从中国科学院高能物理研究所获悉,8月18日,高能同步辐射光源(HEPS)储存环流强达到12毫安。这是HEPS建设的又一重要里程碑,标志着HEPS加速器调束进入了快行道。
HEPS是我国乃至亚洲首台第四代同步辐射光源,也是全球首批10皮米弧度量级自然发射度的光源之一。其核心是一台具有极低发射度的全新储存环加速器,物理设计极具挑战性。
“为了实现国际一流的加速器及光源整体性能,磁铁、电源、真空、注入、机械、准直、高频、束测、控制、定时、插入件等硬件指标要达到第四代光源的高标准和高要求。”HEPS工程总指挥、中国科学院高能物理研究所研究员潘卫民介绍说,“调束初期,储存环就有1776块磁铁、2500余台电源、578个电子束流位置探测器、1360米真空室、3个高频腔、2台脉冲冲击器和切割磁铁,控制信号超过10万路。任何一个微小的硬件错误,例如一个硬阻拦或设备安装错位,都会影响电子束的轨迹。另外,HEPS与众不同,它有注入和引出两块切割磁铁,垂直物理孔径仅两三毫米,对调束来说,无疑是一个巨大挑战。”
经过5年建设,7月1日,HEPS储存环完成全部设备研制和安装,并启动多系统联合调试,随后加速器物理与各硬件系统交叉协作,完成磁铁极性测试、硬件远控测试、调束软件-硬件测试等加速器联合调试。此外,为了应对超低发射度储存环首圈调束可能面临的各种挑战,加速器物理与束测系统基于增强器开展了大量束流实验,为储存环调束监测手段做了充分准备。
“HEPS调束团队在很短的时间内就取得了很好的调束成果,可以说几乎没有走一点弯路,表现出色。”中国工程院院士、HEPS科学技术委员会主任、储存环调束总顾问陈森玉说。下一步,HEPS调束团队将提升和优化电子束流流强、寿命等参数,力争尽早为光束线站供光。
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