3月15日，中国科学院高能物理研究所组织专家对166.6MHz超导高频腔低温垂直测试进行了现场测试，该超导腔是高能同步辐射光源验证装置（HEPS-TF）中的核心研制内容之一。测试专家组由来自于清华大学、北京大学和中科院高能所的专家组成，专家组听取了课题组的介绍，对166.6MHz超导高频腔进行了现场测试。
测试结果表明，分别在4.2K和2K温度下，166.6MHz beta=1的超导高频腔垂直测试已经达到了设计目标，并具有较高的Q0值。在4.2K温度下腔压达到1.5MV，Q0值为2.4x109（设计目标：1.5MV, Q0>5x108@4.2K）。4.2K下的低场表面电阻为10 nΩ，表面残余电阻仅为2.3nΩ。
166.6MHz超导腔是国际上首个低频（<200mhz）强流（流强>200mA）高功率（>150kW）beta=1的超导腔，4K和2K的测试结果表明指标均达到了世界领先水平，是HEPS-TF项目的重要里程碑。该腔由北京高能锐新科技有限公司制造，高能所加速器中心高频组负责完成超导腔的后处理工作。
166.6MHz beta=1的超导高频腔垂直测试达到设计目标
166.6MHz超导高频腔
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