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中国科学院上海硅酸盐研究所与半导体研究所通过联合攻关，在SiC-LED技术路线方面中涉及的核心技术，如SiC单晶衬底、外延、芯片和灯具封装等方面取得了突破性进展，研制出了多种结构的SiC-LED，并封装成了灯具，完全打通了SiC-LED技术路线，为SiC-LED技术在半导体照明产业领域的推广打下了基础。 半导体照明是一种基于LED的新型光源的固态照明，被认为照明领域的第三次技术革命。衬底材料是半导体照明产业技术发展的基础，不同的衬底材料决定了LED外延生长技术、芯片加工技术和器件封装技术。因此，衬底材料决定了半导体照明技术的发展路线，目前用于LED的衬底材料主要有蓝宝石、碳化硅（SiC）、硅以及金属衬底。以蓝宝石为衬底的LED生产技术最成熟，在整个半导体照明产业中占主导地位，但是由于蓝宝石材料特性限制了其在高光效、大功率LED方面的应用。SiC单晶衬底材料晶格常数和热膨胀系数与GaN材料更为接近，晶格失配率仅为3.5％，......阅读全文
32、电波暗室电磁学的顶峰,各种机械 电子成品只要身上存在半导体零件就需要进行电磁波环境测试,测量电磁兼容最重要的设备就是电波暗室,全球最大规模电波暗室制造商是日本TDK。33、高端光缆nict与住友电工、横滨国立大学、optoquest株式会社共同开发出36光芯兼每条光芯都可以3种模式传递信息的世
据美国物理学家组织网11月23日（北京时间）报道，美国能源部劳伦斯伯克利国家实验室和加州大学伯克利分校的科学家成功地将厚度仅为10纳米的超薄半导体砷化铟层集成在一个硅衬底上，制造出一块纳米晶体管，其电学性能优异，在电流密度和跨导方面也表现突出，可与同样尺寸的硅晶体管相媲美。该研究结
宗艳民 一边是专业销售代理，年销售收入30多亿元、利润一两亿元；一边是还在“黑暗中”的产业，看不到成功方向，所有投资、研发随时会跌入“无底洞”。2010年，46岁的宗艳民面临着这样的选择。 对一般企业家而言，这根本不能算是“选择”，风险大且看不到回报的生意，又有谁愿意做?但宗艳民却扎了进去，
半导体照明作为战略性新兴产业，是我国发展低碳经济、调整产业结构及绿色发展的重要途径之一。“十二五”期间，在863计划新材料技术领域，支持了“高效半导体照明关键材料技术研发”重大项目。近日，863计划新材料技术领域办公室在北京组织专家对该项目进行了验收。图片来源于网络 “高效半导体照明关键材料
一、指南方向与内容 1. 新型电子材料与器件 1.1 第三代半导体材料及应用 1.1.1 高质量第三代半导体材料关键技术 开展第三代半导体材料大尺寸、低成本、高质量衬底制备和外延技术研究，突破相关核心关键技术，满足高温、高频、高效大功率器件研制的需求。 1.1.2
在北京市科委的积极推动下，8月16日，美国工程院院士、普林斯顿大学终身教授周郁团队纳米压印LED图形衬底产业化项目与北京纳米科技产业园签订意向入驻协议，这是继纳米绿色印刷、超顺排碳纳米管项目入园之后的又一重量级项目，为北京纳米科技产业园建成全国纳米科技创新高地书写新的华章。北京市科委副主任张继红
近日，“战略性先进电子材料”重点专项管理办公室（简称“专项办”）组织专家在苏州对“第三代半导体的衬底制备及同质外延”项目进行了中期检查。 会上，专项办根据国家重点研发计划相关管理办法对中期检查提出了要求。专家组听取了项目负责人的工作汇报，审阅了相关技术和财务资料，考察了实施现场，经讨论质询后认
在日前举行的广州国际照明展上，晶能光电公司展出的6英寸硅衬底LED芯片，以及联合晶和照明推出的采用硅衬底大功率LED芯片的硅衬底模组，引起了国内外众多行业人士的广泛关注。 据了解，晶能光电创新性地运用“硅”代替传统的“蓝宝石”或“碳化硅”作为衬底制造氮化镓基LED器件，在全球
德国弗劳恩霍夫协会的11家研究所和莱布尼茨学会的2家研究所近日共同制定并启动了跨地区“微电子与纳米电子研究工厂”的项目方案。德国教研部为该项目方案提供经费支持，弗劳恩霍夫协会将获得2.8亿欧元，莱布尼茨学会获7000万欧元。 合作方来自弗劳恩霍夫模块化固体物理研究组（EMFT）、电子纳米系统
“随着第三代半导体材料、器件及应用技术不断取得突破，甚至可能在21世纪上半叶，导致一场新的信息和能源技术革命。”在11月8日召开的以“宽禁带半导体发光的发展战略”为主题的第641次香山科学会议上，与会专家指出，宽禁带半导体核心技术一旦解决，必将引起应用格局的巨大改变。 如今，半导体发展已经历了
近期，中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室SOI材料课题组在层数可控石墨烯薄膜制备方面取得新进展。课题组设计了Ni/Cu体系，并利用离子注入技术引入碳源，通过精确控制注入碳的剂量，成功实现了对石墨烯层数的调控。相关研究成果以Synthesis of Layer-Tuna
近日，863计划先进制造技术领域“大尺寸SiC材料与器件的制造设备与工艺技术研究”课题通过了技术验收。 通常，国际上把碳化硅（SiC）、氮化镓(GaN)等宽禁带半导体材料称之为第三代半导体材料。其在禁带宽度、击穿场强、电子饱和漂移速度、热导率等综合物理特性上具有更加突出的综合优势，特别在抗高
目前，TOKO压力传感器芯体材质品种繁多，下面简单介绍下几种芯体材质的性能 一、单晶硅 硅在集成电路和微电子器件生产中有着广泛的应用，主要是利用硅的电学特性；在MEMS微机械结构中，则是利用其机械特性，继而产生新一代的硅机电器件和装置。硅材料储量丰富，成本低。硅晶体生长容易，并存在
王曦，中国科学院院士，我国著名半导体材料学专家，中科院上海微系统与信息技术研究所所长、我国高端集成电路衬底材料的主要开拓者和领军人物。3月23日，他在上海科技奖励大会上获得了2017年度科技功臣奖。 在中国，如果提到高端硅基SOI材料研发和产业化，业内人士都会提到一个名字——王曦。 王曦，中
今年是我国启动“半导体照明工程”十周年。近日，中科院半导体照明研发中心主任李晋闽向《中国科学报》记者介绍说，我国在基于GaN基LED的白光照明技术方面已取得突飞猛进的发展。在350毫安的工作电流下，白光LED的发光效率从2004年的20流明/瓦提高到2013年的150流明/瓦。 据了解，
摘要传感器半导体技术的开发成果日益成为提高传感器集成度的一个典型途径，在很多情况下，为特殊用途的MEMS（微机电系统）类传感器提高集成度的奠定了坚实的基础。本文介绍一个MEMS光热传感器的封装结构以及系统级封装（SIP）的组装细节，涉及一个基于半导体技术的红外传感器结构。传感器封装以及其与传
国发〔2012〕19号 各省、自治区、直辖市人民政府，国务院各部委、各直属机构： 现将《“十二五”节能环保产业发展规划》印发给你们，请认真贯彻执行。 国务院 二○一二年六月十六日 “十二五”节能环保产业发展规划 节能环保产业是指为节约
苏州纳维生产的4 英寸GaN 单晶衬底 一枚看似不起眼、“又轻又薄”的晶片，却能做出高功率密度、高效率、宽频谱、长寿命的器件，是理论上电光、光电转换效率最高的材料体系。这个“小身体大能量”的晶片叫作氮化镓（GaN）衬底晶片，是苏州纳维科技有限公司（以下简称苏州纳维）的主打产品。 “不会游泳的
近日，一则喜讯从京城传到苏州工业园区，苏州纳米技术国家大学科技园经科技部、教育部认定，正式在苏州工业园区成立。 这是全国第一个以产业方向为主题的大学科技园，改变了以往大学科技园的认定模式，明确了产业方向，是我国首个以专业化为特色的国家大学科技园。 模式的变化预示了什么? 变
碳化硅（SiC）单晶是一种宽禁带半导体材料，具有禁带宽度大、临界击穿场强大、热导率高、饱和漂移速度高等诸多特点，被广泛应用于制作高温、高频及大功率电子器件。此外，由于SiC和氮化镓（GaN）的晶格失配小，SiC单晶是GaN基LED、肖特基二极管、MOSFET、IGBT、HEMT等器件的理想衬底材
美国光学学会(Optical Society of American)在今年9月出版的会刊OPN (Optical Photonics News)上封面报道了我国在集成光电子学领域所取得的进展和项目组织情况。其标题为“中国集成光子学研究(Integrated Photonics Resear
近日，中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心研究员闫江团队在硅光子平台开发方面取得新进展，完成硅基波导集成的锗探测器和硅基调制器的流片并取得优良结果。 硅光子技术是集成电路后摩尔时代的发展方向之一，旨在利用基于互补金属氧化物半导体（CMOS)工艺的大规模集成电路技术在硅基衬底上进行光子
全球有40%的能量作为电能被消耗了, 而电能转换最大耗散是半导体功率器件。我国作为世界能源消费大国, 如何在功率电子方面减小能源消耗成了一个关键的技术难题。伴随着第三代半导体电力电子器件的诞生，以碳化硅和氮化镓为代表的新型半导体材料走入了我们的视野。 早在1893年诺贝尔奖获得者法国化
3月15日，中国科学院上海硅酸盐研究所研究员杨勇、黄政仁、刘建军等完成的研究论文Niobium pentoxide: a promising surface-enhanced Raman scattering active semiconductor substrate 在研究所与自然出版集团合
Pfeiffer 分子泵应用于分子束外延 MBE 与扫描隧道显微镜 STM 联用系统 --分析生长晶体表面结构 分子束外延 MBE 是一种晶体生长技术, 将半导体衬底放置在超高真空腔体中, 和将需要生长的单晶物质按元素的不同分别放在喷射炉中, 由分别加热到相应温度的各元素喷射出的分子流能
结束江西考察后，李克强总理密集工作日程并没有片刻停歇。8月24日中午，总理返回北京，当天下午即主持召开国务院常务会议，延续争分夺秒的“克强节奏”。 当天会议的议题，是部署促进消费品标准和质量提升，增加“中国制造”有效供给满足消费升级需求。李克强说，以先进标准引领消费品质量提升，倒逼装备制造业升
碳化硅(SiC)在大功率、高温、高频等极端条件应用领域具有很好的前景。但尽管商用4H-SiC单晶圆片的结晶完整性最近几年显着改进，这些晶圆的缺陷密度依然居高不下。经研究证实，晶圆衬底的表面处理时间越长，则表面缺陷率也会跟着增加。 碳化硅(SiC)兼有宽能带隙、高电击穿场强、高热导率、高
Nature旗下期刊Scientific Reports(《科学报告》)近日刊发了中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室SOI课题组与超导课题组，采用化学气相淀积法(CVD)，在锗衬底上直接制备大面积、均匀的、高质量单层石墨烯的研究成果，文章题目为Direct Gro
中科院苏州纳米技术与纳米仿生所研究员杨辉团队在硅上研制出第三代半导体氮化镓基激光器，这也是世界上第一支可以在室温下连续工作的硅衬底氮化镓基激光器。相关研究成果近日刊登在《自然—光子学》。 随着半导体科技的高速发展，科技工作者发现基于传统技术路线来进行芯片与系统之间的数据通信越来越难以满足更快的
随着物联网、移动互联网等新兴产业的快速发展，智能传感器的市场份额将以约36％的年均复合增长率（CAGR）增长，预计在2020年达到104.6亿美元。智能传感器由传感元件、信号调理电路、控制器（或处理器）组成，具有数据采集、转换、分析甚至决策功能。智能化可提升传感器的精度，降 低 功耗和体积，实现