新型半导体工业复合材料“砷化镓纳米线”获得技术ZL

　　近日挪威科技大学的研究人员成功开发出一种新型半导体工业复合材料“砷化镓纳米线”，并申请了技术ZL，该复合材料基于石墨烯，具有优异的光电性能，在未来半导体产品市场上将极具竞争性，这种新材料被认作有望改变半导体工业新型设备系统的基础。该项技术成果刊登在美国科学杂志纳米快报上。

　　以Helge Weman教授为首的挪威科技大学电子与电讯系的研究团队和CrayoNanoAS公司共同研制，并联合申请了ZL。该产品采用自动分子束外延生长法，在原子级薄石墨烯上生成半导体纳米线，新电极具有透明、韧性佳且价格低廉。Weman教授认为这种纳米线虽然不是一个全新产品，但它是半导体装置生产方法的一个新模板，该技术ZL可应用于未来太阳能电池和发光二极管的生产。