俄学者发现空气对纳米电子半导体有致命影响
俄罗斯托木斯克理工大学发布消息称，该校与德国、委内瑞拉的科学家最近证实了二维半导体硒化镓在空气中的易损性，该重要发现有助于制造硒化镓基超导纳米电子产品。研究结果发表在《Semiconductor Science and Technology》(IF 2.305, Q2)杂志上。 现代材料学中，二维材料（即只有一个或几个原子层厚的薄膜材料）的研究是一个具有前景的领域，它具有优异的导电性，强度高，可以成为超小尺寸（纳米电子产品）现代电子产品的主要器件。光电产品需要使用能够在光照射时产生大电子流的新材料，有效解决该问题的二维半导体之一就是硒化镓。 国际一些科研小组曾经尝试制造硒化镓基电子设备，虽然对该材料进行了大量的理论研究，但该材料在现实装置中的应用还不明朗，托木斯克理工大学激光与光学技术的科研组成功揭示了其中的原因。他们通过光组合散射光谱法和XPS方法研究了硒化镓，确定镓和氧之间存在化学键，硒化镓一接触空气就会迅速被氧......阅读全文
新型铜铟镓硒太阳能电池能效创纪录
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2024/2/518122.shtm瑞典乌普萨拉大学和第一太阳能欧洲技术中心科学家携手，研制出一款新型铜铟镓硒（CIGS）太阳能电池，其能源转换效率高达23.64%，创下同类太阳能电池能效新纪录。相关论文发表于最新一期《
新型铜铟镓硒太阳能电池能效创纪录
瑞典乌普萨拉大学和第一太阳能欧洲技术中心科学家携手，研制出一款新型铜铟镓硒（CIGS）太阳能电池，其能源转换效率高达23.64%，创下同类太阳能电池能效新纪录。相关论文发表于最新一期《自然·能源》杂志。最新CIGS太阳能电池结构的电子显微镜分析。 图片来源：《自然·能源》网站国际能源署数据显示，太阳
中国科学家首创“蒸笼”方法“长出”高性能晶体管新材料
这是2025年6月18日在北京大学物理学院拍摄的基于二维硒化铟半导体晶圆的集成晶体管阵列。 集成电路是现代信息技术的核心基础。近年来，随着硅基芯片性能逐步逼近物理极限，开发新型高性能、低能耗半导体材料，成为全球科技研发热点。其中，二维层状半导体材料硒化铟因迁移率高、热速度快等优良性能，被视为有望打
半导体材料的主要种类介绍
半导体材料是半导体工业的基础，它的发展对半导体技术的发展有极大的影响。半导体材料按化学成分和内部结构，大致可分为以下几类。1.元素半导体有锗、硅、硒、硼、碲、锑等。50年代，锗在半导体中占主导地位，但 锗半导体器件的耐高温和抗辐射性能较差，到60年代后期逐渐被硅材料取代。用硅制造的半导体器件，耐高温
超越硅极限二维晶体管诞生
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/4/497868.shtm“在弹道输运晶体管中，电子像子弹一样穿过沟道没有受到碰撞，能量没有被散射损失掉，所以弹道率越高的器件，能量利用效率更高。”近日，北京大学电子学院研究员邱晨光向《中国科学报》解释。随着硅
科学家实现基于硒镓钡晶体的中红外高灵敏探测
1月25日，记者从中国科学院沈阳自动化研究所获悉，该所太赫兹团队在红外探测领域取得关键技术突破，实现了基于硒镓钡晶体的3-8微米中红外高灵敏探测，对纳秒脉冲的探测灵敏度指标达到国际先进水平。该技术将为我国在生物、医疗、化工等领域开展前沿科学研究提供强有力的探测工具，相关成果日前在国际学术期刊《光学》
铜铟镓硒太阳能电池板的制造工业特点
用交替溅射的方法制备铜铟镓硒薄膜太阳能电池预置层。通过可变占空比的电源控制器实现对Cu/Ga合金靶以及In靶溅射时间的控制，进而实现对最后元素配比的控制。实验中发现，在一个溅射周期中，Cu/Ga合金靶溅射时间对最后成分影响最大，其次是In靶溅射时间，非溅射时间的长短对成分也有影响。交替溅射制备的铜铟
铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池的特点和应用
铜铟镓硒（CIGS）薄膜太阳能电池由Cu（铜）、In（铟）、Ga（镓）、Se（硒）四种元素构成最佳比例的黄铜矿结晶薄膜太阳能电池，是组成电池板的关键技术。由于薄膜太阳能电池具有光吸收能力强、发电稳定性好、能源回收周期短等诸多优势，CIGS太阳能电池逐渐成为太阳能电池行业的重要发展方向，可以与传统的晶