发布时间:2024-05-28 11:34 原文链接: 去胶设备(等离子光刻)共享应用

仪器名称:去胶设备(等离子光刻)
仪器编号:90175600
产地:美国
生产厂家:DRYTEK
型号:MS-5
出厂日期:199002
购置日期:199003


所属单位:集成电路学院>微纳加工平台>刻蚀工艺
放置地点:微电子所新所一层微纳平台
固定电话:
固定手机:
固定email:
联系人:窦维治(010-62781090,13366273985,douwz@tsinghua.edu.cn)
李希有(010-62784044,13641166426,lxyou@mail.tsinghua.edu.cn)
分类标签:集成电路 微纳加工 半导体工艺 刻蚀 等离子
技术指标:

PLASMA去胶

知名用户:王喆垚、任天令、刘泽文、吴华强、梁仁荣、潘立阳、王敬、许军、邓宁、钱鹤、伍晓明(微电子所) 尤政、朱荣、阮勇(精仪系)、罗毅(电子系)、姚文清(化学系)
技术团队:

吴华强、伍晓明、刘朋、李希有、仲涛

功能特色:

刻蚀方式: PLASMA模式 主要刻蚀介质:正胶、负胶等.  刻蚀尺寸:4英寸及以下及切割片。选择比、均匀性良好。

项目名称计价单位费用类别价格备注
送样去胶元/小时自主上机机时费300.0
送样刻蚀元/小时测试费300.0