发布时间:2011-07-26 00:00 原文链接: 日本电子JSM7800F热场发射扫描电子显微镜

日本电子JSM-7800F 热场发射扫描电子显微镜
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  • JSM-7800F 热场发射扫描电子显微镜

  • 新一代扫描电镜JSM-7800F配备了新开发的超级混合式物镜(SHL),在保持极高的可操作性的同时,实现了低加速电压下的高分辨率,电子源采用浸没式(in-lens)肖特基场发射电子枪,因而能以大束流电流进行稳定的分析。

  • 新一代场发射扫描电镜JSM-7800F配备了新开发的超级混合式物镜(SHL),在保持极高的可操作性的同时,实现了低加速电压下的高分辨率,电子源采用浸没式(in-lens)肖特基场发射电子枪,因而能以大束流电流进行稳定的分析。

  • 通过超级混合式物镜(SHL)进行高分辨率观察

  • JSM-7800F的物镜采用的是静电场和静磁场叠加的超级混合式物镜(SHL),由于减少了色差及球差,极大地提高了低加速电压下的分辨率。此外,SHL不会对样品形成磁场影响,因此观察磁性材料的样品和进行EBSD测试可以不受制约。

  • 低加速电压下的能量选择

  • 能量过滤器位于高位检测器 (UED)的正下方,可以选择能量。即使在低加速电压下,也能够精确地选择二次电子和背散射电子,因而可以通过低加速电压下的背散射电子像观察样品的浅表面。

  • 通过Gentle Beam (即柔和光束GB模式)观察样品的浅表面

  • 给样品加以偏压(GB),对入射电子有减速、对释放出的电子有加速作用。即使入射电子束到达样品时的能量很低,也可以获得高分辨率、高信噪比的图像。如果利用能施加更高偏压的GB模式,用几十电子伏能量的入射电子束,就可以进行更高分辨率的观察。

  • 通过多个检测器获取样品的所有信息

  • JSM-7800F配有四种检测器:高位检测器(UED) 、高位二次电子检测器(USD)、背散射电子检测器(BED)和低位检测器(LED)。UED过滤器的电压不同,二次电子和背散射电子的数量会改变,因此可以选择电子的能量,USD检测被过滤器弹回的低能量电子,BED通过检测低角度的背散射电子,能清楚地观察通道衬度。利用LED的照明效果能够获得含有形貌信息的、富有立体感的图像。

  • 应用实例

  • 低加速电压下的观察

  • 利用JSM-7800F的GB模式,到达样品的能量从10 eV开始就可以观察。下面将到达样品的能量设定为80 eV进行实例观察:一个碳原子厚度的石墨薄片的表面

    • 002.jpg


    • 样品: 石墨烯 到达能量80eV


    • 能量选择

    • UED和USD能同时获取背散射电子像(左图)和二次电子像(右图),因此可以精确地解释图像。二次电子像主要反映形貌信息,金颗粒和TiO2的衬度没有明显不同,而背散射电子像中原子序数高的金颗粒则显得明亮。


    • 背散射电子像
    • 003.jpg

    • 二次电子像
    • 004.jpg

    • 样品: 金负载型TiO2催化剂(2kV)g


    • 利用GBSH观察
      利用GBSH对样品施加高偏压,像差将会减小,图像的高分辨率会更高。能清楚地观察到介孔二氧化硅里中的微孔(下图)。

    • 005.jpg


    • 样品:介孔二氧化硅 到达样品的能量: 1keV



    • 观察磁性材料样品
      SHL物镜能抑制磁场的泄漏,因此即便是磁性材料的样品,也可以用极低的入射电子能量很容易地进行高分辨率观察 。

    • 010.jpg


    • 样品: 磁铁矿纳米颗粒 到达样品的能量: 1keV




    • 磁性样品的EBSD测试
      SHL没有磁场泄漏的影响,也很适合于EBSD。象下图所示那样,通过反极图能准确地确定晶体的取向。


    • 006.jpg

    •                          

    • 分析点数: 118585


    • 尺寸: Xzei大: 80.00微米, Y zei大: 79.89微米,步长: 0.25微米, 相: Nd2Fe14B 


    • 007.jpg

    •                          

    • 从样品中获得的EBSD花样实例( 在任意点上获取)

    •  ND                    TD                    RD

    • 008.jpg

    • 009.jpg












分辨率0.8 nm (15 kV)、1.2 nm (1 kV)
分析模式:3.0 nm (15kV、5nA、WD10mm)
倍率× 25 ~ × 1,000,000(120mm x 90mm photograph size); ×30~×3,000,000(1280 x 960 pixels display);
加速电压0.01kV ~ 30kV
束流

几pA~200nA

自动光阑角zei佳控制透镜内置
检测器高位检测器(UED)
低位检测器(LED)
能量过滤器UED过滤器电压可变功能内置
Gentle Beam模式内置
样品台全对中测角样品台、5轴马达驱动
X:70mm  Y:50mm  Z:2mm~25mm 倾斜-5~+70° 旋转360°
  • 主要选配件

  • 能谱仪(EDS)

  • 波谱仪(WDS)

  • 电子背散射衍射系统(EBSD)

  • 阴极荧光系统(CLD)




分辨率

0.8 nm(15 kV)

1.2 nm(1 kV)

3.0 nm (15kV、5nA、WD10mm)

倍率×25 ~ ×1,000,000(SEM)
加速电压0.01kV ~ 30kV
样品照射电流(探针电流)数pA~200nA
自动光阑角zei佳控制透镜内置
检测器高位检测器(UED)
低位检测器(LED)
能量过滤器UED过滤器电压可变功能内置
Gentle Beam (GB模式即柔和光束)  (样品偏压)内置
数字图像1,280 x 960 像素, 800 x 600 像素
样品交换室由TYPE2A构成
样品台全对中测角样品台、5轴马达驱动
 X-YX:70mm, Y:50mm
 倾斜-5 ~ +70°
 旋转360°
 工作距离2mm to 25mm
真空系统SIP 2台、TMP、RP
节能设计正常运行时: 1.3kVA
节能模式时: 0.8kV

 

主要选配件

  • 能谱仪(EDS)

  • 波谱仪(WDS)

  • 电子背散射衍射系统(EBSD)

  • 阴极荧光系统(CLD)







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