中国科大构筑出暖白光发光二极管器件
近日，中国科学技术大学姚宏斌课题组基于新型铜碘杂化团簇，构筑出低成本、高效率、高亮度暖白光发光二极管（LED）器件。得益于所设计的铜碘杂化团簇具备的高构型熵、高发光效率和宽光谱发射等特性，研究实现了高效暖白光LED器件无掺杂、低成本、大面积的溶液法涂布制备，这是非铅金属卤化物LED领域的新突破。相关研究成果以High efficiency warm-white light-emitting diodes based on copper–iodide clusters为题，发表在《自然-光子学》（Nature Photonics）上。如今LED照明技术和产业取得了发展。其中，溶液法涂布制备的LED器件因制造工艺简单和可操作性强，被认为是实现下一代大面积固态照明的低成本技术路线。目前，基于铅卤化物钙钛矿材料、有机半导体材料以及各种胶体核壳量子点材料的溶液法LED器件，逐步实现了较高的电致发光性能。然而，铅卤化物钙钛矿和CdSe量子点......阅读全文
什么二极管可以代替肖基特二极管
一、在满足耐压，整流电流，没有特殊要求情况下可以使肖特基二极管与快速恢复二极管互换。 二、肖特基二极管的简单介绍： 肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电
快恢复二极管与肖特基二极管有什么区别？
肖特基二极管是属于低功耗、大电流、超高速的半导体器件，其特长是开关速度非常快，反向恢复时间可以小到几个纳秒，正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千安。所以适合在低电压、大电流的条件下工作，电脑主机电源的输出整流二极管就采用了肖特基二极管。 肖特基二极管是以N型半导体为基片，在上
肖特基二极管和稳压二极管有什么区别
肖特基二极管不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。由于肖特基势垒高度低于PN结势垒高度，故其正向导通门限电压和正向压降都比PN结二极管低（约
如何检测二极管
1、检测小功率晶体二极管A.判别正、负电极(a)观察外壳上的符号标记。通常在二极管的外壳上标有二极管的符号，带有三角形箭头的一端为正极，另一端是负极。(b)观察外壳上的色点。在点接触二极管的外壳上，通常标有极性色点(白色或红色)。一般标有色点的一端即为正极。还有的二极管上标有色环，带色环的一端则为负
激光二极管简介
激光二极管：激光二极管是当前最为常用的激光器之一，在二极管的PN结两侧电子与空穴的自发复合而发光的现象称为自发辐射。当自发辐射所产生的光子通过半导体时，一旦经过已发射的电子—空穴对附近，就能激励二者复合，产生新光子，这种光子诱使已激发的载流子复合而发出新光子现象称为受激辐射。如果注入电流足够大，
肖特基二极管和快恢复二极管又什么区别？
对于高频开关电源来说,由于频率很高(相位变换)当正半周时二极管正篇导通此时无影响,如果肖特基二极管反向恢复比较慢时,当负半周到来由于肖特基二极管还没有从正偏时的导通状态变成截止相当于短路就等于是负半周的电压与正半周的电压叠加在肖特基二极管两端,由于频率很快,反向的时间就很短(等同与短路时间很短
肖特基二极管和快恢复二极管有什么区别详解
肖特基二极管的基本原理是：在金属（例如铅）和半导体（N型硅片）的接触面上，用已形成的肖特基来阻挡反向电压。肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。其耐压程度只有40V左右。其特长是：开关速度非常快：反向恢复时间特别地短。因此，能制作开关二极管和低压大电流整流二极管。 肖特基二极管它是具有
肖基特二极管和开关二极管的区别
1:开关二极管是利用二极管的单向导电性，在半导体PN结加上正向偏压后，在导通状态下，电阻很小（几十到几百欧）；加上反向偏压后截止，其电阻很大（硅管在100MΩ以上）。利用开关二极管的这一特性，在电路中起到控制电流通过或关断的作用，成为一个理想的电子开关。开关二极管的正向电阻很小，反向电阻很大，开关速
肖特基二极管和整流二极管区别在哪里
肖特基（Schottky）二极管是一种快恢复二极管，它属一种低功耗、超高速半导体器件。其显著的特点为反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右。肖特基（Schottky）二极管多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管，也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号
二极管的检测方法
检测小功率晶体二极管A.判别正、负电极(a)观察外壳上的符号标记。通常在二极管的外壳上标有二极管的符号，带有三角形箭头的一端为正极，另一端是负极。(b)观察外壳上的色点。在点接触二极管的外壳上，通常标有极性色点(白色或红色)。一般标有色点的一端即为正极。还有的二极管上标有色环，带色环的一端则为负极。
单分子二极管问世
美国哥伦比亚大学应用物理学副教授拉莎·文卡塔拉曼指导的研究团队开发了一种新技术，成功创建出首个单分子二极管，其性能比之前所有设计的要高50倍，有望在纳米器件领域获得实际应用。论文发表在5月25日的《自然·纳米技术》杂志上。 单分子器件是电子设备微型化的极致。亚利耶·艾佛莱姆和马克·瑞特在197
肖特基二极管的应用
肖特基二极管的结构及特点使其适合于在低压、大电流输出场合用作高频整流，在非常高的频率下(如X波段、C波段、S波段和Ku波段)用于检波和混频，在高速逻辑电路中用作箝位。在IC中也常使用肖特基二极管，像肖特基二极管，TTL集成电路早已成为TTL电路的主流，在高速计算机中被广泛采用。除了普通PN结肖特基二
肖特基二极管的原理
肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的扩
肖特基二极管的结构
新型高压SBD的结构和材料与传统SBD是有区别的。传统SBD是通过金属与半导体接触而构成。金属材料可选用铝、金、钼、镍和钛等，半导体通常为硅（Si）或砷化镓（GaAs）。由于电子比空穴迁移率大，为获得良好的频率特性，故选用N型半导体材料作为基片。为了减小SBD的结电容，提高反向击穿电压，同时又
肖特基二极管如何检查损耗？
在实际应用中，肖特基二极管的损耗如何检查。对于任何肖特基二极管，在设计时都存在一个取舍。即此设备要么针对低Vf进行优化，要么针对低Ir进行优化。因此，如果选择低Vf，则Ir就较高，反之亦然。肖特基二极管在实际应用设计时，重要的是不仅要观察Vf或Ir的值，还要分析它们在实际操作中会产生什么结果。Vf和
雪崩二极管的工作原理
雪崩二极管是利用半导体结构中载流子的碰撞电离和渡越时间两种物理效应而产生负阻的固体微波器件。 雪崩二极管的工作原理： 在材料掺杂浓度较低的PN结中，当PN结反向电压增加时，空间电荷区中的电场随着增强。这样，通过空间电荷区的电子和空穴，就会在电场作用下获得的能量增大，在晶体中运动的电子
二极管的特性与应用
几乎在所有的电路中，都要用到半导体，它在许多的电路中起着重要的作用，它是诞生早的半导体器件之一，其应用也非常广泛。 1、整流二极管 利用二极管单向导电性，可以把方向交替变化的交流电变换成单一方向的脉动直流电。 2、开关元件 二极管在正向电压作用下电阻很小，处于导通状态，相
肖特基二极管选型关键参数
1：VR 连续反向电压。若肖特基两端的反向电压超过此电压，则肖特基将被击穿导通。2：VF正向导通压降。这是肖特基导通时两端的压降。3：IF连续正向电流。若肖特基正向导通的电流超过该值，则肖特基将被烧断截止。4：IR反向漏电流。根据肖特基的特点，该参数会随着温度的升高而增大，因此，设计者在设计PCB或
肖特基二极管的检测方法
下面通过一个实例来介绍检测肖特基二极管的方法。检测内容包括：①识别电极；②检查管子的单向导电性；③测正向导压降VF；④测量反向击穿电压VBR。 被测管为B82-004型肖特基管，共有三个管脚，将管脚按照正面（字面朝向人）从左至右顺序编上序号①、②、③。选择500型万用表的R×1档进行测量，全部数
超薄发光二极管软片问世
据美国物理学家组织网10月19日报道，美国伊利诺斯大学香槟分校和一个国际联合研究小组的研究人员日前开发出了一种超薄发光二极管(LED)软片，可用于医疗、传感器制造等多个领域。相关研究10月17日发表在《自然·材料》杂志网站上。 据称，这种新型发光二极管呈网格状，100微米见
发现生活中的肖特基二极管
我们的生活中，处处充满着科技的产物，电视机、电冰箱、电脑、汽车、太阳能路灯等等。你见过了那么多的科技产品，可知道肖特基二极管正在充斥着我们的生活？改变着我们的生活质量？二极管作用： 二极管又称晶体二极管，只往一个方向传送电流（单向导通）的电子零件。几乎在所有的电子电路中都要用到半导体二极管。
辨别肖特基二极管好坏的窍门
随着电子行业的不断发展与进步，已经慢慢与人们的生活融为一体，人们也越来越离不开电子产品，同时也对其产品的性能大幅度提高，对于不同的产品来说，品质好坏决定因素不同，标准也不尽相同。其他质量好坏标准我们不知道，但是有关肖特基二极管的我们却是行家，肖特基二极管主要应用于开关电源及便携式电子产品中，由于
光电二极管的工作原理
光电二极管是将光信号变成电信号的半导体器件。它的核心部分也是一个PN结，和普通二极管相比，在结构上不同的是，为了便于接受入射光照，PN结面积尽量做的大一些，电极面积尽量小些，而且PN结的结深很浅，一般小于1微米。 光电二极管是在反向电压作用之下工作的。没有光照时，反向电流很小（一般小于0.1微
三端肖特基二极管好坏判断
三端型肖特基二极管应先测出其公共端,判别出是共阴对管,还是共阳对管,然后再分别测量两个二极管的正、反向电阻值。现以两只分别为共阴对管和共阳对管的肖特基二极管测试为例,说明具体的检测方法,将引脚分别标号为l、2和3,万用表置于“R×1’’挡进行下述三步测试,如图5—45所示。 第一步:
二极管阵列检测器概述
二极管阵列检测器 即光电二级阵列管检测器又称光电二极管列阵检测器或光电二极管矩阵检测器，表示为PDA（photo-diode array）、PDAD（photo-diode array detector）或（Diode array detector，DAD）是20世纪80年代出现的一种光学多通道
光电二极管简介和原理
光电二极管（Photo-Diode）和普通二极管一样，也是由一个PN结组成的半导体器件，也具有单方向导电特性。但在电路中它不是作整流元件，而是把光信号转换成电信号的光电传感器件。 原理 普通二极管在反向电压作用时处于截止状态，只能流过微弱的反向电流，光电二极管在设计和制作时尽量使PN结的面积
体效应二极管振荡器
砷化镓和磷化铟等材料的薄层具有负阻特性，因而无需P-N结就可以产生微波振荡。它的工作原理与通常由P-N结组成的半导体器件不同，它不是利用载流子在P-N结中运动的特性，而是利用载流子在半导体的体内运动的特性，是靠砷化镓等材料“体”内的一种物理效应工作的，所以这类器件被称为体效应二极管或耿氏二极管（
肖特基二极管的的优缺点
优点 1）由于肖特基势垒高度低于PN结势垒高度，故其正向导通门限电压和正向压降都比PN结二极管低（约低0.2V）。 2）由于SBD是一种多数载流子导电器件，不存在少数载流子寿命和反向恢复问题。SBD的反向恢复时间只是肖特基势垒电容的充、放电时间，完全不同于PN结二极管的反向恢复时间。由于SBD的
点接触型二极管的分类
1、一般用点接触型二极管 这种二极管正如标题所说的那样，通常被使用于检波和整流电路中，是正向和反向特性既不特别好，也不特别坏的中间产品。如：SD34、SD46、1N34A等等属于这一类。 2、高反向耐压点接触型二极管 是峰值反向电压和直流反向电压很高的产品。使用于高压电路的检波
光电二极管的检测方法
①电阻测量法 用万用表1k挡。光电二极管正向电阻约10MΩ左右。在无光照情况下，反向电阻为∞时，这管子是好的(反向电阻不是∞时说明漏电流大)；有光照时，反向电阻随光照强度增加而减小，阻值可达到几kΩ或1kΩ以下，则管子是好的；若反向电阻都是∞或为零，则管子是坏的。 ②电压测量法 用万用表1