科学家合成了一系列刺激响应光功能分子材料和薄膜
多态性(polymorphism)和各向异性(anisotropy)是晶体材料的两种基本性质。通过调控分子间相互作用和组装模式，可以从单一分子得到多态发光晶体。与此同时，各向异性使得分子晶体在不同方向上具有不同的物理化学性质。有机微纳晶态材料具有规整度高和结构缺陷少的特点，被认为是揭示材料本征特性和构筑高性能光电器件的最佳选择之一。从单一分子制备多态发光微纳晶体并研究其结构依赖的发光各向异性不仅为纳米光子学提供材料基础，并为揭示有机发光晶体的构性关系提供重要依据。 在国家自然科学基金委和中国科学院先导项目支持下，中科院化学研究所光化学重点实验室光功能材料与光电化学研究团队近年来利用金属有机化合物的分子可设计性和强组装能力，合成了一系列刺激响应光功能分子材料和薄膜（J. Am. Chem. Soc. 2018, 140, 12337-12340；J. Am. Chem. Soc. 2018, 140, 7723-7729）；......阅读全文
使用石英晶体微天平研究薄膜生长
引言Gamry公司的eQCM 10M电化学石英晶体微天平的一个用途就是研究薄膜的生长。下面举一个关于薄膜生长影响电极电化学性能的例子。固体接触（SC）离子选择性电极（ISEs）是常用作测量医学及环境应用中离子浓度的一种传感器。SC ISEs的电化学特性取决于在电子传导基底（例如，金，铂）和离子传导膜
工程热物理所微纳热电薄膜材料热物性表征研究获进展
将热电材料制作成纳米柱状薄膜结构是一种理论上能有效降低热导率、大幅提升热电优值的操控手段。但随之而来的问题是纳米柱状薄膜热导率的精确获取困难，由于Bi2Te3取向纳米柱状薄膜是由直径为微米量级的纳米柱阵列组成的多孔结构，其表面粗糙度较大，因此在表面上直接沉积百纳米厚的微型金属探测器的实验方案无法
如何用耗散型石英晶体微天平测量薄膜降解
薄膜降解—时而需要时而避免 我们周围有许多工艺流程中，包括自发进行的和人为设计的，会有薄膜或涂层的降解或者剥落。一个典型的例子是蚀刻或腐蚀，比如说在管道基础设施中，这是一个不希望的过程，但是在制造电子元件时却是非常需要的。另一个需要薄膜剥落的领域是用洗涤剂去除油污。在这两种情况下，了解材料
如何用耗散型石英晶体微天平测量薄膜降解
薄膜降解—时而需要时而避免 我们周围有许多工艺流程中，包括自发进行的和人为设计的，会有薄膜或涂层的降解或者剥落。一个典型的例子是蚀刻或腐蚀，比如说在管道基础设施中，这是一个不希望的过程，但是在制造电子元件时却是非常需要的。另一个需要薄膜剥落的领域是用洗涤剂去除油污。在这两种情况下，了解材料
如何用耗散型石英晶体微天平测量薄膜降解？
薄膜降解—时而需要时而避免我们周围有许多工艺流程中，包括自发进行的和人为设计的，会有薄膜或涂层的降解或者剥落。一个典型的例子是蚀刻或腐蚀，比如说在管道基础设施中，这是一个不希望的过程，但是在制造电子元件时却是非常需要的。另一个需要薄膜剥落的领域是用洗涤剂去除油污。在这两种情况下，了解材料的降解和剥落
宁波材料所在超低压双电层微纳晶体管领域取得系列进展
薄膜晶体管(Thin-film transistors, TFTs)是一类重要的半导体器件，在平板显示、传感器等领域具有广泛的应用价值。最近几年，宽带隙氧化物半导体由于其具有低温成膜、高电子迁移率、可见光透明等优点，在薄膜晶体管领域引起了人们广泛的研究兴趣。由于常规Si
微纳材料热电性能测量研究方面取得进展
近日，中国科学院工程热物理研究所储能研发中心在微纳材料的热电性能表征方法方面取得进展，为微纳材料热电参数的精确测量和一体化原位表征提供了研究思路。 提高材料的热电性能是学者们一直追求的目标，将材料进行微纳结构化是提高热电性能的重要且有效的方法之一。热电参数（热电优值ZT、热导率k、赛贝克系数S
微流控构筑微纳功能材料及其生物医学应用
近日，中国科学院深圳先进技术研究院医工所纳米调控研究中心副研究员杜学敏（通讯作者）及其团队成员赵启龙（第一作者）、崔欢庆（共同第一作者）和王运龙在材料领域期刊Small上发表微流控构筑微纳功能材料及其生物医学应用综述，全面总结了基于微流控技术构建形态、形貌、结构、组成乃至性能精准可调的微纳功能材
纳米级铌酸锂晶体薄膜材料研发获财政支持
济南晶正电子科技有限公司自主研发生产的国家重点鼓励发展的新材料——纳米级铌酸锂晶体薄膜材料，得到济南市政府的高度重视和支持，并由此获批了济南综合保税区的黄金地块和3000万元的财政支持。近日，山东省委常委、济南市委书记王敏到济南市高新区调研时重点关注了济南晶正项目建设情况，对其世界首创的纳米级铌
宁波材料所在无结薄膜晶体管领域取得重要进展
最近，国外科研人员报道了一种新型的无结纳米线晶体管(Nature Nanotechnology. 5, 225 (2010)）。这种晶体管源极和漏极与沟道区之间没有结的存在。相比传统的结型晶体管，无结晶体管的源极、漏极与沟道共用一根重掺杂的硅纳米线，从而大大简化了传统器件的制备工