CMIC：几种主要半导体材料的应用与发展现状
20世纪中期，单晶硅和半导体晶体管的发明及硅集成电路的研制成功，引发了电子工业革命；20世纪70年代初，石英光导纤维材料和GaAs激光器的发明，促进了光纤通信技术的跨越式发展并逐步形成高新技术产业……随着科技发展，半导体材料越来越多，其在各行业中的应用，深刻地改变着人们的生活方式。那么，现阶段几种主要半导体材料的发展现状与趋势是怎样的呢？ 硅材料。硅材料可算半导体中应用最为广泛的一类材料，目前直径为8英寸的Si单晶已经实现大规模工业生产，基于直径为12英寸硅片的集成电路技术正处在由实验室向工业生产转变中。目前，直径8英寸的硅外延片和SOI材料已研制成功，下一目标是更大尺寸的片材。 GaAs和InP单晶材料。这种材料可以提高器件和电路的速度以及解决由于集成度的提高带来的功耗增加问题。其优势颇多：一是发光效率比较高；二是电子迁移率高，适合于制作超高速、超高频、低噪音的电路；三是可以实现光电集成，大大提高电路的功能和运算速度。......阅读全文
人类拍摄到半导体材料内部电子运动
英国《自然·纳米技术》杂志11日在线发表论文称,科学家们利用飞秒技术首次成功拍摄到半导体材料内部电子状态变化。该成果将提供对半导体核心器件前所未有的洞察。 自20世纪后期以来,半导体器件技术进步集中且明显,譬如晶体管、二极管以及太阳能电池等。这些器件的核心,正是电子在半导体材料中进行的内部运动
几种半导体材料的光电子能谱研究
ZnO薄膜的光电子能谱研究表明:1)对某些条件下生长的薄膜,光致发光谱中存在的绿光发光峰来源于薄膜中介于Vo和Oi中间价态的氧;2)对首次利用溅射夹层GaAs方法制备的As掺杂的ZnO薄膜,O2下退火比较容易控制As的价态,有利于形成p型掺杂。首次采用ErF3到Alq3中的方法制作了1.53μm电发
半导体热电材料
半导体热电材料（英文名：semiconductor thermoelectric material）指具有较大热电效应的半导体材料，亦称温差电材料。它能直接把热能转换成电能，或直接由电能产生致冷作用。 1821年，德国塞贝克（see—beck）在金属中发现温差电效应，仅在测量温度的温差电偶
电子/半导体的概述
定义：电阻率介于金属和绝缘体之间并有负的电阻温度系数的物质称为半导体： 简介：室温时电阻率约在1mΩ·cm～1GΩ·cm之间（上限按谢嘉奎《电子线路》取值，还有取其1/10或10倍的；因上角标暂不可用，暂用当前方法描述），温度升高时电阻率则减小。半导体材料很多，按化学成分可分为元素半导体和化合
半导体热电材料类别划分
低温材料 工作温度约为200℃，主要是Bi2Te3及Bi2Te3为基的固溶体合金材料，常用于温差致冷，小功率的温差发电器(如心脏起搏器)和级联温差发电机的低温段。温差电材料的转换效率一般为3%～4%。中温材料 工作温度约为500～600℃，主要是PbTe、GeTe、AgSbTe2或其合金
电子/半导体的特性有哪些？
半导体[2]五大特性∶掺杂性，热敏性，光敏性，负电阻率温度特性，整流特性。 ★在形成晶体结构的半导体中，人为地掺入特定的杂质元素，导电性能具有可控性。 ★在光照和热辐射条件下，其导电性有明显的变化。
半导体粉末电阻率测试可以测量固体半导体材料
本仪器是为了适应当前迅速发展中的高分子半导电纳米材料电阻率测试需要,参照有关国际标准设计的。仪器的电流输出为 10 μA - 100 mA,电阻率测试范围为10-2 -105Ωcm ，直接采用数字显示。仪器的可靠性和稳定性大大增强，更方便于用户， 而且价格低廉、实惠。配置不同的测试架可以对半导体粉末
韩国研发出新型半导体材料
韩国科学技术研究院发布消息称，该院光电材料研究小组将钨硒2维纳米膜与1维氧化锌纳米线双重结合，研发出能感知从紫外线到近红外线的下一代光二极管元件。该研究成果在国际学术期刊《Advanced Functional Materials》(IF)上刊登。 图片来源网络 光二极管元
特殊材料取代硅造出半导体薄膜
美国麻省理工学院（MIT）工程师最近开发出一种新技术，他们用一批特殊材料取代硅，制造出了超薄的半导体薄膜。新技术为科学家提供了一种制造柔性电子器件的低成本方案，且得到的电子器件的性能将优于现有硅基设备，有望在未来的智慧城市中“大展拳脚”。 如今，绝大多数计算设备都由硅制成，硅是地球上含量第二丰
半导体两大原材料浅析
半导体原料共经历了三个发展阶段：第一阶段是以硅 （Si）、锗 （Ge） 为代表的第一代半导体原料；第二阶段是以砷化镓 （GaAs）、磷化铟 （InP） 等化合物为代表；第三阶段是以氮化镓 （GaN）、碳化硅 （SiC）、硒化锌 （ZnSe） 等宽带半导体原料为主。第三代半导体原料具有