响应设备更新政策|半导体制造工艺、结构与表征解决方案

半导体制造工艺电动汽车等高新技术领域对高效动力转换的需求与日俱增,碳化硅与氮化镓材料扮演关键性角色,有效降低能耗并提升动力转换效率。牛津通过原子层沉积(ALD)与原子层刻蚀(ALE)技术优化了器件工艺。ALD工艺出色的 AlN/Al2O3/SiO2 钝化薄膜有效降低器件中的阈值电压漂移。而ALE低损伤与原子等级的厚度精准控制更对纳米等级栅槽的形貌达成完美的诠释。应用案例全自动刻蚀和沉积设备在 3D Sensor 批量生产中的应用原子层沉积(ALD)与原子层刻蚀(ALE)使碳化硅与氮化镓功率器件更高效提供 MicroLED 芯片制造解决方案虚拟实境 ARVR 光学衍射组件制造技术 筛选低阈值 FET,用于低功耗低温电子器件半导体结构与表征摩尔“定律”在过去 50 年间持续推动半导体行业向器件小型化趋势发展,对半导体材料、制造工艺和检测技术提出了更高要求。EDS 和 EBSD 技术已被广泛应用......阅读全文

响应设备更新政策-|-半导体制造工艺、结构与表征解决方案

半导体制造工艺电动汽车等高新技术领域对高效动力转换的需求与日俱增,碳化硅与氮化镓材料扮演关键性角色,有效降低能耗并提升动力转换效率。牛津通过原子层沉积(ALD)与原子层刻蚀(ALE)技术优化了器件工艺。ALD工艺出色的 AlN/Al2O3/SiO2 钝化薄膜有效降低器件中的阈值电压漂移。而ALE低损

半导体集成电路的制造工艺

  集成电路在大约5mm×5mm大小的硅片上,已集成了一台微型计算机的核心部分,包含有一万多个元件。集成电路典型制造过程见图1。从图1,可以看到,已在硅片上同时制造完成了一个N+PN晶体管,一个由 P型扩散区构成的电阻和一个由N+P结电容构成的电容器,并用金属铝条将它们连在一起。实际上,在一个常用的

「官网」2024深圳12届国际半导体晶圆制造工艺展「半导体展会」

「官网」2024深圳12届国际半导体展「半导体展会」展会时间:2024年4月9日-11日论坛时间:2024年4月9日-11日举办地点深圳福田会展中心 (深圳市福田中心区福华三路)展会规模: 面积10万平米,展商1800余家,展位3600多个,观众近10万人次展会报名:136 (李先生)中间四位数:5

集电器的制造工艺

  导电环  导电环材料应具有:良好的导电性,抗火花烧伤性;良好的抗腐蚀性和抗有机污染性能;耐磨性和小的摩擦系数,以减少摩擦力矩,提高寿命;良好的工艺性能。  导电环常采用银铜合金(如AgCu10)、银镍铜合金(如AgCuNi20-2)等管材,通过车加工得到,也可以用板材冲制而成。有的航空电机导电环

漫谈半导体工艺节点(二)

  可能的选择  短期内,芯片制造商们明确地会在FinFet和二维的FD-SOI技术上将节点推进到10nm。到了7nm之后,沟道上的的“门”就会上去控制,这就亟待一种全新的晶体管架构。  7nm上的一个领先竞争者就是高电子迁移率的FinFet,也就是在沟道上使用III-V 材料的FinFet

漫谈半导体工艺节点(一)

  近来,GlobalFoundries宣布将会推进7nm FinFET工艺,引发了行业对工艺节点、光刻等技术的探讨。本文是来自SemiEngineering 2014年的一篇报道,带领大家了解7nm工艺及以后的半导体业界的发展方向。(由于推测是2014年的,事实上可能有点过时,希望

漫谈半导体工艺节点(三)

  Brand指出,环形栅极场效应管并没有想象中那么不稳定,它其实非常实用,你甚至可以把它当做FinFET的改良版。实际上它只是在沟道上增加了几个面。Brand不确定环形栅极场效应管是否能在7nm实现,或者在5nm实现,这一切都取决于业界的进展。更决定于公司在降低栅极长度上是否足够激进。  

传感器制造工艺简述

石油仪器中的传感器作为工业发展过程中重要的检测装置,一直以来有着重要地位;传感器在石油仪器设备行业同样肩负着重要的使命。为了加深大家对于传感器的了解,今天就为大家揭开传感器制造工艺的什么面纱: 传感器制造的简易步骤: 1)以注塑方法,成型传感器本体; 2)将带有感应头的电路板安装在

2015-CISILE分论坛—仪器制造业制造工艺

  分析测试百科网讯 第十三届中国国际科学仪器及实验室装备展览会(CISILE)于4月23日至25日在北京国家会议中心召开。本届CISILE展会秉承一贯的优良传统,除了大规模展商展览之外,大会期间还举办了五大高峰论坛。24日,仪器制造业制造工艺专题论坛成功举行,吸引了行

增材制造中TPU材料的性能表征

  摘要:增材制造中材料性能影响到其在3D打印中加工的性能以及最终产品的质量,TPU是首批可用于SLS工艺的柔性材料之一。本文从粉末流动性,粒度粒形以及比表面积等各项性能来表征TPU材料的性能,用于评估其对于最终加工性能的影响。   关键词:增材制造;性能表征;粉末流动性;粒度粒形表征;比表面

半导体设备制造展|2024上海国际半导体设备制造展览会「官网」

展会名称:2024中国(上海)国际半导体展览会英文名称:China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展会时间:2024年11月18-20日 论坛时间:2024年11月18-19日 展会地点:上海新国际

充气式试验变压器的制造结构及工艺指标要求

充气式试验变压器适用于各种电器产品、电气设备、绝缘材料等在规定电压下的绝缘强度试验,考核产品的绝缘水平,发现被试品的绝缘缺陷及衡量承受过电压的能力。是发电站、供配电系统及科研单位等广大用户的基本试验设备。充气式试验变压器产品特征:1、充气是试验变压器选材优良,质量可靠,稳定性好;2、该油变采用新式绝

半导体工艺废气如何处理

半导体废气处理废气介绍:由于半导体工艺对操作室清洁度要求极高,通常使用风机抽取工艺过程中挥发的各类废气,因此半导体行业废气排放具有排气量大、排放浓度小的特点。废气排放也以挥发为主。这些废气主要可以分为四类:酸性废气、碱性废气、有机废气和有毒废气。废气危害:半导体制造工艺中产生的废气如果没有经过很好的

先进的半导体工艺:FinFET简介

  FinFET简介  FinFET称为鳍式场效晶体管(FinField-EffectTransistor;FinFET)是一种新的互补式金氧半导体(CMOS)晶体管。闸长已可小于25奈米。该项技术的发明人是加州大学伯克利分校的胡正明教授。Fin是鱼鳍的意思,FinFET命名根据晶体管的形状

锂电池的制造工艺简介

  锂离子电池有两种制造工艺,分别为:卷绕工艺和叠片工艺。这两种工艺的首要差异和工艺称号的来历是锂电池极片安装方法的差异。  卷绕电池与叠片电池的放电平台有差距。电池工艺的不同,会影响锂离子电池的放电——能量密度。  能量密度(Wh/L)=电池容量(mAh)×3.7(V)/厚度(cm)/宽度(cm)

石墨电极制造的工艺过程

石墨电极制造的工艺过程1.加工电极固定板。电极固定板可用厚度为8—15mm的铝板或钢板制成,形状可以是长方形或与电极上端面一致。石墨电极外形轮廓的加工及电火花成形加工时的电极安装,常以电极固定板为基准,因此对电极固定板应有一定的精度要求。2.准备样板。电极型体不易直接测量,对较为特殊的曲线截面应制作

超纯水制造系统工艺流程

 超纯水的工艺大致分成以下3种:  1、采用离子交换树脂制备电子工业超纯水的传统水处理方式,其基本工艺流程为:原水→多介质过滤器→活性炭过滤器→精密过滤器→中间水箱→阳床→阴床→混床(复床)→超纯水箱→超纯水泵→后置保安过滤器→用水点  2、采用反渗透水处理设备与离子交换设备进行组合制备电子工业超纯

电力变压器的制造工艺

  电力变压器由器身和附件两大部分组成。器身又由线圈、绝缘件、铁心、分接开关、变压器油和油箱组合而成。变压器的附件有储油柜、冷却器、套管、瓦斯继电器、压力释放器及温度计等。其中冷却器、绝缘油、套管、分接开关、瓦斯继电器、压力释放器及温度计等都是从外面采购。下面仅简单介绍几种主要部件的制造工艺。  1

半导体集成电路的工艺保障

  1)原材料控制。包括对掩膜版、化学试剂、光刻胶、特别对硅材料等原材料的控制。控制不光采用传统的单一检验方式,还可对关键原材料采用统计过程控制(statisticalprocesscontrol,SPC)技术,确保原材料的质量水平高,质量一致性好。  2)加工设备的控制。除采用先进的设备进行工艺加

手机锂离子电池工艺制造流程

  提到电池,很多人都会知道其基本结构,如正负极耳、正负极片、隔膜、电解液等,但对于电池是怎么做出来的,知道的就很少。  而今天,我就来说说电池是如何生产出来的,当然主要说的是手机电脑等锂离子电池,其它设备的电池制造工序也大同小异,在此就不介绍了。  首先说一下电池的基本制造工序,后面我再对各个工序

真空电子器件制造相关工艺简介

  玻璃封接工艺  玻璃之间和玻璃与金属之间的熔封是常用的工艺之一,多已实现自动化操作。利用这种技术制成电极引线或芯柱,并将管壳与芯柱封接在一起。  铟封工艺  两种膨胀系数相差很大的玻璃或玻璃与各种晶体、玻璃与金属间的真空密封,可用高纯铟作焊料冷压而成。这种工艺常用于摄像管窗口和管壳间的封接。它适

搪玻璃反应釜的制造工艺

  搪玻璃反应釜是将含有高二氧化硅的玻璃衬在钢制容器的内表面上,并在高温下将其燃烧而牢固地粘附在金属表面上,从而成为复合产品。所以它是一种优良的耐腐蚀设备。那它的生产过程是什么?  搪玻璃反应釜首先用胎具将钢板压制成符合烧制要求的折流板,其横截面类似字母“Ω”形,挡板的宽度h为釜体直径的1/8 ~

动力电池制造过程的卷绕工艺与叠片工艺介绍

动力电池一般分为方壳、软包、圆柱三种形态,多采用卷绕和叠片两种工艺,存在各自不同的优劣势。以卷绕方式组合成形的电芯所组成的电池,称为卷绕电池;叠片电池即应用叠片工艺的车用锂电池。从电池放电平台方面看,卷绕锂电池由于内阻高极化大,一部分电压被消耗于电池内部极化,因而放电平台略低。  叠片锂电池内阻较低

我国半导体芯片制造底层技术短板待补

原文地址:http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/11/511585.shtm在过去200多年中,人们在半导体中发现了许多物理效应,其中真正改变人们生活的伟大发现有三个:晶体管、半导体激光器和白光照明。晶体管是半导体芯片的基础,从人工智能、移动通讯到云计算、互

半导体芯片制造废水处理方法

   芯片制造生产工艺复杂,包括硅片清洗、化学气相沉积、刻蚀等工序反复交叉,生产中使用了大量的化学试剂如HF、H2SO4、NH3・H2O等。 所以一般芯片制造废水处理系统有含氨废水处理系统+含氟废水处理系统+CMP研磨废水处理系统。

元素半导体的结构

具有半导体特性的元素,如硅、锗、硼、硒、碲、碳、碘等组成的材料。其导电能力介乎导体和绝缘体之间。主要采用直拉法、区熔法或外延法制备。工业上应用最多的是硅、锗、硒。用于制作各种晶体管、整流器、集成电路、太阳能电池等方面。其他硼、碳(金刚石、石墨)、碲、碘及红磷、灰砷、灰锑、灰铅、硫也是半导体,但都尚未

半导体工艺废气如何处理有效果

半导体行业中使用的清洗剂、显影剂、光刻胶、蚀刻液等溶剂中含有大量有机物成分,在工艺过程中,这些有机溶剂大部分通过挥发成为废气排放。其废气的主体是VOCs,同时废气中还混合了HCl、氨、HF等危险污染物。半导体有机废气处理办法采用RTO设备处理RTO蓄热式氧化炉是在高温下将可燃废气氧化成氧化物和水,净

Agilent-B1500A-半导体器件参数分析仪/半导体表征系统主机

Agilent B1500A 半导体器件参数分析仪/半导体表征系统主机  15815566786=======================================深圳佳捷伦电子仪器有限公司联系人:陈娟/欧阳手机:15815566786/13510500080电话:0755-8951811

「官网」2024深圳12届国际半导体制造展「半导体展会」

「官网」2024深圳12届国际半导体展「半导体展会」展会时间:2024年4月9日-11日论坛时间:2024年4月9日-11日举办地点深圳福田会展中心 (深圳市福田中心区福华三路)展会规模: 面积10万平米,展商1800余家,展位3600多个,观众近10万人次展会报名:136 (李先生)中间四位数:5