近日，西安交通大学电信学部电子学院教授任巍、牛刚团队利用基于二硫化钼沟道和外延铁电HZO薄膜栅介质的光电晶体管实现了高响应度光电探测，相关研究成果发表在Advanced Functional Materials上。
该研究利用优化的具有背栅结构和肖特基对650nm波长光电响应进行了实验验证并实现良好的光电探测性能。将半导体硅工艺兼容性好、铁电畴取向一致性高的外延铪基铁电薄膜应用于此类器件，有助于提高器件性能并研究相关重要物理现象，包括双极电学行为和负光电导性。
在对二硫化钼材料特性，以及器件电特性和光电特性的研究基础上，研究团队阐明了二硫化钼光电探测器铁电调控性能的原因。实验中还观察到了具有-8.44×103A W-1高响应度的负光电导，这对于极弱光探测具有重要意义。
相关论文信息：https://doi.org/10.1002/adfm.202402185
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