挪威研制最新半导体新材料砷化镓纳米线

　　挪威科技大学的研究人员近日成功开发出一种新型半导体工业复合材料“砷化镓纳米线”，并申请了技术ZL，该复合材料基于石墨烯，具有优异的光电性能，在未来半导体产品市场上将极具竞争性，这种新材料被认作有望改变半导体工业新型设备系统的基础。该项技术成果刊登在美国科学杂志纳米快报上。

　　以Helge Weman教授为首的挪威科技大学电子与电讯系的研究团队和CrayoNano AS公司共同研制，并联合申请了ZL。该产品采用自动分子束外延生长法，在原子级薄石墨烯上生成半导体纳米线，新电极具有透明、韧性佳且价格低廉。 Weman教授认为这种纳米线虽然不是一个全新产品，但它是半导体装置生产方法的一个新模板，该技术ZL可应用于未来太阳能电池和发光二极管的生产。

　　石墨烯在半导体工业的应用引起了世界范围的广泛注目，目前IBM公司和三星公司都在致力于开发石墨烯，希望其替代硅在电子产品如触屏手机等中的使用。该项技术的优势是，使得消费类电子产品更加便于升级，而设计不会受到任何限制，为电子产品和光电子器件提供了新的平台。未来潜在最大的市场是基于石墨烯和半导体纳米线的纳米太阳能电池、自供电纳米机器和先进的3D集成电路，其应用前景包括服装、笔记本、传统手机、平板电脑和运动配件的生产，未来的电子产品将更加微型而高效。引用石墨烯将是未来众多应用的优选基板，它将是新型电子设备系统的基础。

　　从2007年起，挪威研究理事会就开始立项支持此研究，挪威科技大学纳米实验室、国家纳米光子实验室和MBE实验室共同参与了该项科研，为支持该项成果的商业化，还专门成立了CrayoNano AS公司。目前挪威科技大学技术转让中心和CrayoNano AS公司共同拥有该项技术ZL。