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影响分子束外延(MBE)的因素

1、外延温度 为了引起外延,基片的温度应达到某一温度值,即有必要加热到外延温度以上,当温度低于外延温度时则不能引起外延。而且外延温度还与其他条件有关,不同条件下的外延温度是不同的。 2、基片结晶的臂开 在过去的常规研究方面,基片结晶是在大气下臂开(机械折断产生结晶面)而后放入真空装置中来制取外延单晶膜。已经研究了晶面一旦臂开就立刻进行制膜的方法。由于这两种方法不同,其外延温度也有所不同。基片结晶在真空下臂开而引起的处延临界温度的不同值 3、压力的影响 在10-3Pa真空度下,臂开的表面,在1秒钟时间内即可被残余气体的单原于层所覆盖,若在10-5~10-7Pa真空条件下臂开而立即进行蒸镀,则外延温度应当更进一步地降低,但实险表明,并非如此。如M和A,在高真空下进行外延蒸镀与在超高真空下进行外延蒸镀,其结果并没有多少差别。然而,cu、Ag、Au在超高真空下,使(001)面同基片相平行,则很难生成单晶膜,这说明对Cu、A......阅读全文

超快激光超高真空扫描探针显微镜系统研制成功并推广

  高精尖科学仪器的获得是基础前沿科学探索研究及新发现的最重要因素之一。过去一些年里,我国在超高真空-分子束外延及其相关装备的研制方面与发达国家存在着巨大差距,成为我国相关领域科学研究、应用开发水平、重大原创性科研成果产生的重要瓶颈和掣肘。  作为研究低维材料和表面科学的重要工具,扫描隧道显微镜(S