一、指南方向与内容
1. 新型电子材料与器件
1.1 第三代半导体材料及应用
1.1.1 高质量第三代半导体材料关键技术
开展第三代半导体材料大尺寸、低成本、高质量衬底制备和外延技术研究,突破相关核心关键技术,满足高温、高频、高效大功率器件研制的需求。
1.1.2 第三代半导体器件制备及评价技术
开展第三代半导体芯片制备、器件封装技术和工艺研究,开发低成本批量生产技术,研究材料和组件失效机理与寿命快速评价方法,满足高效新型大功率电力电子、通信、光电等领域的应用需求。
1.2 新型存储材料与器件
1.2.1 新型超高密度存储与磁电子材料
开展相变存储器和磁随机存储器关键材料与器件研究,发展磁电子材料与器件技术。相变存储器在移动互联网等领域获得应用;磁随机存储器与磁电子材料关键技术实现突破。
2. 材料设计制备与安全服役
2.1 材料的设计、制备与表征
2.1.1 材料高通量设计、制备与表征技术
研究材料高通量、多层次跨尺度一体化设计、高效制备和表征的新方法和新技术,开发面向材料设计的数据挖掘技术与数据平台,实现材料成分、组织和性能的精确调控,在新型功能材料、高性能结构材料的研究开发方面获得实际应用。
2.2 材料的安全服役和高效利用
2.2.1 材料全寿命周期设计制备技术与服役行为
研究材料在各种复杂环境条件下的服役行为、失效机理及其寿命预测、评价和延寿技术,开发材料全寿命周期生态设计制备技术,实现材料的高效利用、低环境负荷与资源消耗。
3. 新型显示
3.1 柔性及超高分辨率显示
3.1.1 柔性显示技术
研究柔性显示的基板材料、发光与显示材料、薄膜封装材料,突破器件设计、功能膜层制备等关键技术,开发30英寸、弯曲半径小于100mm的全彩色高画质柔性显示屏,满足显示产业应用需求。
3.1.2 超高分辨率显示关键技术
研发快速响应显示材料和高精细彩色滤光膜,突破TFT制备、多区域动态背光扫描、液晶透镜等关键技术,开发出8k×4k超高分辨率显示面板,攻克整机集成技术并形成工程化能力。
4. 新型功能与智能材料
4.1 生物医用材料
4.1.1 新型生物医用植入材料技术
开展新型轻质高强可控降解植入材料、高性能假体用材料,以及适应新型临床治疗技术发展的新一代骨和口腔修复材料研究,完成制品临床前评价。
5. 先进结构与复合材料
5.1 高分子结构材料
5.1.1 新型高分子结构及其复合材料
研发分子结构可控的高强、高韧、高模、耐温、耐磨、环境友好的高分子结构与复合材料;突破薄膜和泡沫专用料及新型树脂的制备技术,在相关领域获得应用。
二、指南申报要求
1.实施年限
项目实施年限原则上为3年。
2.申报说明
本指南申报方向均为前沿技术类。须按指南三级标题(如:1.1.1)的研究方向进行项目申报,可针对其中的部分研究内容申报,每个项目的国拨经费控制额不超过1000万元。
3.申报咨询
联系人:史冬梅、蒋志君
电 话:010-68338021、68338919
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