中国科学家晶体管开发取得突破
中国研究人员8月8日在美国《科学》杂志上报告说，他们在集成电路的基本单元晶体管研究上取得突破，发明了一种名为半浮栅晶体管的新型基础微电子器件，可让数据擦写更容易、迅速，整个过程都可在低电压条件下完成，为实现芯片低功耗运行创造了条件。 研究负责人、复旦大学教授王鹏飞对新华社记者说：“我国集成电路产业主要依靠引进和吸收国外成熟的技术，在微电子核心器件及集成工艺上缺乏核心技术。半浮栅晶体管作为一种新型的微电子基础器件，它的成功研制将有助我国掌握集成电路的核心技术，从而在芯片设计与制造上逐渐获得更多话语权。” 据王鹏飞介绍，金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)是目前集成电路中的主流器件，过去几十年工艺的进步让MOSFET晶体管的尺寸不断缩小，越来越接近其物理极限，基于新结构和新原理的晶体管成为当前业界急需。半浮栅晶体管的前瞻研究就是在这种情况下展开。 他说，半浮栅晶体管是在MOSFET晶体管中内嵌一个广......阅读全文
我国与海外合作者在新型光晶体管器件研究领域取得进展
图 （a）极化激元晶体管的基本原理图，（b）极化激元晶体管光学显微镜照片 在国家自然科学基金项目（批准号：51925203、52072083、62075070、51902065）等资助下，国家纳米科学中心戴庆研究员团队在新型光晶体管器件方面取得进展。相关研究成果以“电栅极可调的中红外极化激元负折射
木质晶体管让电子器件长在树上
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/4/499338.shtm ?由轻木制成的木制晶体管。图片来源：Van Chinh Tran一种由导电木材制成的电气开关，可能成为未来嵌入活树和其他植物中的电子设备的基石。相关研究成果近日发表于美国
物理所单分子晶体管器件研究获进展
原文地址：http://www.cas.cn/syky/202103/t20210324_4782104.shtml 当器件的小型化趋势使得晶体管的尺寸进入到深纳米尺度的领域（
美研制出新型“4维”晶体管
据物理学家组织网12月6日(北京时间)报道，美国普渡大学和哈佛大学的研究人员推出了一项极为应景的新发明：一种外形如同一颗圣诞树一样的新型晶体管，其重要组件“门”(栅极)的长度缩减到了突破性的20纳米。这个被称为“4维”晶体管的新事物预告了引领半导体工业和未来计算机领域发展的潮流。该研究成果将于1
新型生物纳米电子晶体管构建成功
据美国物理学家组织网5月13日报道，美国劳伦斯利弗莫尔国家实验室的科学家建造了可由三磷酸腺苷（ATP）驱动和控制的生物纳米电子混合晶体管。他们称，新型晶体管是首个整合的生物电子系统，其将为义肢等电子修复设备与人体的融合提供重要途径。相关研究发布在近期出版的《纳米快报》（
新型石墨烯晶体管实现高开关比率
据物理学家组织网1月23日(北京时间)报道，英国曼彻斯特大学的科研人员设计出一种新型石墨烯晶体管，在其中电子可借助隧穿和热离子效应，同时从上方和下方穿越障碍，并在室温下展现出高达1×106的开关比率。 石墨烯晶体管获得较高的开关比率一直难以实现，而有了高开关比，以及其在柔性、透明基板上的操
倒置范徳华堆垛开展隧穿晶体管器件研究获突破
近日，中科院金属所研究人员利用范徳华人工堆垛技术，在少数原子层硫化钼与金属电极之间插层高质量六方氮化硼（h-BN）隧穿结构，成功制造出能够通过门电压调制的双极反向整流器件。 该项研究工作由沈阳材料科学国家（联合）实验室磁学与磁性材料研究部研究员张志东与韩拯主持，国内外多家科研单位共同合作完成
新型纳米晶体管可直接探测细胞内部
据美国物理学家组织网、英国《自然》杂志网站8月12日报道，美国哈佛大学化学家和工程师共同制造了一种最新的V形纳米晶体管，外膜覆有一层磷脂双分子层，能非常容易地进入细胞内部进行检测，而不会对细胞造成任何可见伤害。 这种新设备称为纳米级场效应传感器或纳米FETs，在本周出版的《
科学家研制出新型量子晶体管
记者日前从中科大获悉：该校郭国平教授研究组与日本科学家合作，首次在半导体柔性二维材料体系中实现了全电学调控的量子点器件。这种新型半导体量子晶体管为制备柔性量子芯片提供了新途径。最新一期国际权威学术期刊《科学·进展》发表了该成果。 经过几十年发展，半导体门控量子点作为一种量子晶体管，已成为制备量
亚麻纤维“织成”晶体管－取代柔性电子器件中的刚性组件
美国塔夫茨大学官网近日发布公告称，该校研究人员开发出一种由亚麻纤维制成的晶体管，利用这些晶体管制成的全柔性电子器件可编织成织物佩戴在皮肤上，甚至（理论上）可通过外科手术植入体内进行诊断监测。相关成果发表于《美国化学会—应用材料与界面》杂志。 研究人员表示，新设计的晶体管可制成简单的、基于纤维的
新型太赫兹微流器件研发取得进展
微生物污染已成为国内外突出的食品安全问题，而由此引发的食源性疾病严重危害了人类的健康。我国每年的官方通报中，细菌性食物中毒的报告数和波及人数最多。因此，开展食源性致病菌的快速、准确监测具有十分重要的意义。 近期，广东省农业科学院农业质量标准与监测技术研究所与浙江大学合作研发了一种基于超表面-石
用于雷达的新型真空电子器件（三）
4 太赫兹真空电子器件太赫兹波由于具有频率高、宽带宽、波束窄等特点，使得其在雷达探测领域具有重大的应用潜力。频率高意味着具有较高的多普勒带宽，具有良好的多普勒分辨力，测速精度更高；由于太赫兹波对目标形状细节敏感，因而具有很好的反隐身功能；在相同天线孔径下，太赫兹波束更窄，具有极高的空间分辨力，跟踪精
用于雷达的新型真空电子器件（一）
摘要：真空电子器件在雷达的发展历程中发挥了重要作用，是雷达系统的核心器件，两者相辅相成、相互促进。随着设计仿真能力的不断提升，以及新材料新工艺的出现，真空电子器件出现了一些新的发展动向。器件性能不断提升，也出现了一些新型真空电子器件，这都为新型雷达探测技术的发展提供了很好的器件支撑。该文从微波毫米波
用于雷达的新型真空电子器件（四）
诺格公司在2016年还首次将行波管工作频率提高到1 THz[41]。该行波管采用深反应离子刻蚀加工的折叠波导慢波结构，在表面电镀铜以降低太赫兹波的传输损耗，折叠波导电路如图 23所示。利用VDI公司的倍频源作为行波管的激励，测试图如图 24所示。固态倍频源最大输出功率0.7 mW。工作电压12 kV
用于雷达的新型真空电子器件（二）
短毫米波行波管近年来也渐趋成熟，并初步形成了相关的系列产品。美国L-3公司针对通讯开发了E波段MPM，在5 GHz带宽范围内功率大于200 W[14]。为W波段毫米波功率模块所研制的W波段脉冲行波管。器件工作中心频率为94 GHz，得到了大于100 W的脉冲输出功率，工作带宽大于4 GHz，外形尺寸
新型分子添加剂显著提高有机晶体管性能
莫斯科国立大学的化学家近日发现了一种新型分子添加剂，可显著提高有机晶体管的性能，该材料未来有望成为有机电子学发展的重要基础。相关研究成果发表在《先进材料》杂志上。 这种新分子材料类似放射状胶质细胞，可以作为聚合物基质添加剂使用。莫斯科国立大学研究人员德米特里·伊万诺夫介绍，现有的聚合物添加剂大
“新型高密度存储材料与器件”项目启动
10月17日，国家重点研发计划“战略性先进电子材料”重点专项“新型高密度存储材料与器件”项目启动会在中国科学院微电子研究所召开。 会上，微电子所所长叶甜春和中科院院士、微电子重点实验室主任刘明先后致辞。叶甜春对当前存储器领域的形势和现状进行了总结和展望，表示要集中力量围绕关键技术开展攻关，实现
半导体所新型感算器件研究获进展
随着人工智能、物联网及智慧医疗等新型信息交互领域的发展，基于传统冯诺依曼架构的计算机系统以及工艺迭代带来的算力提升越来越难以满足数据处理及复杂神经网络模型运算的需求。神经形态器件作为一种模拟人脑的高效低功耗的信息处理模型，在信息处理方面具有天然优势。目前，以忆阻器为代表的人工突触器件广泛应用于神
氮化镓半导体材料新型电子器件应用
GaN材料系列具有低的热产生率和高的击穿电场，是研制高温大功率电子器件和高频微波器件的重要材料。目前，随着 MBE技术在GaN材料应用中的进展和关键薄膜生长技术的突破，成功地生长出了GaN多种异质结构。用GaN材料制备出了金属场效应晶体管（MESFET）、异质结场效应晶体管(HFET)、调制掺杂场效
基于新型碳纳米管的薄膜晶体管问世
据美国物理学家组织网2月17日（北京时间）报道，最近，科学家研制出了金属性和半导体性之间平衡达到最优化的新式碳纳米管，并使用这种纳米管制造出了薄膜晶体管（TFT），未来有望研制出诸如电子书和电子标签等高性能、透明的柔性设备。 日本名古屋大学的科学家孙东明（音译）和同事以及芬
中国科学家晶体管开发取得突破
中国研究人员8月8日在美国《科学》杂志上报告说，他们在集成电路的基本单元晶体管研究上取得突破，发明了一种名为半浮栅晶体管的新型基础微电子器件，可让数据擦写更容易、迅速，整个过程都可在低电压条件下完成，为实现芯片低功耗运行创造了条件。 研究负责人、复旦大学教授王鹏飞对新华社记者说：“我国集成
德国瑞士联手打造原子尺度新型集成电路器件
在德国西门子基金会的支持下，德国卡尔斯鲁尔理工大学（KIT）和瑞士苏黎世联邦理工大学（ETHZ）将联合开展原子尺度新型集成电路器件的研发，德国西门子基金会为此提供了1200万欧元的资助。 随着信息网络传输和数据处理传输量的快速增长，对器件的小型化和降低能耗的要求日益迫切，现有的半导体
新型水基光学器件将彻底改变光学研究领域
线本质上是多用途的。换句话说，当穿过不同类型的材料时，它显示出不同的特性。科学家已经在各种技术中探索了此特性，但是需要控制光与材料交互的方式以获得所需的效果。这可以使用称为光调制器的特殊设备完成，该设备具有修改光属性的能力。当电场施加到光传播的介质上时，就会看到一种称为普克尔斯效应的特性。通常，
德国瑞士联手打造原子尺度新型集成电路器件
在德国西门子基金会的支持下，德国卡尔斯鲁尔理工大学（KIT）和瑞士苏黎世联邦理工大学（ETHZ）将联合开展原子尺度新型集成电路器件的研发，德国西门子基金会为此提供了1200万欧元的资助。 随着信息网络传输和数据处理传输量的快速增长，对器件的小型化和降低能耗的要求日益迫切，现有的半导体集成电
金属所新型柔性热电材料与器件研究获进展
发展可再生能源是我国一项既定国策，也是保证经济稳定和可持续发展的关键。全球约有80%的电站利用热能发电，然而这些电站的平均效率只有~30%，每年约有~15TW的热量损失到环境中，如能将这部分能量回收利用，可有效缓解当前突出的能源与环境问题。以热电材料为核心的热电转换技术可不依靠任何外力将“热”与
中英科学家发明新型集成光漩涡器件
记者从中山大学获悉，由该校千人计划引进人才余思远教授领衔，中、英四所大学研究人员组成科研团队，成功地在硅基光波导芯片上首次集成了“漩涡光束”发射器件阵列。研究成果作为封面报道发表于10月19日出版的美国《科学》杂志及其期刊网站主页。业内专家认为，该成果开辟了集成光子学领域的一个新前沿。 据
Sensors：新型声表面波温度传感器件问世
高温环境引起的热辐射损耗会导致传感器器件有较大的声波衰减，因此在这种环境下工作的传感器应具有足够大的品质因数（Q）且损耗较低。传统的有线有源传感器不能用于高温环境下的温度测量，而基于声表面波（surface acoustic wave，SAW）的无线无源温度传感器为此提供了良好的解决方案。 中
Science发文！我国学者“存储—计算一体化器件”研究新成果
在国家自然科学基金项目（61974050、61725505和61905266）等资助下，华中科技大学叶镭副教授与中国科学院上海技术物理研究所胡伟达研究员等合作团队，在存储—计算一体化器件研究方面取得进展。研究成果以“基于二维材料的面向神经形态硬件的同质晶体管-存储器结构（2D materials
薄膜晶体管的发展前景
薄膜晶体管是场效应晶体管的种类之一，大略的制作方式是在基板上沉积各种不同的薄膜，如半导体主动层、介电层和金属电极层。薄膜晶体管对显示器件的工作性能具有十分重要的作用. 未来 TFT 技术将会以高密度,高分辨率,节能化,轻便化,集成化为发展主流,从本文论述的薄膜晶体管发展 历史以及对典型 TFT
我国学者在高能效新型晶体管研究领域取得重要进展
在国家自然科学基金创新研究群体项目（项目编号：61621061）等资助下，北京大学电子学系、纳米器件物理与化学教育部重点实验室张志勇教授团队与彭练矛教授团队合作，在高能效新型晶体管研究领域取得重要进展。研究成果以“Dirac-source Field-effect Transistors