种两维结构材料，表现出独特的电学、力学、光学和其他新奇的物理特性。张广宇研究组在前期的研究中，
长春应化所发明柔性透明聚酰亚胺薄膜材料
中国科学院长春应用化学研究所杨正华研究员课题组科研人员发明出一种柔性透明聚酰亚胺薄膜材料及其制备方法，并于近日获得国家知识产权局授权。 柔性衬底非晶硅太阳能电池日益受到人们重视。它可以任意弯曲，安装携带方便，在航空、航天领域取得广泛应用，是邻近空间动力飞艇不可或缺的能源组件。
上海微系统所锗辅助绝缘体上石墨烯材料生长研究获进展
近期，中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室SOI(绝缘体上硅)材料与器件课题组在绝缘体衬底上直接制备石墨烯研究方面取得新进展。制备绝缘体上石墨烯是推动石墨烯在微电子领域应用的重要基础条件，针对这一需求，SOI材料与器件课题组的研究人员使用锗薄膜做催化剂，通过化学气相沉积
单晶半导体材料的制备方法
具体的制备方法有：①从熔体中拉制单晶：用与熔体相同材料的小单晶体作为籽晶，当籽晶与熔体接触并向上提拉时，熔体依靠表面张力也被拉出液面，同时结晶出与籽晶具有相同晶体取向的单晶体。②区域熔炼法制备单晶：用一籽晶与半导体锭条在头部熔接，随着熔区的移动则结晶部分即成单晶。③从溶液中再结晶。④从汽相中生长单晶
分子束外延碲镉汞薄膜中VOID缺陷的研究
HgCdTe薄膜中的Void缺陷严重影响面阵器件的有效元数。对用分子束外延法在GaAs衬底上生长的HgCdTe薄膜中的Void缺陷进行了形貌、剖面观测和能谱分析。衬底表面状况和HgCdTe生长过程中的Hg/Te束流比及衬底温度决定了Void缺陷的密度和尺寸。在比较优化的条件下，可将Void缺陷密度降
电子薄膜的电子探针能谱分析技术研究
对于电子薄膜材料研究,薄膜的微观结构、成分和厚度是决定薄膜性能的一个关键因素。如何表征薄膜的微观结构、成分和厚度也一直是薄膜研究领域的一个重要课题,尤其是应用无损表征方法。扫描电子显微镜配备X射线能谱仪分析技术（电子探针能谱）能够观察微观形貌和分析薄膜的微区成分的同时,根据电子束的穿透深度可测量薄膜
扫描隧道显微镜在金属玻璃上刻写相关内容
STM可在金属玻璃上进行刻写操作，小丘的大小随偏压的增加而增加。产生小丘的原因通常认为是由于高电流密度引起了衬底的局部熔化，这些熔化物质在针尖负偏压产生的静电场作用下，会形成一突起的泰勒锥，电流去掉后，这个锥立即冷却下来，在表面上形成一小丘……并不是所有的表面都可如此形成小丘的。衬底的熔点决定了
半导体所发现可鉴别多层石墨烯层数多达100层的新方法
石墨烯是由单层碳原子紧密堆积成二维蜂窝状晶格结构的一种碳质新材料。由于其独特的二维结构和优异的晶体学质量，石墨烯蕴含了丰富而新奇的物理现象，使其迅速成为凝聚态物理领域近年来的研究热点之一。单层石墨烯可以逐层按不同方式堆垛成多层石墨烯，每一种多层石墨烯材料都显示出独特的电子能带结构和物
半导体所发现可鉴别多层石墨烯层数多达100层的新方法
石墨烯是由单层碳原子紧密堆积成二维蜂窝状晶格结构的一种碳质新材料。由于其独特的二维结构和优异的晶体学质量，石墨烯蕴含了丰富而新奇的物理现象，使其迅速成为凝聚态物理领域近年来的研究热点之一。单层石墨烯可以逐层按不同方式堆垛成多层石墨烯，每一种多层石墨烯材料都显示出独特的电子能带结构和物理特性。确定
用X射线能谱同时测定薄膜成分及厚度
本文提出一个直接利用薄膜和衬底的X射线能谱来同时测定薄膜的成分和厚度的新方法,利用薄膜发出的各元素的标识X射线强度比确定其成分,利用NaCl衬底的Nak_α和Clk_α标识X射线的强度随膜厚增大而衰减的定量关系确定膜厚,本方法不需要纯元素的块状标样,对在NaCl衬底上沉积的Cu-Si合金薄膜的成分和
晶瑞光电发布高光效大功率LED
日前，由留美博士创业团队创立的晶瑞光电正式推出两款高光效大功率LED共晶陶瓷封装产品X3和X4。这两款产品分别采用了硅衬底垂直结构大功率LED 芯片和FLIP CHIP芯片，在驱动电流350mA的情况下，平均光效可分别达到148lm/W和150lm/W;在驱动电流700mA的情况下，平均光效
上海微系统所实现AB堆垛双层石墨烯的快速生长
在02国家重大专项的支持下，中国科学院上海微系统与信息技术研究所在石墨烯研究中取得新进展：采用铜蒸气辅助，在Cu-Ni合金衬底上实现AB堆垛双层石墨烯（ABBG）的快速生长，典型单晶畴尺寸约300微米，生长时间约10分钟，速度比现有报道提高约一个数量级。研究论文于2月24日在small 上在线发
氮化硼表面制备石墨烯单晶获突破
中科院上海微系统所信息功能材料国家重点实验室唐述杰等研究人员，通过引入气态催化剂的方法，在国际上首次实现石墨烯单晶在六角氮化硼表面的高取向快速生长。3月11日，相关研究论文发表于《自然—通讯》。 该团队在前期掌握石墨烯形核控制、确定单晶和衬底的取向关系的基础上，以乙炔为碳源，创新性地引入硅烷作
纳米结构Si表面增强拉曼散射特性研究
崔绍晖，符庭钊，王欢，夏洋，李超波1． 中国科学院 微电子研究所，北京 100029；2． 中国科学院大学，北京 100049；3． 集成电路测试技术北京市重点实验室，北京 100088 摘要: 为了实现低成本高灵敏度的表面增强拉曼散射效应，制备了一种基于硅表面纳米结构的表面增强拉曼散射效应(SE
中科院上海微系统所制备出六方氮化硼单晶畴
1月25日，记者从中科院上海微系统所获悉，该所卢光远和吴天如等科研人员采用化学气相沉积（CVD）方法，成功在铜镍合金衬底上制备出单层高质量六方氮化硼（h-BN）单晶畴，单晶面积较之前文献报道高出约两个数量级。专家认为，该项研究进展为研发晶圆级h-BN、h-BN/石墨烯异质结和超结构奠定了重要实验
物理所等在磁性超薄膜各向异性调控方法研究中获进展
磁各向异性不但是低维体系产生铁磁有序的主要来源，而且是磁性材料重要的参数之一，在永磁材料、软磁材料、高频磁性材料、超高密度磁存储材料和自旋电子材料中起着至关重要的作用，磁性纳米结构的磁各向异性调控是目前磁学研究的热点之一。单晶衬底的原子台阶可以作为模板来制备自组装的纳米结构，由于受限电子的量子效
单晶半导体材料的制备方法
为了消除多晶材料中各小晶体之间的晶粒间界对半导体材料特性参量的巨大影响，半导体器件的基体材料一般采用单晶体。单晶制备一般可分大体积单晶(即体单晶)制备和薄膜单晶的制备。体单晶的产量高，利用率高，比较经济。但很多的器件结构要求厚度为微米量级的薄层单晶。由于制备薄层单晶所需的温度较低，往往可以得到质量较
研究实现AB堆垛双层石墨烯快速生长
中科院上海微系统所石墨烯研究团队采用铜蒸气辅助，在Cu-Ni合金衬底上实现了AB堆垛双层石墨烯（ABBG）的快速生长，典型单晶畴尺寸约300微米，生长时间约10分钟，速度比现有报道提高约一个数量级。相关成果近日在线发表于《微尺度》杂志。 ABBG可通过电场产生可调带隙，对石墨烯在逻辑器件及光电