分析测试百科网讯 近日，中国科学院半导体研究所采购厚氮化硅感应耦合等离子体化学气相沉积台、硅基铌酸锂薄膜电感耦合等离子刻蚀机，预算金额903万元，文件详情如下：
设备用途：1.厚氮化硅感应耦合等离子体化学气相沉积台用于光波导器件表面的氧化硅及氮化硅薄膜淀积，适用于波导器件中包层薄膜的沉积。2.硅基铌酸锂薄膜电感耦合等离子刻蚀机用于坚硬材料刻蚀形成波导，专为刻蚀铌酸锂材料研发，也可刻蚀氧化硅等材料。
项目名称：2019年中国科学院半导体研究所科研仪器设备采购项目（第三批）
项目编号：OITC-G190330983
预算金额：903万元（人民币）
投标截止时间：2019年08月20日 09:30
开标时间：2019年08月20日 09:30
采购单位：中国科学院半导体研究所
地址：北京市海淀区清华东路甲35号
联系方式：010-82304941/010-82304907
附件：技术需求
采购项目的名称、数量、简要规格描述或项目基本概况介绍：
| 包号 | 货物名称 | 数量 | 是否允许采购进口产品 | 采购预算 |
| 1 | 厚氮化硅感应耦合等离子体化学气相沉积台 | 1 | 是 | 398 |
| 2 | 硅基铌酸锂薄膜电感耦合等离子刻蚀机 | 1 | 是 | 505 |
厚氮化硅感应耦合等离子体化学气相沉积台工艺技术规格
氧化硅薄膜沉积
| 折射率（1550nm下测量） | 1.44-1.52可调 |
| 折射率均匀性 | < +/-0.01 |
| 折射率重复性 | < +/-0.01 |
| 厚度 | ＞20μm |
| 样品尺寸 | 3英寸 |
| 沉积速度 | >1500A/min |
| 片内厚度均匀性 | <+/-3% |
| 片与片厚度均匀性 | <+/-5% |
| 硅的应力 (以1微米薄膜厚度测试) | < -300MPa压应力 |
氮化硅薄膜沉积
| 折射率（1550nm下测量） | 1.8-2.2可调 |
| 折射率均匀性 | < +/-0.01 |
| 折射率重复性 | < +/-0.01 |
| 沉积速度 | >200A/min |
| 样品尺寸 | 3英寸 |
| 片内厚度均匀性 | <+/-3% |
| 片与片厚度均匀性 | <+/-5% |
| 硅的应力 (以1微米薄膜厚度测试) | <100MPa 伸应力 |
硅基铌酸锂薄膜电感耦合等离子刻蚀机工艺技术规格
铌酸锂刻蚀工艺
| 刻蚀材料 | 铌酸锂 |
| 刻蚀结构 | 线宽100nm-1μm波导 |
| 掩膜 | >200nm厚Cr硬掩模。 所有刻蚀掩膜必须为挺直，侧壁角度>80° |
| 露面积 | ＞80% |
| 刻蚀深度 | 300-700nm |
| 刻蚀速度 | >30nm/min |
| 片内刻蚀深度均匀性 | <±3% |
| 片与片刻蚀深度均匀性 | <±5% |
| 对应硬掩模选择比 | >5:1 |
| 侧壁倾角 | >75° |
| 侧壁粗糙度 | ＜10nm |
氧化硅刻蚀工艺
| 刻蚀材料 | 氧化硅 |
| 刻蚀结构 | 线宽5-10μm波导 |
| 掩膜 | >3um厚PR。 所有刻蚀掩膜必须为挺直，侧壁角度>80° |
| 曝露面积 | <15% |
| 刻蚀深度 | 6-15um |
| 刻蚀速度 | >3000A/min |
| 片内刻蚀深度均匀性 | <±3% |
| 片与片刻蚀深度均匀性 | <±5% |
| 对应光刻胶选择比 | >3:1 |
| 角度 | >85° |
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