微电子所等研制出国际先进的氮化镓增强型MISHEMT器件
近日,中国科学院微电子研究所氮化镓(GaN)功率电子器件研究团队与香港科技大学教授陈敬团队,西安电子科技大学教授、中科院院士郝跃团队合作,在GaN增强型MIS-HEMT器件研制方面取得新进展,成功研制出具有国际先进水平的高频增强型GaN MIS-HEMT器件。 第三代半导体材料氮化镓具有高禁带宽度、高击穿电场、高饱和电子漂移速度等优异的物理性质,尤其是材料本身的强自发和压电极化效应能在AlGaN/GaN异质结构中诱导出高密度、高迁移率的二维电子气(迁移率可达到2000 cm2/V·s以上),突破了传统Si基功率器件的材料极限。这些优良性质促使GaN功率电子器件在工作频率和电能转换效率上脱颖而出,成为下一代高效节能功率电子器件的最佳候选之一。 增强型,也叫常关型,是电力电子应用的关键要求,其中栅槽刻蚀工艺是最早实现GaN增强型器件的技术之一。传统的刻蚀工艺主要在常温下进行,无法实现刻蚀所造成的晶格损伤的原位恢复和刻蚀残留物......阅读全文
2024上海电子元器件展|中国电子元器件展览会
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2025深圳国际电子元器件展|2025电子元器件展会深圳开展
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2025深圳国际电子元器件展|2024电子元器件展会深圳开展
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【电子元器件展2024深圳国际电子设备、元器件|博览会】
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全国2024深圳电子元器件展|2024深圳电子元器件展览会_
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全国2024深圳国际电子元器件展|2024电子元器件展会深圳开展
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[-通知-]-电子元器件展|2024上海国际电子元器件展会-招商中
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电子元器件展|2025深圳国际电子元器件展览会「官网」
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元器件展会|2024上海国际功率半导体展览会「上海元器件展」
展会概况展会名称:2024中国(上海)国际电子展览会展会时间:2024年11月18-20日 论坛时间:2024年11月18-19日 展会地点:上海新国际博览中心展会规模:50,000平方米、800家展商、90,000名专业观众 展会介绍: 电子产业是电子信息产业的基础支撑,中国电子元器
常见的有源电子器件
有源器件是电路的主要器件,从物理结构、电路功能和工程参数上,有源器件可以分为分立器件和两大类。 1、分立器件 (1)双极型晶体(BipolarTransistor),一般简称三极管,bjt (2)场效应晶体管(FieldEffectiveTransistor) (3)晶闸
电子元器件批次详解(一)
一、什么是批次LOT CODE又叫LOT No.,LOT No.是lot number的缩写,是“批号”的意思。厂家为了可以追溯和审查该批元器件的生产历史,所以每一批产品都有相应的的生产号码。生产批号是同一批元器件的编号。它是用于识别“批”的一组数字或字母加数字。一般的,根据批号可以追踪产品
电子元器件批次详解(二)
三、批次信息表示方式批次,就是用同一批号的原料,在同一班次和同一生产线上生产出来的同一品种和同一规格的产品,为一个批次。相对于元器件狭义的来说就是封装测试厂在芯片表面丝印的生产日期或者外包装标签上的日期。我们认为批次就是DTAE CODE简称D/C,一般地,元器件的批次信息表示方式:1、用单
【2024深圳电子展会|电子元器件展会】
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2025深圳电子元器件展,2025中国(深圳)国际电子元器件展
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2024年上海电子元器件展览会2024电子元器件展「官网」
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电子元器件展|2024第12届深圳国际电子元器件展览会_
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2024电子元器件展|2024中国电子元器件展览会
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2024电子元器件展|2024中国电子元器件展览会
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全国电子元器件展2024深圳国际电子元器件展览会「官网」
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全国特种电子元器件展--2024深圳国际电子元器件展览会
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电子元器件展会|2024上海国际电子元器件展览会「官网」
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电子元器件展会|2024上海国际电子元器件展览会「官网」
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华南电子元器件展|2025深圳国际电子元器件展览会「官网」
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Agilent-B1505A-功率器件分析仪/曲线追踪仪
Agilent B1505A 功率器件分析仪/曲线追踪仪 15815566786=======================================深圳佳捷伦电子仪器有限公司联系人:陈娟/欧阳手机:15815566786/13510500080电话:0755-89518111传真:075
苏州纳米所GaN/Si功率开关器件研究获得重要突破
随着能效标准不断提高,基于硅(Si)材料的功率器件改进空间越来越小;人们将目光投向新材料领域,以期实现根本改进,从而引发新一代功率器件技术的革命性突破。众多新材料中,基于氮化镓(GaN)的复合材料最引人关注。GaN基功率器件具有击穿电压高、电流密度大、开关速度快、工作温度高等优点
光谱仪中功率器件X光管的寿命问题
网上看到大家讨论X光管的寿命问题,实践上,可能每个人描绘的都不是一件事情,由于X光管的功率不同,并且差异很大,从几瓦到几千瓦,各种功率X光管的设计寿命就相差很多。比方灯丝电流,50W的光管只需几安培,400W的要将近10安培,2000W的要十几安培,4000W的要几十安培,那么对灯丝的耗费就相差
“中国功率器件领路人”陈星弼院士逝世,享年89岁
2019年12月4日17时10分,“中国功率器件领路人”陈星弼在四川成都逝世,享年89岁。 陈星弼,1931年1月出生于上海,1952年毕业于国立同济大学电机系,先后在厦门大学、南京工学院及中国科学院物理研究所工作,1956年开始在电子科技大学任教,1999年当选中国科学院院士。他是国际半导体
[2025]-深圳电子展|电子元器件展会|电子物料展
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上海电子元器件·展|2024上海国际电子元器件展览会「官网」
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上海电子元器件展|2024上海国际电子元器件展览会「官网」
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