发布时间:2024-04-18 17:45 原文链接: 氮磷共掺杂碳材料与磷化铁集成电极材料问世

安徽理工大学材料科学与工程学院副教授黄新华在电容去离子研究领域取得新进展,制备出氮磷共掺杂碳基材料和磷化铁分散氮、磷掺杂多孔碳电极材料,并将上述两种材料用于高选择性去除废水中重金属铜离子。相关研究成果相继发表在《脱盐》和《化学工程杂志》上。

  氮磷共掺杂碳材料高效吸附铜离子配位机理示意图。安徽理工大学供图

“杂原子掺杂被认为是改善电极特性的有效方法。但目前,单氮掺杂的电极材料往往在使用中会收到空间位阻的抑制。如果氮掺杂的基础上进一步引入磷元素,可通过氮和磷的协同共掺杂强化碳基质中的固有缺陷,优化电子分布,从而改善电容去离子性能。”黄新华向《中国科学报》介绍。

黄新华利用无毒的植酸作为磷源,在氮掺杂的基础上,通过原位热解法制备了氮、磷掺杂碳材料用于吸附重金属铜离子,并在连续的吸附-脱附循环测试中考验其稳定性能。

磷化铁分散得氮、磷掺杂碳材料空位策略优化吸附铜离子示意图。 安徽理工大学供图

磷化铁因其高理论容量和环境友好的性质脱颖而出,成为一种有潜力的电极材料。

然而,在纯磷化铁材料的电化学过程中因其缓慢的扩散动力学,阻碍了倍率性能,导致在循环过程中容量显著下降。研究人员可通过主要涉及提高扩散系数和缩短电荷的扩散路径解决这些限制。

黄新华利用氮和磷掺杂的聚合物吸附硝酸铁作为前驱物,通过热解过程实现了磷化铁纳米颗粒在碳基框架中的原位生成,制备了电极材料。

“研究表明,通过磷空位的引入不仅增加了材料的导电性,还为吸附提供了更多的活性位点,缩短了铜离子离子的扩散路径,减轻了运行中的体积变化,大大提高了去离子效率和选择性。相较于单氮掺杂碳材料,电吸附性能提高了120倍,在18个连续的吸附-脱附循环后,铜离子去除率保持在102%左右。”黄新华说。

进一步地,黄新华通过密度泛函理论计算阐明了吸附选择性,并对铜离子的吸附-脱附机理进行了深入研究。其中,铜离子与电极相互作用时表现出最高的吸附能。这一发现强调了该电极对铜离子具有最显著的亲和力。


相关文章

新型纳米电极显著提升秸秆废弃物产甲酸效率

近日,农业农村部环境保护科研监测所乡村环境建设创新团队开发了一种镍钴双金属氧化物超薄纳米片电极材料,显著提升了生物质衍生物糖电氧化过程中电子传递性能,实现秸秆废弃物的高值转化。相关研究成果发表在《化学......

单芯片三维集成有了创新低温工艺

三维集成是通过在垂直方向上将多个独立的芯片或功能层堆叠在一起的器件系统,能够实现逻辑、存储和传感等功能的垂直集成和协同工作,是后摩尔时代的重要技术路线。目前,商用的三维集成主要是通过封装技术将多芯片或......

氮磷共掺杂碳材料与磷化铁集成电极材料问世

安徽理工大学材料科学与工程学院副教授黄新华在电容去离子研究领域取得新进展,制备出氮磷共掺杂碳基材料和磷化铁分散氮、磷掺杂多孔碳电极材料,并将上述两种材料用于高选择性去除废水中重金属铜离子。相关研究成果......

氮磷共掺杂碳材料与磷化铁集成电极材料问世

安徽理工大学材料科学与工程学院副教授黄新华在电容去离子研究领域取得新进展,制备出氮磷共掺杂碳基材料和磷化铁分散氮、磷掺杂多孔碳电极材料,并将上述两种材料用于高选择性去除废水中重金属铜离子。相关研究成果......

氮磷共掺杂碳材料与磷化铁集成电极材料问世

安徽理工大学材料科学与工程学院副教授黄新华在电容去离子研究领域取得新进展,制备出氮磷共掺杂碳基材料和磷化铁分散氮、磷掺杂多孔碳电极材料,并将上述两种材料用于高选择性去除废水中重金属铜离子。相关研究成果......

我国学者研制出适用于可穿戴集成电路的三维液体二极管

图(a)基于三维液体二极管的柔性透气集成电路原理示意图;(b)三维液体二极管的流体动力学仿真在国家自然科学基金项目(批准号:62122002)等资助下,香港城市大学于欣格副教授团队在柔性、透气可穿戴集......

金属所在基于金刚石/膨胀垂直石墨烯的层状限域双电层电容行为的研究获进展

多孔或层状电极材料具有丰富的纳米限域环境,表现出高效的电荷储存行为,被广泛应用于电化学电容器。而这些限域环境中形成的双电层(限域双电层)结构与建立在平面电极上的经典双电层之间存在差异,导致其储能机理尚......

城市环境所在废弃生物质多孔碳电容脱盐电极材料研究中取得进展

近日,中国科学院城市环境研究所郑煜铭团队(污染防治材料与技术研究组)在废弃生物质多孔碳应用于电容脱盐方面取得新进展。该研究揭示了提高碳电极材料石墨氮含量对增强电容脱盐性能的内在机制。碳材料因储量丰富、......

专家纵论后摩尔时代集成电路发展路线

11月30日,由教育部、上海市人民政府支持,教育部学校规划建设发展中心主办,上海大学微电子学院、上海大学中瑞先进技术研究院承办的2022国际产学研用合作会议——集成电路下的超越摩尔技术分会场研讨会举行......

科学家在集成光子芯片上实现人工合成非线性效应

中国科学技术大学郭光灿院士团队在集成光子芯片量子器件的研究中取得新进展。该团队邹长铃、李明研究组提出人工合成光学非线性过程的通用方法,在集成芯片微腔中实验观测到高效率的合成高阶非线性过程,并展示了其在......