“相变存储芯片关键技术的合作研发”项目通过验收

　　8月1日，受科技部国际合作司委托，江苏省科技厅组织专家，对中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所程国胜研究员主持的科技部国际科技合作项目“相变存储芯片关键技术的合作研发”进行了验收。

　　验收专家组由中国电子科技集团公司第58研究所、南京大学、南京工大、中科院上海硅酸盐研究所、复旦大学、上海交大以及华东师大等单位七位知名专家组成。江苏省科技厅调研员李旭勤、国际合作处主任刘素生、苏州市科技局科技合作与交流处处长秦小鹏、苏州工业园区科技发展局副局长周村、苏州纳米所副所长陈立桅研究员、苏州纳米所科技处副处长李炯研究员共同出席了会议。

　　“相变存储芯片关键技术的合作研发”项目由中科院苏州纳米所、美国国际商用机器公司（IBM）以及美国全芯科技公司（BAMC）共同承担，旨在通过国际合作，汇聚国际创新要素，解决相变存储芯片中相变材料性能提升与器件可靠性等关键问题，并进一步协助BAMC引进、消化IBM 在相变存储芯片技术领域的核心ZL，推动PCM项目在中国的产业化。通过该项目的实施，苏州纳米所项目团队协助合作伙伴引进消化IBM 的57项相变存储芯片研发与产业化方面ZL技术，形成了55nm 相变存储器自主可控的设计与工艺技术，并在宁波实现了产业化。此外，项目组重点研发了相变存储芯片中材料性能改进与元器件设计等问题，申报了国家发明与实用新型ZL19项，其中发明ZL13项，已获授权的ZL5项；发表国际学术论文14篇；培养该领域的8名高学历专业技术人才，聚集了一批相变存储领域及上下游的海内外专家、学者、投资人与企业家。

　　专家组审阅了项目有关材料，进行了实地考察，并听取了项目组的汇报，经质询和讨论，认为该项目完成了任务合同书规定的研究内容，研究成果满足验收要求，一致同意通过验收。

　　专家组在验收会中指出，该项目通过国际合作，推动PCM项目在中国的产业化，提升了我国半导体行业研发水平与国际影响力，希望项目组认真总结中美合作经验，尤其是同在产业界具有极高影响力的跨国公司之间开展合作的经验，在相变存储领域的技术与市场化方面继续加强同美方的交流合作。

验收会现场