上海微系统所在300mmSOI晶圆制造技术方面实现突破
近日，上海微系统所魏星研究员团队在300 mm SOI晶圆制造技术方面取得突破性进展，制备出了国内第一片300 mm 射频（RF）SOI晶圆。团队基于集成电路材料全国重点实验室300 mm SOI研发平台，依次解决了300 mm RF-SOI晶圆所需的低氧高阻晶体制备、低应力高电阻率多晶硅薄膜沉积、非接触式平坦化等诸多核心技术难题，实现了国内300mm SOI制造技术从无到有的重大突破。 为制备适用于300 mm RF-SOI的低氧高阻衬底，团队自主开发了耦合横向磁场的三维晶体生长传热传质模型，并首次揭示了晶体感应电流对硅熔体内对流和传热传质的影响机制以及结晶界面附近氧杂质的输运机制，相关成果分别发表在晶体学领域的顶级期刊《Crystal growth & design》（23, 4480–4490, 2023）、《CrystEngComm》（25, 3493–3500, 2023, 封面文章）上。基于此模拟结果指......阅读全文
上海微系统所在300－mm－SOI晶圆制造技术方面实现突破
近日，上海微系统所魏星研究员团队在300 mm SOI晶圆制造技术方面取得突破性进展，制备出了国内第一片300 mm 射频（RF）SOI晶圆。团队基于集成电路材料全国重点实验室300 mm SOI研发平台，依次解决了300 mm RF-SOI晶圆所需的低氧高阻晶体制备、低应力高电阻率多晶硅薄膜沉
PlasmaQuant®－MS－分析晶圆表面金属杂质
分析背景简介 硅片是半导体制造业的基础材料，硅片表面及少量的金属污染都可能导致器件功能的失效，所以硅片表面金属杂质测试是不可或缺的步骤。VPD跟ICPMS 联用检测硅片表面金属杂质是目前最常见的一种手段。目前 VPD也是有成熟的全自动化仪器，它的过程就是利用机械管先将硅片暴露于HF蒸气部分，以
【解决方案】不可思议的晶圆厚度测量
Measuring the Nearly Immeasurable 在柏林费迪南德布劳恩研究所生产的半导体激光和高频放大器晶圆必须达到一个极度精密的层厚度。洁净室工人使用WERTH多传感器坐标测量机监督这个过程。该机配有色差传感器，的无接触捕捉所需的测量元素。 在柏林的费迪南德
表面粗糙度和漆膜厚度的关系
表面粗糙度和漆膜厚度的关系普通钢结构，在喷砂除锈之后，表面粗糙度大概40到70微米，涂40微米的环氧富锌底漆一道。这边确实盖不住基材，然后就给返锈了。问题是：1、我拿干膜测厚仪去测喷砂除锈后的基材表面，有个大概40多微米，请问这个厚度是什么厚度？（氧化皮还是？测厚仪的测量
复合半导体纳米线成功整合在硅晶圆上
据美国物理学家组织网11月9日报道，美国科学家开发出一种新技术，首次成功地将复合半导体纳米线整合在硅晶圆上，攻克了用这种半导体制造太阳能电池会遇到的晶格错位这一关键挑战。他们表示，这些细小的纳米线有望带来优质高效且廉价的太阳能电池和其他电子设备。相关研究发表在《纳米快报》杂志上。 III—
表面粗糙度和干膜涂层厚度的解释
表面粗糙度和干膜涂层厚度的解释普通钢结构，在喷砂除锈之后，表面粗糙度大概40到70微米，涂40微米的环氧富锌底漆一道。这边确实盖不住基材，然后就给返锈了。问题是：1、我拿干膜测厚仪去测喷砂除锈后的基材表面，有个大概40多微米，请问这个厚度是什么厚度？（氧化皮还是？测厚仪的测量原理是测到磁性物质外的厚
为什么晶圆表面需要做金属元素分析？
硅片加工过程中会带来各种金属杂质沾污，进而导致后道器件的失效，轻金属(Na、Mg、Al、K、Ca等)会导致器件击穿电压降低，重金属(Cr、Mn、Fe、Ni、Cu、Zn等)会导致器件寿命降低。因此，硅片作为器件的原材料，其表面金属含量会直接影响器件的合格率。特定的污染问题可导致半导体器件不同的缺陷
晶圆切割设备——晶圆切割机的原理？
芯片切割机是非常精密之设备，其主轴转速约在30,000至 60,000rpm之间，由于晶粒与晶粒之间距很小而且晶粒又相当脆弱，因此精度要求相当高，且必须使用钻石刀刃来进行切割，而且其切割方式系采磨削的方式把晶粒分开。由于系采用磨削的方式进行切割，会产生很多的小粉屑，因此 在切割过程中必须不断地用
表面粗糙度（锚纹深度）与油漆漆膜厚度的关系
表面粗糙度（锚纹深度）与油漆漆膜厚度的关系 案例：普通钢结构，在喷砂除锈之后，表面粗糙度大概40到70微米，涂40微米的环氧富锌底漆一道。这边确实盖不住基材，然后就给返锈了。问题是：1、用干膜测厚仪去测喷砂除锈后的基材表面，有个大概40多微米，请问这个厚度是什么厚度？（氧化皮还是？测厚仪的测量原理是
晶圆搬送机的晶圆卡匣装置的制作方法
半导体晶圆由于需经过各种不同流程的处理且需配合工艺设备，因此会被搬运到不同的工作站。为了方便晶圆的搬运且避免受到外力碰撞，会将多个晶圆收纳于晶圆暂存卡匣中。 一般来说，晶圆暂存卡匣内设置有逐层排列的多个插槽可水平容置多个晶圆，且其一侧面具有一开口可供晶圆的载出及载入。再者，于开口处亦设置有可
英特尔已能够生产用于量子计算芯片的全硅晶圆
去年，英特尔向量子计算的商业化迈出了一小步，拿出了17个量子位超导芯片，随后CEO Brian Krzanich在CES 2018上展示了一个具有49个量子位的测试芯片。与此前在英特尔的量产努力不同，这批最新的晶圆专注于自旋量子位而非超导量子位。这种二次技术仍然落后于超导量子力度，但可能更容易扩
除锈硅磷晶罐
★除锈硅磷晶罐安装步骤及要求★ 1．首先应检查设备外观是否有损坏，如检查无异常，再进行安装。本设备要求安装在室内。 2．设备应安装在制作好的混凝土基础平台上，用设备无须与混凝土基础平台固定。 3．设备安装形式应为旁通式安装，以满足在
晶圆清洗设备的前景
预计未来几年，全球晶圆清洁设备市场将以可观的复合年增长率增长。诸如MEMS，PCB，存储设备，IC和半导体晶圆之类的组件是任何电子设备的基本构建块。电子设备的性能主要取决于单独组件的性能。此外，由于这些组件相对较小，杂质会极大地影响其可靠性和性能。微电子清洗在任何电子设备的有效工作中都起着至关重
晶圆切割设备的目的
晶圆切割的目的，主要是要将晶圆上的每一颗晶粒（Die）加以切割分离。首先要将晶圆（Wafer）的背面贴上一层胶带（Wafer Mount），之后再将其送至晶圆切割机加以切割。切割完后，一颗颗的晶粒会井然有序的排列黏贴在胶带上，同时由于框架的支撑可避免晶粒因胶带皱褶而产生碰撞，而有利于搬运过程。此
晶圆如何通过testkey监控
晶圆特性测试系统由测试仪(tester)与探针台(prober)共同组成，探针台上具有包括多个探针的探针卡，在测试之前的第一步是将探针卡上的探针扎到零点testkey对应的焊垫(pad)上，扎针动作由探针台主导；第一步扎针完成之后，需要在探针台侧进行人工确认扎针对应的零点testkey位置和针迹效果
晶圆测试与探针台
晶圆测试是在半导体器件制造过程中执行的一个步骤。在此步骤中，在将晶圆送至芯片准备之前执行，晶圆上存在的所有单个集成电路都通过对其应用特殊测试模式来测试功能缺陷。晶圆测试由称为晶圆探针器的测试设备执行。晶圆测试过程可以通过多种方式进行引用：晶圆最终测试 (WFT)、电子芯片分类 (EDS) 和电路
SGOI、SODI新结构材料及其相关技术研究
随着芯片制造业遵循摩尔定律向大尺寸晶圆450mm、光刻线宽nm级、高精度、高效率、低成本发展，集成电路也逐步从微电子时代发展到微纳米电子时代，现有的体硅材料和工艺正接近它们的物理极限，遇到了严峻的挑战。应变硅技术、SOI（Silicon-on-Insulator）技术和高K栅介质材料是三项在硅材料与
VCSEL晶圆探针台招标项目
标讯类别： 国内招标招标编号：资金来源： 其他招标人：开标时间：招标代理： VCSEL晶圆探针台招标项目的潜在投标人应在网上报名获取招标文件，并于2023年07月10日 14时00分（北京时间）前在线递交投标文件。逾期提交的投标文件恕不接受。本项目电子投标文件最大容量为100MB，超过此容量的文件
晶圆切割设备的切割方法
目前，硬脆材料切割技术主要有外圆切割、内圆切割和线铭切割。外圆切割组然操作简便，但据片刚性差，切割过程中锯片易跑偏.导致被切割工们的平行度差:而内圆切割只能进行直线切割.无法进行曲面切割.线锯切割技术具有切缝窄、效率高、切片质量好、可进行曲线切别等优点成为口前广泛采用的切割技术。 内圆切割时晶
圆片周边厚度自动激光测厚仪研发
引言接触式测厚仪采用进口自带气缸型接触式传感器对带材的壁厚进行测量。主要应用于各种板材的厚度测量，在线检测和离线检测均可，并能实现自动反馈控制以及与电脑的联机通讯。1、基本原理整体设备配置有：测量主机（包括上、下测头）、步进电机（自选）、外接显示屏（可选）、报警单元等。具体操作步骤：将圆片放置在可旋
关于粗糙度和干膜厚度
表面粗糙度和漆膜厚度的关系普通钢结构，在喷砂除锈之后，表面粗糙度大概40到70微米，涂40微米的环氧富锌底漆一道。这边确实盖不住基材，然后就给返锈了。问题是：1、我拿干膜测厚仪去测喷砂除锈后的基材表面，有个大概40多微米，请问这个厚度是什么厚度？（氧化皮还是？测厚仪的测量
晶圆切割设备的重要性
现阶段，硬脆材料切割技术主要有外圆切割、内圆切割和线铭切割。外圆切割组然操作简单，但据片刚性差，切割全过程中锯片易方向跑偏.造成 被切割工们的平面度差:而内圆切割只有进行直线切割.没法进行斜面切割.线锯切割技术具备割缝窄、高效率、切成片性价比高、可进行曲线图切别等优点成为口前普遍选用的
晶圆清洗设备的目的和分类
半导体晶圆对微污染物的存在非常敏感，为了达成晶圆表面无污染物的目标，必须移除表面的污染物并避免在制程前让污染物重新残余在晶圆表面。因此半导体晶圆在制造过程中，需要经过多次的表面清洗步骤，以去除表面附着的金属离子、原子、有机物及微粒。 目前晶圆清洗技术大致可分为湿式与干式两大类，仍以湿式清洗法为
先进的半导体工艺：FinFET简介
FinFET简介 FinFET称为鳍式场效晶体管(FinField-EffectTransistor；FinFET)是一种新的互补式金氧半导体(CMOS)晶体管。闸长已可小于25奈米。该项技术的发明人是加州大学伯克利分校的胡正明教授。Fin是鱼鳍的意思，FinFET命名根据晶体管的形状
上海微系统所锗辅助绝缘体上石墨烯材料生长研究获进展
近期，中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室SOI(绝缘体上硅)材料与器件课题组在绝缘体衬底上直接制备石墨烯研究方面取得新进展。制备绝缘体上石墨烯是推动石墨烯在微电子领域应用的重要基础条件，针对这一需求，SOI材料与器件课题组的研究人员使用锗薄膜做催化剂，通过化学气相沉积
薄膜参考板
薄膜参考板当我们测量很薄的硅晶圆或光学板层时可以使用我们的硅-二氧化硅参考晶圆。硅-二氧化硅阶梯形晶圆的表面直径是100mm，有5种不同厚度的校正镀层分布在上面从0-500nm，用于测量膜厚和不同基底的透射层是理想的参比标准。步进板由很薄的二氧化硅片镀在硅片上所构成。校正数据—硅板经过椭
粗糙度仪又叫表面粗糙度仪
粗糙度仪又叫表面粗糙度仪尊敬的客户：您好！欢迎光临本公司，温馨提示：粗糙度仪 产品的更多信息可以我们公司的了解，我们将竭诚为您服务！粗糙度仪又叫表面粗糙度仪、表面光洁度仪、表面粗糙度检测仪、粗糙度测量仪、粗糙度计、粗糙度测试仪等多种名称，国外先研发生产后来才引进国内。粗糙度仪测量工件表面粗糙度时，将
使用表面粗糙度仪比较样块检验表面粗糙度仪
表面粗糙度仪比较样块的使用方法，是以样块工作面的表面粗糙度仪为标准，凭触觉（如指甲），视觉（可借助于放大镜，比较显微镜）等与待检查的工件表面进行比较，从而判断工件加工后的表面粗糙度仪公称值是否合乎要求。具体方法如下。 1、 触觉法，用手指或指甲抚摸被检表面和粗糙度仪比较样块的工作面，凭手的
什么是表面粗糙度
表面粗糙度对大部分参与滑动接触的表面而言是非常重要的。因为磨损的原始速率及持续的性质等因素高度依赖这一特性。这些表面一般是承重面，而且需标识粗糙度以确保预计用途的适用性。 许多零部件需要具有特定的表面加工结果，以便达成所要求的功能。例如烤漆前的汽车车体或曲轴或凸轮轴上的颈轴承。
什么是表面粗糙度
表面粗糙度对大部分参与滑动接触的表面而言是非常重要的。因为磨损的原始速率及持续的性质等因素高度依赖这一特性。这些表面一般是承重面，而且需标识粗糙度以确保预计用途的适用性。 许多零部件需要具有特定的表面加工结果，以便达成所要求的功能。例如烤漆前的汽车车体或曲轴或凸轮轴上的颈轴承。