发布时间:2012-03-28 16:03 原文链接: 国内首台48片MOCVD样机研发工作取得重大进展

  在中国科学院和广东省共同支持下,由中科院半导体研究所负责研制开发的国内首台48片MOCVD样机取得重大进展。

  样机不仅经过了真空、压力、温度、旋转、自动传输等一系列设备性能指标实验考核,还进行了氮化镓以及氮化物LED的外延工艺考核。所外延的氮化物材料分别由山东华光、杭州士兰明芯、武汉迪源、上海蓝宝、扬州中科等国内主流芯片公司进行了性能测试和氮化物LED芯片制作。多家第三方机构检测结果表明,用此48片MOCVD样机外延的氮化镓材料,其各项性能指标达到同类国际MOCVD设备产品的水平。

  3月10日,在广东省与中科院在京举行的全面战略合作座谈会上,广东省省长朱小丹、中科院院长白春礼等就首台48片MOCVD样机研制成果向中共中央政治局委员、广东省委书记汪洋作了汇报。会议期间,还举行了MOCVD装备成果与用户的应用合作签约仪式。

  MOCVD是金属有机化学气相沉积(Metal-organic Chemical Vapor Deposition)的英文缩写,是在气相外延生长(VPE)的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术,是LED外延片量产的关键技术设备。

48片MOCVD样机

相关文章

氮化镓基无源太赫兹相控阵机制研究获进展

随着无线通信技术的发展,太赫兹波因超宽带、高定向性和高分辨率等优势,成为6G通信的重要频谱资源。然而,频率升高带来的路径损耗加剧和信号源输出功率降低等问题,使系统对高精度、低损耗、大视场的波束控制器件......

我国团队研制出世界首个氮化镓量子光源芯片

近日,该实验室研究团队与清华大学、中国科学院上海微系统与信息技术研究所合作,在国际上首次研制出氮化镓量子光源芯片,这也是电子科技大学“银杏一号”城域量子互联网研究平台取得的又一项重要进展,相关成果发表......

我团队研制出世界首个氮化镓量子光源芯片

4月18日,记者从电子科技大学信息与量子实验室获悉,近日,该实验室研究团队与清华大学、中国科学院上海微系统与信息技术研究所合作,在国际上首次研制出氮化镓量子光源芯片,这也是电子科技大学“银杏一号”城域......

第三代半导体龙头共话“换道超车”

以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料,被称为“未来电子产业基石”。近日,上交所科创板新质生产力行业沙龙第二期聚焦第三代半导体产业领域,汇聚华润微、芯联集成、天岳先进等3家半导体头部企业,及多家证券......

苏州纳米所在新型氮化镓基光电器件领域取得进展

近年来,大数据、互联网和人工智能的快速发展,对数据处理的速度和效率提出了更高的要求。人类大脑是最复杂的计算系统之一,可以通过密集协调的突触和神经元网络同时存储、整合和处理大量的数据信息,兼具高速和低功......

科学家发明有效地将废热转化为电能的新方法

来自NIST和科罗拉多大学博尔德分校的团队开发了一种利用硅上氮化镓纳米柱的新型设备,可显着提高热能转化为电能的效率。这可能会回收大量浪费的热能,从而使工业和电网受益。美国国家标准与技术研究院(NIST......

氮化物材料外延研究最新进展

近日,中国科学院半导体研究所研究员刘志强等在氮化物材料外延研究领域取得新进展,揭示了氮化物范德华外延的物理本质,提出了二维材料辅助的氮化物外延生长基本准则,同时,提出了解决本领域关键科学、技术问题的方......

等离子体放电特性调控在超硬高熵合金氮化物薄膜

高熵合金氮化物薄膜是一种基于高熵合金设计理念的产物,在热力学和动力学上可以分别具有更低的吉布斯自由能和更小的元素扩散速率,抑制了金属间化合物有序相的生成,促进简单固溶体结构甚至非晶相的形成。独特的设计......

半导体所等在半导体材料“异构外延”研究中获进展

半导体产业经过长期发展,已进入“后摩尔时代”,“超越摩尔定律”迎来了高潮,未来半导体产业的发展需跳出原有框架寻求新的路径。面对这些机遇和挑战,宽禁带先进半导体等基础材料的制备也在孕育突破,新材料、新工......

研究团队在功率半导体器件和集成电路研究中取得进展

氮化镓(GaN)是一种宽禁带半导体,第三代半导体的典型代表。与第一代半导体硅基的器件相比,GaN器件具有更高耐压、更快开关频率、更小导通电阻等特性,在功率电子器件领域得到广泛应用。相关研究显示,GaN......