2013年7月30日,“十一五”信息领域国家科技支撑计划“通信光电子器件的关键工艺与支撑技术研究”项目验收会在武汉顺利召开。会议由科技部高新司组织召开,湖北省科技厅、项目责任专家及相关课题承担单位研究人员参加了会议。
该项目由武汉邮电科学研究院、华中科技大学等国内多家优势单位共同承担。目前,该项目已成功开发出具有自主知识产权的基于纳米压印技术的DWDM DFB激光器、低成本APD芯片、宽温度范围DFB激光器芯片、阵列波导光栅芯片、色散补偿光纤和40G DQPSK调制器及解调器,全面掌握了多量子阱DFB激光器、高速APD探测器和阵列波导光栅等核心产品的关键制造工艺和技术,并攻克了关键光电子器件制造的“空芯化”问题,对于大幅提高产品成品率,有效降低器件制造成本具有重要意义。项目所研制各项产品性能指标均与国际水平接轨,已初步实现了规模化量产并在国内外市场得到了广泛应用,累计实现6亿元销售额,为形成具有规模化生产能力的通信光电子器件产业基地奠定了坚实基础。
该项目的顺利实施,对于全面提升我国核心光电子芯片技术水平和自主提供能力、保持通信光电子产业可持续发展具有重要意义。
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