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氢核外的电子云密度越小，化学位移越大。1那的是c，2那的是b，4.3那的是a，因为硝基是强吸电子基团，离这个基团越远，吸电子效应越弱。非要具体算，你得找本参考书了，不过一般识谱没有这个必要。......阅读全文
化学位移：由于原子所处的化学环境不同而引起的内层电子结合能的变化，在谱图上表现为谱峰的位移，这一现象称为化学位移。化学位移产生的原因：原子核对内层电子有吸引力，外层电子对内层电子有排斥（屏蔽）作用。当原子的化学环境发生改变时，会引起原子核的吸引力和外层电子的屏蔽作用的改变，从而改变内层电子的结合能，
化学位移的理论当质子处在磁场H0中时,它的一个核外电子被诱导在与H0垂直的平面上绕核运动而在电子环流所包围的区域内产生与H0方向相反、正比于H0的局部磁场,这个局部磁场抵消了一部分磁场,因此,使质子实际受到的磁场强度有所降低,其关系表示为: 式中,HH表示氢原子核实际受到的磁场强度大小;σ为屏蔽常数
质子或其他种类的磁性核由于在分子中所处的化学环境不同而在不同的磁场强度下显示共振峰的现象称为化学位移。
化学位移采用相对数值表示:以某一标准样品的共振峰为原点,测出样品各峰与原点的距离。化学环境中的电子受磁场作用而产生的感应磁场与磁场的磁场强度成正比,因此,由感应磁场的屏蔽作用所引起的化学位移的大小也与磁场的磁场强度成正比。由于实际的核磁共振波谱仪具有不同的频率或磁场强度,于是,若用频率或磁场强度表示
与独立的质子不同,分子中的各个质子都分别处于特定的化学环境。化学环境主要是指质子的核外电子以及与该质子距离相近的其他原子核或官能团的有关电子的分布、运动及其对周围空间的影响情况;这些电子在磁场的影响下产生了感应磁场,对质子所处环境中的磁场起了一个正的或负的屏蔽(shielding)影响导致不同的质子
在核磁共振氢谱中,影响化学位移的因素主要包括局部屏蔽效应、远程屏蔽效应、氢键效应和溶剂效应等。此外,分子结构中存在的对称性(对称元素与核的化学位移等价性密切相关。1.局部屏蔽效应通过影响所研究的质子的核外成键电子的电子云密度而产生的屏蔽效应称为局部屏蔽效应。局部屏蔽效应可分为两个组成部分,其一是核外
化学位移的单位怎么是ppm的原因是：核磁共振中，化学位移本身的单位并不是ppm，而其单位是Hz，之所以单位为ppm，是因为我们常说的化学位移指的是化学相对位移。打个比方，当使用200MHz的NMR时，某个位移值为200Hz，这时就采用相对位移，用200Hz去除以200MHz，得到的是百万分之一，也就
化学位移是核磁共振中的一种术语，是化学环境所引起的核磁共振信号位置的变化，具体是用数字来进行表达(相对的，通常使用四甲基硅烷作为基准)。如果你是大学生，有空去帮师兄师姐做做实验你就会很了解，核磁共振是化合物结构解析的常用手段。影响因素可以表示为内因:有吸电子基团的向低场移动(因为屏蔽作用减少，弛豫所
氢谱中各种基团的化学位移变化很大,不容易记忆,但只要牢记住几个典型基团的化学位移就可以解决很多问题。如:甲基0.8～1.2ppm,连苯环的甲基2ppm附近,乙酰基上的甲基2ppm附近,甲氧基和氮甲基3～4ppm,双键5～7ppm,苯环7～8ppm,醛基8～10ppm,不接氧的亚甲基1～2ppm,接氧
6, 6δH (CDCl3)0, 3, 4, m).1-1.8.4 (12H.4 Hz).64 (1H，双峰写右边的峰的位移到左边峰的位移, m), dd J=11.82 (3H.2-4.0.90 (1H, t J= 6.0 (2H, 3，此时就产生J, dd J=10，有的写范围单峰就写一个数值用