诺奖授予LED照明技术相关稀有金属材料受宠

　　10月7日瑞典皇家科学院将2014年诺贝尔物理学奖授予了因发明了“高亮度蓝色发光二极管（LED）”的日本科学家赤崎勇和天野浩以及美籍日裔科学家中村修二，以表彰他们在发现新型高效、环境友好型光源方面所作出的贡献。

　　从半导体中产生高亮度蓝色光的方法是“光技术领域一场根本性的变革”。蓝色LED光一直是技术难题，在1989年才首次研发成功，而红色和绿色的LED光30年前就已出现。蓝光LED的加入使白光可以以新的方式被创造出来，这样我们就拥有了更加持久和更加高效的LED灯光代替原来的光源。

　　瑞典皇家科学院在宣布今年获奖名单时说：“LED灯的出现，使得我们在传统光源之外，找到了更持久、更节能的光源。这项发明开启了一场照明革命，白炽灯泡照亮了20世纪，而21世纪将被LED灯照亮。” 与白炽灯、荧光灯相比，LED能耗更低，寿命更长，而且可实现智能化操控，是节能环保的“绿色照明”。因此进入市场后，呈现爆发式增长。国家半导体照明应用系统工程技术研究中心经理杨洁翔介绍，我国2010年的LED产值是700多亿元；而到了2013年，全年产值猛增到5000多亿元。家庭、办公、道路等各种场所的照明以及绚烂的景观灯光，这些市场“主力军”如今都是LED。

　　稀有金属镓、铟等材料对LED照明技术的发展可谓“功不可没”。目前，LED光源的核心材料主要是稀有金属镓（Ga）、铟（In）与砷（AS）、磷（P）的化合物，并且基于宽禁带半导体材料氮化镓（GaN）和铟氮化稼（InGaN）的也是最具有商业应用价值的LED发光材料。随着LED光源越来越广泛应用，大量稀有金属化合物制成的发光半导体材料也将迎来更大的需求。据统计，2013年我国芯片环节产值达到105亿元，增幅31.5%；产量增幅更是高达61%，其中GaN芯片的产量占比达65%，而以InGaAlP芯片为主的四元系芯片的产量占比为25%，GaAs等其他芯片占比为10%左右。

　　据专家预测，2014年我国LED行业将延续2013年上升势头，迎来新一轮的增长，预计增长率将达到40%左右。全球LED照明的快速发展，必将会带动镓和铟等稀有半导体金属需求的快速增长，也会带动越来越多的企业和个人关注铟和镓等稀有金属。作为全球铟、镓等稀有金属交易量和库存量最大的现货交易所，泛亚有色金属交易所在稀有金属行业内的优势地位也会逐渐凸显。