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英国牛津仪器公司开发二硫化钼生长工艺

据报道,英国牛津仪器公司利用其纳米实验室纳米级生长系统,启动了二硫化钼生长工艺研究。 单层硫化钼是一种直接带隙半导体材料,在光电领域具有广泛的应用,如发光二级光、光伏电池、光探测器、生物传感器等,而多层二硫化钼是一种非直接带隙半导体,有望用于未来的数字电子技术。 牛津仪器公司表示,该公司已经开展了广泛的研究,对化学气相淀积工艺进行了优化,开发了纳米实验室系统,这一系统能够处理广泛领域的液态/固态/金属-有机材料,适用于二维材料生长。该系统能够提供在蓝宝石、原子层淀积铝(氧化铝和氧化硅)等各种衬底上生长的能力,也能够淀积硫化钨、二硫化钼等二维过渡金属硫化物。 该工艺的开发及其已经经过验证的成果极度令人振奋,因为纳米实验室等离子处理系统的二维材料处理能力进入到了一个新阶段。拉曼分析表明了单层材料的高品质,原子力显微镜表明了薄膜的平滑和一致性。该公司期待二维材料生长工艺的开发,将推动下一代纳米电子器件的开发。......阅读全文

英国牛津仪器公司开发二硫化钼生长工艺

  据报道,英国牛津仪器公司利用其纳米实验室纳米级生长系统,启动了二硫化钼生长工艺研究。  单层硫化钼是一种直接带隙半导体材料,在光电领域具有广泛的应用,如发光二级光、光伏电池、光探测器、生物传感器等,而多层二硫化钼是一种非直接带隙半导体,有望用于未来的数字电子技术。  牛津仪器公司表示,该公司已经

牛津仪器纳米分析部微博

  牛津仪器纳米分析部开微博啦!http://weibo.com/oichinana . 或者微博中直接搜索:牛津仪器纳米分析部   该微博专门用于发表能谱、波谱、EBSD及omniprobe等产品知识、技术创新、培训安排及交流活动等等信息。   欢迎各界人士关注并参与评论,尤为欢迎大家提出各种

牛津仪器与艾恩德霍芬大学开发出二维材料低温生长设备

  牛津仪器公司的原子层沉积技术(ALD)和2D材料专家与艾恩德霍芬理工大学合作开发了用于纳米器件的二维过渡金属硫化物(2D TMDS)原子层沉积(ALD) 系统——FlexAL-2D ALD系统。  FlexAL-2D ALD系统可在与CMOS兼容的温度下生长2D材料,并可在大面积(200mm晶圆

牛津仪器纳米分析部无锡Seagate用户会

  牛津仪器纳米分析部于2011年6月2日在江苏无锡金陵饭店举办了INCA Feature颗粒度自动分析系统应用研讨会。   会议得到了牛津仪器的高度重视和用户的热情参与。来自江苏,浙江和广州的四十位来自半导体硬盘HPA领域的用户参加了会议。   会议由牛津仪器亚太区销售经理Jonathan

2007年牛津仪器纳米分析研讨会通知

尊敬的先生/女士:      您好!     继牛津仪器2005年在全国范围召开能谱仪培训会,2006年在全国范围内召开能谱仪推广及应用培训会取得热烈反响并得到高度评价之后,新一轮的牛津仪器2007年纳米分析研讨会也即将拉开序幕了。2007年牛津仪器纳米分析研讨会将举行两场,每场为期三天,分别为

牛津仪器纳米分析部教育网站上线

  牛津仪器纳米分析部-全球领先的微观分析系统供应商,最近发布了其教育网站www.ebsd.com。EBSD或电子背散射衍射系统是一种用于扫描电镜内部样品微观定量分析的先进技术。   EBSD的商务经理Jenny Goulden评价道:“ EBSD分析正快速地从单纯的学术研究工具

牛津仪器纳米分析部南京能谱用户培训会议

   牛津仪器纳米分析部在美丽的六朝古都南京举行了2011年度首个大篷车能谱用户培训会议。会上,来自上海硅酸盐所的李香庭教授为大家详细讲解了能谱分析的基本原理和定量分析的要点。牛津仪器的应用专家李慧为大家具体讲授了INCA的使用方法和各项高级功能及应用。不论是牛津仪器还是能谱用户都在

2012年牛津仪器纳米分析部优秀论文评选

  亲爱的用户:   大家好   为了鼓励所有用户深入探索纳米科学的世界,发表更多更好的文章,同时促进更多的企业能够最大限度的利用显微分析手段来解决多种生产问题并开发新产品,牛津仪器特设立优秀论文评奖,以表彰所有推动显微分析技术不断发展的工作者。   评选要求   使

牛津仪器公司纳米分析部2010年用户会将举办

  标题: 牛津仪器公司纳米分析部2010年用户会  地点: 黑龙江五大连池市  国家: 中国  开始日期: 2010年8月4日  结束日期: 2010年8月8日  详情: 为推动电子显微学的进步和发展,提高广大用户的设备使用水平,促进显微学在材料科学、生命科学等领域的应用和发展,牛津仪器

宁波材料所在二维纳米防护薄膜材料方面取得进展

  石墨烯具有大的比表面积、高的化学惰性以及优异的阻隔性,被认为是已知最薄的防护材料,采用化学气相沉积(CVD)法制备的石墨烯薄膜可直接用于金属的腐蚀防护,逐渐成为制备石墨烯防护薄膜最主要的方法。但石墨烯薄膜在制备过程不可避免会引入空位、晶界等结构缺陷,将其长时间暴露在空气中,腐蚀介质容易通过这些缺