预算5200万一高校采购显微镜、透射仪、质谱等设备

序号

产品名称（设备名称）

数量/单位

备注

1

超景深显微镜

1套

1.集成电路自动化测试系统、双束电子显微镜、场发射透射电子显微镜为核心产品；

2.该包经批准可以采购进口产品。

2

集成电路自动化测试系统

1套

3

半导体曲线图示仪

1套

4

3D X射线透射仪

1套

5

集成电路静电放电评估系统

1套

6

集成电路开封系统

1套

7

微光显微镜

1套

8

双束电子显微镜

1套

9

锁相红外热成像系统

1套

10

场发射透射电子显微镜

1套

11

PIND测试系统

1套

12

氦质谱检漏仪

1套

序号

设备名称

规格型号

1

集成电路自动化测试系统

本设备包含SOC测试系统成品测试主机台和晶圆测试主机台、三温机械手、射频探针台等配件

※（1）SOC成品测试系统主机：　

·通道数不低于48路；,每通道电压范围不低于0~7V；

每通道电流范围：-200mA~1A，可并联使用，并联电流能力不低于4A；整板电流不小于48A,电压最小测量精度不低于±10mV；

·256个数字引脚 /每卡

·单端驱动，单端/差分接收

·每个引脚基础速率100Mbps,  配置16MVec存储空间

·通用存储器

·每个引脚一个时钟域

·每个引脚时序发生器基础速率 400MHz

·边沿分辨率 1pS，±100pS  EPA

·最大负载电流≤25 mA

（2）三温机械手

·温度范围 -65°C ~ +150°C

·覆盖军工、车规级芯片测试需求

·定位精度 ±3~5μm 确保芯片与测试插座精准对接

·传输速度 1~2秒/芯片（含温稳时间）

·最大负载 1~5kg

·支持多芯片并行测试（如MCM封装）

·温变速率 ≥10°C/分钟

（3）SOC晶圆测试机台

通道数不低于48路；,每通道电压范围不低于0~7V；

每通道电流范围：-200mA~1A，可并联使用，并联电流能力不低于4A；整板电流不小于48A,电压最小测量精度不低于±10mV；

·128个数字引脚 /每卡

·单端驱动，单端/差分接收

·每个引脚基础速率100Mbps,  配置16MVec存储空间

·通用存储器

·每个引脚一个时钟域

·每个引脚时序发生器基础速率 400MHz

·边沿分辨率 1pS，±100pS  EPA

·最大负载电流≤25 mA3

·每张板卡集成32个instrument

·64 双向模拟pogo 端口，每端口配置PMU.

·高精度(HR) & 高速（HS）单元

·所有instruments 可以由HW处理器控制，并行独立地运行

·使用内部触发 & 同步

·每个instrument 集成单独的采样时钟

·无需专门的校准设备（仅IQ 校准需专门的校准板）

·可以使用内置 2:1多路器引出AWG 或 DGT , 如果它们单独被使用

（4）探针台

支持半自动控制：（可手动测试，可自动测试）

•Chuck 每一个轴均带0.1微米线性光栅尺

•Chuck X-Y-Z 三轴行程分别为350mm*365mm*20mm

•Chuck最高移动速度:X,Y轴>70mm/S，Z轴> 20mm/S

•Chuck X,Y,Z向运动解析度：最小为0.1微米

•Chuck往返重复精度:+-1µm

•Chuck 绝对定位精度:+-2µm

•Chuck角度旋转范围+-10°

•Chuck角度旋转精度：0.0001°

•Chuck Theta往返重复精度:0.0005°

•Chuck Theta 绝对精度:0.001°

•温度范围 -55°C ~ +220°C ,测试温度精度1.5℃

序号

设备名称

规格型号

1

超景深显微镜

（1）显微镜变焦头部：标准型电动变焦头部；

（2）光学系统：远心光学系统，确保准确度和重复性；

（3）综合放大倍数：约 20X-2900X 倍（需结合实际使用的显示器尺寸）；

※（4）物镜镜头：

a. 1X 倍：工作距离 51.7mm，数值孔径 0.03；

b. 5X 倍: 工作距离 12mm，数值孔径 0.15；

c. 20X 倍: 工作距离 12mm，数值孔径 0.4；

（5）LED 寿命：60,000 小时（设计值）；

（6）聚焦行程：101mm 电动；

（7）机架：倾斜型，倾斜角度: ±90°；

（8）CCD 相机：DP75（内置），像素 1237 万，最大帧率 60fps；

（9）观察方式 5 种：明场，暗场，偏光（DSX10-SXLOB1 物镜不支持偏光观察），

混合，偏斜式；

（10）载物台：电动，可旋转，行程 100*100mm；

（12）最大承重：5KG；

（13）功耗：100–120V / 220–240 V, 1.1/0.54 A, 50 Hz/60 Hz

2

半导体曲线图示仪

1、电压测量范围 ±200 V

2、电流测量范围 0.1 fA 至 1 A（需根据模块选择）

3、电容测量范围 1 fF 至 10 μF

4、脉冲发生器 输出电压：±40 V；脉冲宽度：10 ns 至 100 μs

5、测量速度 最高 1000 点/秒（扫描模式下）

6、接口 GPIB、USB 2.0、LAN、触发 I/O

3

3D X射线透射仪

射线管

※射线管类型：密闭式透射管，免维护保养、无需更换灯丝

※特征分辨率：0.3μm

最大功率：20瓦

电压：30-160千伏

探测器

探测器类型：CMOS平板探测器

分辨率：330万像素

帧率：25Fps

像素点间距：70μm

数字图像处理：16 bit

斜视角度：最大70°

减振系统：主动气浮减振

※最大检查区：510*445mm

※最大样本尺寸：736*580mm

最大几何放大倍率：2500倍

最大综合放大倍率：45000倍

最大样品重量标准铝托盘：5kg

显示器：38英寸曲面屏显示器，分辨率3840*1600

控制方式：鼠标键盘

软件功能：

可针对图像进行分析，对半导体片式器件、IC、QFP、SOP、SOT、QFN、BGA、直插器件，探针形貌等进行质量检测或拍照；

可针对规则BGA产品进行编程，并自动计算气泡；

可针对锡球的短路，偏移，锡量过多/过少、锡球变形/缺失，明显空焊等缺陷进行快速定位；

可针对2D空焊分析、通孔插件、灌锡测量、锡球/芯片气泡测量功能；

可进行注解功能，可在图片上圈定，文字注解，编辑并存储；

可编程完成全自动检测并可保存及打印结果，可与其他计算机进行数据交换。

外壳全封闭式铅屏蔽安全系统：X射线辐射泄漏量远小于1uSv/hr，符合所有国际标准。

4

集成电路静电放电评估系统

1、测试设备多达 768 针;系统配置为 128、256、384、512 或 768 通道

2、8 位点 HBM 脉冲源，100pF/1500Ω

3、人体模式：100pF/1500Ω 网络，符合 ESDA、ESDA/JEDEC JS-001、MIL-STD 883 和 AEC Q100-002 规范，30V 至 8kV

4、机器模式：200pF/0Ω 网络，符合 ESDA STM5.2、JEDEC JESD22-A115 和 AEC Q100-003,30V 至 1000V集成脉冲源允许快速执行多站点测试

5、符合 JEDEC JESD78 和 AEC Q100-004

6、允许用户单独定义每个引脚的 V/I 电平、一致性范围和曲线走线参数

7、预应力、预失效 （ESD） 和失效后数据，以及全曲线迹线和特定数据点测量。可以导出数据以进行统计评估和呈现

8、工作温度：+19°C至+22°C，非工作温度 ：10°C至+60°C ，湿度范围 ：30-60%

9、电源：90-250 V, 10A, 50/60 Hz

5

集成电路开封系统

激光开盖机

1、激光功率：10W

2、激光重复频率：≥500KHZ

3、激光波长：1064nm

4、扫描范围：≥110 x 110mm

5、最小线宽：0.1mm

6、扫描速度：≤12000mm/s

7、扫描深度：最大功率＞1mm，最小功率＜0.05nm

8、重复精度：0.01mm

9、电力需求：220v（±10%）/50Hz/15A

10、冷却方式：风冷

研磨机

1、转速自由调节50-1500

2、双盘双控,无级变速

3、双冷却润滑系统"

化学槽

6

微光显微镜

主机性能

1、适用范围：适用于芯片级别的分析；200mm或者300mm尺寸晶圆、切割后的芯片、封装后的芯片、带硅衬底的芯片

2、相机接口：可接单相机或者双相机

3、镜头转轮：5孔全自动透镜转轮，由软件直接选择将使用的照相机

4、最小步进精度：X轴：0.1um，Y轴：0.1um，Z轴：0.1um

5、重复精度：X轴：±1um，Y轴：±1um，Z轴：±1um

6、光学系统移动范围：X轴：±20mm，Y轴：±20mm，Z轴：80mm

7、减震装置：空气气垫浮台

8、光学系统支持最多5种光源配置，可以扩展1300nm/1100nm/900nm/532nm/Laser marker

9、具备探针观察相机，可实现触摸或者软件观察探针放置状态

10、实验室环境条件改造要求

工作温度：15℃-25℃

工作湿度：35%~60%

压缩空气要求压力：0.5MPa-0.7MPa

仪器运行持久性：仪器可连续使用

洁净度：十万级及以上

7

双束电子显微镜

电子光学：

• 电子束减速，样品台偏压 0 V 到 -4 kV

• 电子源寿命至少 12 个月

※电子束分辨率

• 在最佳工作距离下：

– 30 kV 下STEM 0.6 nm

– 15 kV 下 0.6 nm

– 1 kV 下 1.0 nm

– 1 kV 下 0.9 nm (电子束减速模式)

• 在束重合点：

– 15 kV 下 0.6 nm

– 1 kV 下 1.5 nm

※电子束参数

• 电子束流范围：0.8 pA - 176 nA

• 加速电压范围：200 V - 30 kV

• 着陆能量范围： 20 eV  - 30 keV

• 最大水平视场宽度：4 mm 工作距离下为 2.3 mm

离子光学

Tomahawk HT 离子镜筒，卓越的大束流性能

• 离子束流范围：1 pA – 100 nA

• 加速电压范围：500 V - 30 kV

• 两级差分抽吸

• 飞行时间（TOF）校准

• 15 孔光阑

• 最大水平视场宽度：在束重合点处为 0.9 mm

• 离子源寿命至少 1,000 小时

离子束分辨率（在重合点处）

– 30 kV下 4.0 nm（采用首选统计方法）

– 30 kV下 2.5 nm（采用选边法）

8

锁相红外热成像系统

主机部分 ：

（1）适用范围：适用于芯片级别的分析；200mm或者300mm尺寸晶圆

               切割后的芯片

               封装后的芯片

               带硅衬底的芯片

（2）相机接口：可接单相机或者双相机

（3）镜头转轮：5孔全自动透镜转轮，由软件直接选择将使用的照相机

（4）最小步进精度：X轴：0.1um，Y轴：0.1um，Z轴：0.1um        

（5）重复精度：X轴：±1um，Y轴：±1um，Z轴：±1um

（6）光学系统移动范围：X轴：±20mm，Y轴：±20mm，Z轴：80mm

（7）减震装置：空气气垫浮台

（8）光学系统支持5种光源配置，可以扩展1300nm/1100nm/900nm/532nm/Laser mark  

（9）具备探针观察相机，可实现触摸或者软件观察探针放置状态

9

场发射透射电子显微镜

加速电压: 200 kV；点分辨率:0.25 nm；信息分辨率: 0.12 nm
STEM HAADF分辨率: 0.16 nm；能谱能量分辨率：136 ev；元素检测范围：B～U元素

10

PIND测试系统

振幅：5.0至25.0’G’峰值，Windows视窗显示
振幅程序分辨率：0.1’G’振幅：200至3000’G’软件编程
重复性：50’G’内电源：220V
功耗：最大600瓦

11

氦质谱检漏仪

氦气最小泄漏检测率（真空法） mbar•L/s < 5·10-12
氦气最小检测泄漏率（嗅探模式） mbar•L/s < 5·10-8
最大。入口压力 GROSS 模式 mbar 15
最大入口压力 FINE（精细）模式 mbar 2
最大入口压力 ULTRA 模式 mbar 0.4