国内首台48片MOCVD样机研发工作取得重大进展
在中国科学院和广东省共同支持下，由中科院半导体研究所负责研制开发的国内首台48片MOCVD样机取得重大进展。 样机不仅经过了真空、压力、温度、旋转、自动传输等一系列设备性能指标实验考核，还进行了氮化镓以及氮化物LED的外延工艺考核。所外延的氮化物材料分别由山东华光、杭州士兰明芯、武汉迪源、上海蓝宝、扬州中科等国内主流芯片公司进行了性能测试和氮化物LED芯片制作。多家第三方机构检测结果表明，用此48片MOCVD样机外延的氮化镓材料，其各项性能指标达到同类国际MOCVD设备产品的水平。 3月10日，在广东省与中科院在京举行的全面战略合作座谈会上，广东省省长朱小丹、中科院院长白春礼等就首台48片MOCVD样机研制成果向中共中央政治局委员、广东省委书记汪洋作了汇报。会议期间，还举行了MOCVD装备成果与用户的应用合作签约仪式。 MOCVD是金属有机化学气相沉积(Metal-organic Chemical Vapo......阅读全文
国内首台48片MOCVD样机研发工作取得重大进展
在中国科学院和广东省共同支持下，由中科院半导体研究所负责研制开发的国内首台48片MOCVD样机取得重大进展。 样机不仅经过了真空、压力、温度、旋转、自动传输等一系列设备性能指标实验考核，还进行了氮化镓以及氮化物LED的外延工艺考核。所外延的氮化物材料分别由山东华光、杭州士兰明芯、武汉迪源、
关于氮化物的简介
氮与电负性比它小的元素所形成的二元化合物。叠氮化物 及氮与氢、卤素和氧族元素的化合物不属于氮化物。一般指固体氮化物，并主要指 金属氮化物。例如氮化锂Li3N、氮化镁 Mg3N2、氮化铝AlN、氮化钛TiN、氮化钽TaN等。多数难熔，热稳定性很高。有些是金属加热后直接与氮化合而成，有些是由金属、金
中科院突破高效LED芯片及材料关键技术
在“十一五”国家863计划新材料领域项目的支持下，由中国科学院半导体研究所承担的“高效氮化物LED材料及芯片关键技术”创新团队项目课题，通过技术辐射和转移、人才培养以及国际交流合作等方式，实现了先进技术的引进、消化、吸收、再创新，从而提高了中国半导体照明产业的国际竞争能力，推动了中国半导体照明工
关于氮化物的分类介绍
氮化物是氮与电负性小的元素形成的二元化合物，不包括氮与氢、氮与卤素的化合物及叠氮化物。按结构不同，氮化物可分为： ① 离子型氮化物 主要是氮与IA，ⅡA族活泼金属形成的氮化物，如氮化锂Li3N，氮化钙Ca3N2等。这类氮化物热稳定性低，加热至400℃时分解为氮和相应元素； 它们极易水解，与水蒸
概述常见氮化物及特性
氮化硅1857年由印度人呙贺烈尔 （F.Wohler）最早合成。属六方晶系，有α型（低温）及β型（高温）的变态。当温度升高到1600℃时，由α型转变成β型，转变回来是困难的。α与β型的物理性质见表。其热导率较高，热膨胀系数小，抗热震性好，高温强度及耐磨性好。但在高温氧化气氛中，1200~1400
第三代半导体外延材料的产业化应用之路
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2024/2/517721.shtm手机电脑快充器件、新能源车载电源、5G基站、MicroLED、深紫外LED……这些设备都离不开氮化镓外延材料，这也让该材料成为资本市场关注的“宠儿”。根据相关市场调研机构的预测显示，到
概述氮化物的广泛应用
由ⅢA、ⅣA族元素和氮直接化合生成的 氮化物具有共价结构，称为共价型氮化物。BN 是一种鳞片状六方结构，它的晶体结构和理化 性质与石墨相似，因而称为“白石墨”或“白炭 黑”，密度2.25克/立方厘米。它的耐热性、耐蚀性 和润滑性都好，不导电。在电子、冶金、化工及 尖端技术上有较大应用。这种晶型的
氮化镓的的电学特性
GaN的电学特性是影响器件的主要因素。未有意掺杂的GaN在各种情况下都呈n型,最好的样品的电子浓度约为4×1016/cm3。一般情况下所制备的P型样品，都是高补偿的。很多研究小组都从事过这方面的研究工作，其中中村报道了GaN最高迁移率数据在室温和液氮温度下分别为μn=600cm2/v·s和μn= 1
氮化镓的的化学特性
在室温下，GaN不溶于水、酸和碱，而在热的碱溶液中以非常缓慢的速度溶解。NaOH、H2SO4和H3PO4能较快地腐蚀质量差的GaN，可用于这些质量不高的GaN晶体的缺陷检测。GaN在HCL或H2气下，在高温下呈现不稳定特性，而在N2气下最为稳定。
氮化镓的的光学特性
人们关注的GaN的特性，旨在它在蓝光和紫光发射器件上的应用。Maruska和Tietjen首先精确地测量了GaN直接隙能量为3.39eV。几个小组研究了GaN带隙与温度的依赖关系，Pankove等人估算了一个带隙温度系数的经验公式：dE/dT=－6.0×10－4eV/k。 Monemar测定了基本的
氮化镓的的化学特性
在室温下，GaN不溶于水、酸和碱，而在热的碱溶液中以非常缓慢的速度溶解。NaOH、H2SO4和H3PO4能较快地腐蚀质量差的GaN，可用于这些质量不高的GaN晶体的缺陷检测。GaN在HCL或H2气下，在高温下呈现不稳定特性，而在N2气下最为稳定。
氮化镓的的结构特性
结构特性GaN纤锌矿结构图GaN的晶体结构主要有两种，分别是纤锌矿结构与闪锌矿结构。
半导体所等在半导体材料“异构外延”研究中获进展
半导体产业经过长期发展，已进入“后摩尔时代”，“超越摩尔定律”迎来了高潮，未来半导体产业的发展需跳出原有框架寻求新的路径。面对这些机遇和挑战，宽禁带先进半导体等基础材料的制备也在孕育突破，新材料、新工艺和异构集成等将成为后摩尔时代的重要技术路线（图1）。 近期，中国科学院半导体研究所照明研发中
关于氮化物的基本信息介绍
氮化物是氮与电负性比它小的元素形成的二元化合物。由过渡元素和氮直接化合生成的氮化物又称金属型氮化物。它们属于 “间充化合物”，因氮原子占据着金属晶格中的间隙位置而得名。这种化合物在外观、硬度和导电性方面似金属，一般都是硬度大、熔点高、 化学性质稳定，并有导电性。钛、钒、锆、钽等的氮化物坚硬难熔，
氮化镓的的计算化学数据
1、疏水参数计算参考值（XlogP）：无2、氢键供体数量：03、氢键受体数量：14、可旋转化学键数量：05、互变异构体数量：无6、拓扑分子极性表面积：23.87、重原子数量：28、表面电荷：09、复杂度：1010、同位素原子数量：011、确定原子立构中心数量：012、不确定原子立构中心数量：013、
氮化镓的的合成方法
1、即使在1000℃氮与镓也不直接反应。在氨气流中于1050～1100℃下加热金属镓30min可制得疏松的灰色粉末状氮化镓GaN。加入碳酸铵可提供气体以搅动液态金属，并促使与氮化剂的接触。2、在干燥的氨气流中焙烧磨细的GaP或GaAs也可制得GaN。
氮化镓衬底晶片实现“中国造”
苏州纳维生产的4 英寸GaN 单晶衬底 一枚看似不起眼、“又轻又薄”的晶片，却能做出高功率密度、高效率、宽频谱、长寿命的器件，是理论上电光、光电转换效率最高的材料体系。这个“小身体大能量”的晶片叫作氮化镓（GaN）衬底晶片，是苏州纳维科技有限公司（以下简称苏州纳维）的主打产品。 “不会游泳的
石油产品中氮化物的测定和影响
氮化物按其氮原子在分子中是否有孤对电子而分为碱性氮化物和非碱性氮化物二大类，由于碱性氮化物中氮杂原子存在有自由的孤对电子，即一些胺类、二氢吲哚类和六员环杂环氮化合物，这些碱性氮化物很容易吸附在催化剂酸性活性中心，因此对催化剂的毒性很大。有分子筛的催化剂比无定型催化剂更怕碱性氮化物，这是因为有机碱氮
氮化镓半导体材料的应用前景
对于GaN材料，长期以来由于衬底单晶没有解决，异质外延缺陷密度相当高，但是器件水平已可实用化。1994年日亚化学所制成1200mcd的 LED，1995年又制成Zcd蓝光（450nmLED），绿光12cd(520nmLED);日本1998年制定一个采用宽禁带氮化物材料开发LED的 7年规划，其目标是
氮化镓的的结构和应用特点
氮化镓是一种无机物，化学式GaN，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（direct bandgap）的半导体，自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿，硬度很高。氮化镓的能隙很宽，为3.4电子伏特，可以用在高功率、高速的光电元件中，例如氮化镓可以用在紫光的激光二极管，可以在不使用非线性
氮化镓功率芯片的应用领域
1）手机充电器。主要有2 个原因，①手机电池容量越来越大，从以前的可能2 000 mA·H 左右，到现在已经到5 000 mA·H。GaN 可以减少充电时间，占位体积变小。②手机及相关电子设备使用越来越多，有USB-A 口、USB-C 口，多头充电器市场很大，这也是GaN 擅长的领域。2）电源适配器
法国UMI采用爱思强MOCVD系统生产氮化合金材料
德国爱思强宣布其来自法国梅兹的UMI Georgia Tech-CNRS(以下简称“UMI”)向其订购一套新的3x2英寸规格的近耦合喷淋头®(CCS)MOCVD系统，将主要生产用于照明光源、太阳能电池、传感器及其他应用的氮化合金研发材料。爱思强欧洲服务团队已在位于梅兹的美国佐治亚理工学院欧洲
微波法合成氮化物荧光粉获突破
近期，中科院宁波材料技术与工程研究所“结构与功能一体化陶瓷”研发团队的刘丽红和黄庆，成功实现低温常压下制备高质量氮化物荧光粉，并在8月份通过材料荧光特性测试。 氮化物荧光粉是LED（发光二极管）不可或缺的重要材料体系。据黄庆介绍，该项新技术将微波功率转变为热能，实现整体加热。相较传统气压
锂电非碳负极材料氮化物的相关介绍
锂过渡金属氮化物具有很好的离子导电性、电子导电性和化学稳定性，用作锂离子电池负极材料，其放电电压通常在1.0V以上。电极的放电比容量、循环性能和充、放电曲线的平稳性因材料的种类不同而存在很大差异。如Li3FeN2用作LIB负极时，放电容量为150mAh/g、放电电位在1.3V(vs Li/Li+
氮化物/钽多层膜的制备及性能研究
气相沉积薄膜赋予材料表面特殊的物理、化学和机械性能，在航天航空、微电子、机械制造等领域有着重要的应用，特别是在金属切削加工刀具的性能提高方面，具有举足轻重的作用。气相沉积的多层膜往往具有基体和单层膜难以达到的特殊性能，是当前薄膜材料理论与技术的研究热点之一。已有的关于氮化物/金属多层膜的研究成果，预
氮化物材料外延研究最新进展
近日，中国科学院半导体研究所研究员刘志强等在氮化物材料外延研究领域取得新进展，揭示了氮化物范德华外延的物理本质，提出了二维材料辅助的氮化物外延生长基本准则，同时，提出了解决本领域关键科学、技术问题的方案和路线。 近年来，二维材料辅助的氮化物外延取得了巨大进展，并在实现多种功能材料异质集成与物质组
氮化镓功率芯片的发展趋势分析
GaN 功率芯片主要以2 个流派在发展，一个是eMode 常开型，纳微代表的是另一个分支——eMode 常关型。相比传统的常关型的GaN 功率器件，纳微又进一步做了集成，包括驱动、保护和控制的集成。GaN 功率芯片集成的优势如下。1）传统的Si 器件参数不够优异，开关速率、开关频率都受到极大限制，通
氮化镓半导体材料的优点与缺陷
①禁带宽度大（3.4eV），热导率高（1.3W/cm-K），则工作温度高，击穿电压高，抗辐射能力强；②导带底在Γ点，而且与导带的其他能谷之间能量差大，则不易产生谷间散射，从而能得到很高的强场漂移速度（电子漂移速度不易饱和）；③GaN易与AlN、InN等构成混晶，能制成各种异质结构，已经得到了低温下迁
氮化镓的的性质与稳定性
如果遵照规格使用和储存则不会分解。避免接触氧化物，热，水分/潮湿。GaN在1050℃开始分解：2GaN(s)=2Ga(g)+N2(g)。X射线衍射已经指出GaN晶体属纤维锌矿晶格类型的六方晶系。在氮气或氦气中当温度为1000℃时GaN会慢慢挥发，证明GaN在较高的温度下是稳定的，在1130℃时它的蒸
液相法氮化镓晶体生长研究
GaN是一种宽带隙半导体材料，具有高击穿电压、高的饱和电子漂移速度、优异的结构稳定性和机械性能，在高频、高功率和高温等应用领域具有独特的优势。在光电子和功率器件中具有广阔的应用前景。在液相生长技术中，助溶剂法和氨热法是生长高质量GaN的有效方法，该论文全面总结了这两种方法生长GaN的研究进展，详细分