《红外物理与技术》—中科院上海微系统所—短波红外研究

中科院上海微系统与信息技术研究所科研人员针对波长扩展器件中InGaAs线性缓冲层对所需探测光有较强吸收不利于阵列规模提高及同质pn结不利于探测性能提高的问题，依据微系统所在III－V族化合物半导体材料与器件及分子束外延技术方面的多年积累和优势，结合气态源分子束外延的特点和优势提出了一种创新的普适宽带缓冲层和窗口层结构(并申请了发明ZL200710041778.7)，据了解这种用于波长扩展InGaAs探测器的新结构是国际上首次提出，微系统所已针对这种新结构开展了系统的实验研究工作，充分验证了其可行性和优点，并采用此新结构研制出了高性能的波长扩展器件，有关研究结果已被红外领域的重要刊物《红外物理与技术》（Infrared Physics&Technology）接受。
 
在方家熊院士的倡导下，自2003年起，中科院上海微系统所与中科院上海技物所通力合作，面向卫星遥感等方面的重要应用，开展了短波红外波段InGaAs探测器的系统研究，在较短时间内突破了晶格匹配和波长扩展两类外延材料的生长关键技术，获得了稳定的工艺参数，并根据优化生长条件生长了2英寸大面积均匀优质外延材料，现已小批量提供给技物所进行阵列器件研制，在近期有关基金项目的中期评估中得到了领导专家的好评，该器件将成为卫星遥感等应用中的关键器件。