通富微电与富士通半导体建研发中心

　　今日，通富微电披露，公司拟与关联公司富士通半导体株式会社(简称“富士通半导体”)合作，建立研发平台，利用半导体产业快速发展的机遇加快先进封装技术成果的转化及产业化。

　　据悉，研发中心设在公司，研发中心主任由公司董事长石明达担任，两名副主任分别由双方各推荐一名担任，富士通半导体将委派3-4名研发人员在研发中心工作。双方共同协商制定研发中心的研发战略、方向及项目。在今后1-2年内，研发的重点是Fan-Out WLP、Low Cost FCBGA 等技术。至于研发过程中形成的ZL技术，根据贡献度确定ZL所有，双方均可使用该项ZL技术。

　　双方已于2010年8月30日签署了 《合作设立研发中心意向书》，具体合作事宜有待于进一步协商，并通过签署正式协议的方式确定。公司表示，研发中心的设立，将加大公司研发新型封装产品和技术的力度，不仅有利于公司综合技术水平的提升，还将加快先进封装技术成果的转化及产业化。同时，对优化公司产品结构，实现产品技术处于行业领先地位的目标也会产生实质性的积极作用。